Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

12-06-2019

Wolfspeed выпускает 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала

Wolfspeed » C3M0016120K

Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество компонентов, перейдя от трехуровневой топологии, основанной на кремниевых приборах, к более простым двухуровневым топологиям, которые стали доступными благодаря улучшенным характеристикам переключения. Использование отдельного вывода Кельвина может дополнительно снизить потери переключения на 30% по сравнению с традиционным 3-выводным корпусом TO-247. Обладая наименьшим сопротивлением среди всех приборов, доступных на современном рынке, и низким зарядом затвора, C3M0016120K идеально подходит для трехфазных безмостовых топологий корректоров коэффициента мощности, а также для использования в инверторах и зарядных устройствах.

Wolfspeed - C3M0016120K

Особенности транзистора

  • Самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала: 16 мОм;
  • Допустимое напряжение сток-исток 1200 В во всем диапазоне рабочих температур (-40 °C … 175 °C);
  • Управляющее напряжение затвора 15 В;
  • Низкоимпедансный корпус с дополнительным выводом для подключения истока по методу Кельвина;
  • Пути утечки по корпусу и между выводами стока и истока, превышающие 8 мм;
  • Высокая скорость переключения при низкой выходной емкости;
  • Быстрый внутренний диод с низким зарядом восстановления;
  • Простота управления и параллельного объединения.

Wolfspeed - C3M0016120K

Целевые приложения

  • Солнечные инверторы и системы хранения энергии;
  • Зарядные устройства электрических транспортных средств;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Драйверы двигателей;
  • Импульсные источники питания.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Silicon Carbide Power MOSFET C3M Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

SIC MOSFET G3 1200V 16milliOhm
ПоставщикЦена
Триом9 149 руб.
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Новости по теме:
Новости  »
Wolfspeed выпускает первый в отрасли 1000-вольтовый SiC MOSFET
Datasheet  »
Datasheet CMF20120D - Cree Даташит Полевой транзистор, SIC, N CH, 1200 В, 33 А, TO247
Новости  »
Littelfuse анонсирует 1700-вольтовый SiC MOSFET с сопротивлением канала 1 Ом
Новости  »
Analog Devices выпускает микромощный 30-вольтовый ОУ с защитой входов от перенапряжения
Новости  »
STMicroelectronics разработала N-канальный 950-вольтовый MOSFET нового поколения

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Бесснаберный FLYBACK с транзисторами 950 В P7
Уникальный подход MORNSUN к разработке DC/DC-преобразователей
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.
Рейтинг@Mail.ru