Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
РадиоЛоцман - Все об электронике

Diodes анонсирует новую серию быстродействующих драйверов затворов в корпусах SO-8

Diodes DGD2003S8 DGD2005S8 DGD2012S8

Компания Diodes анонсировала новое семейство высоковольтных быстродействующих драйверов затворов для преобразователей, инверторов, приводов двигателей и усилителей класса D. Устройства могут использоваться в схемах управления двигателями с напряжениями до 100 В, и в то же время поддерживают приложения преобразования энергии при напряжении 200 В. Благодаря этим особенностям они хорошо подходят для широкого спектра потребительских и промышленных конструкций, включая электроинструменты, робототехнику и дроны, а также небольшие электромобили.

Diodes - DGD2003S8, DGD2005S8, DGD2012S8

200-вольтовые драйверы затворов DGD2003S8, DGD2005S8 и DGD2012S8, рассчитанные на полумостовое или автономное включение внешних транзисторов, выпускаются в стандартных низкопрофильных корпусах SO-8. Для создания в выходных каскадах этих устройств плавающего канала верхнего плеча, позволяющего использовать бутстрепное управление при напряжениях до 200 В или управлять двумя N-канальными MOSFET в полумостовой топологии, применена технология изоляции перехода.

Все устройства серии имеют входы управления с триггерами Шмитта и стандартными ТТЛ/КМОП логическими уровнями и могут работать при напряжении питания от 3.3 В, что упрощает интерфейс драйверов со схемами управления. Выходные каскады микросхем выдерживают отрицательные выбросы напряжения и содержат цепи блокировки при пониженных напряжениях в верхнем и нижнем плечах драйверов.

Вытекающий и втекающий токи равны 290 мА и 600 мА, соответственно, для DGD2003S8 и DGD2005S8 и 1.9 А и 2.3 А для DGD2012S8. Мертвое время прибора DGD2003S8 внутренне фиксировано на уровне 420 нс, в то время как максимальное время задержки распространения DGD2005S8 при переключении между верхним и нижним плечом равно 30 нс.

DGD2003S8, DGD2005S8 и DGD2012S8, рассчитанные на расширенный диапазон рабочих температур от –40 °C до +125 °C, поставляются в корпусах SO-8.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: New Series of High-Side/Low-Side Gate Drivers from Diodes Incorporated Delivers Higher Performance in an SO-8 Package

36 предложений от 11 поставщиков
IC: driver; полумост MOSFET; контроллер затвора; SO8; -600÷290мА
ChipWorker
Весь мир
DGD2003S8-13
Diodes
41 ₽
ЧипСити
Россия
DGD2003S8-13
Diodes
42 ₽
Элитан
Россия
DGD2003S8
Diodes
66 ₽
AiPCBA
Весь мир
DGD2003S8-13
Diodes
119 ₽
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя