РадиоЛоцман - Все об электронике

Fujitsu выпускает микросхемы 8-мегабитной ReRAM с самой высокой в мире плотностью элементов

Fujitsu MB85AS8MT

Память с самым низким в отрасли током, потребляемым в режиме чтения, оптимальная для миниатюрных носимых устройств

Fujitsu Semiconductor сообщила о выпуске микросхемы 8-мегабитной ReRAM (Resistive random access memory – резистивная память с произвольным доступом) с самой большой в мире плотностью элементов памяти среди серийно выпускаемых продуктов ReRAM. Микросхема была разработана совместно с компанией Panasonic Semiconductor.

Fujitsu - MB85AS8MT

Совместимая с EEPROM микросхема энергонезависимой памяти MB85AS8MT имеет интерфейс SPI и может работать в широком диапазоне напряжений питания от 1.6 В до 3.6 В. Одной из основных особенностей этой памяти является чрезвычайно малый средний ток для операций чтения, равный 0.15 мА при рабочей частоте 5 МГц, что составляет лишь 5% от потребления EEPROM большой плотности. Это минимизирует расход тока батареи при использовании в приложениях с автономным питанием и частыми операциями чтения данных.

Версия микросхемы в очень маленьком корпусе WL-CSP (корпус с размерами кристалла) оптимальна для небольших носимых устройств с батарейным питанием, таких как слуховые аппараты, умные часы и интеллектуальные браслеты.

Fujitsu Semiconductor предлагает различные сегнетоэлектрические ОЗУ (FRAM), обеспечивающие большее количество циклов записи и более высокие скорости записи по сравнению с EEPROM и флэш-памятью. FRAM продукты Fujitsu приобретают все более широкую известность как оптимальная энергонезависимая память для очень частой регистрации данных и для защиты данных от внезапных отключений питания. Между тем, некоторым потребителям требуется память, потребляющая меньше тока при операциях чтения, поскольку для их приложений характерны редкая запись данных и очень частое чтение.

Чтобы удовлетворить такие потребности, была разработана эта новая энергонезависимая память ReRAM с двумя функциями: «большая плотность, обеспечивающая побайтовый доступ» и «малый ток чтения». На этот раз Fujitsu разработала микросхему MB85AS8MT, имеющую наивысшую плотность в мировом семействе ReRAM емкостью 8 Мбит. Электрические характеристики MB85AS8MT, такие как набор команд и временные диаграммы работы, совместимы с продуктами EEPROM.

В приложениях с батарейным питанием, выполняющих частое чтение данных, например, для загрузки определенной программы или извлечения параметров настройки, новая память обеспечивает минимальный расход энергии батарей.

Микросхема поставляется в EEPROM-совместимом 8-выводном корпусе SOP. Кроме того, имеется очень маленький 11-контактный корпус WL-CSP размером 2 мм × 3 мм для установки в небольшие носимые устройства.

Основные характеристики микросхемы MB85AS8MT

  • Объем (организация): 8 Мбит (1М слов × 8 бит);
  • Интерфейс: SPI;
  • Диапазон напряжений питания: 1.6 В … 3.6 В;
  • Рабочая частота: 10 МГц макс.;
  • Низкий ток, потребляемый в режиме чтения: 0.15 мА (среднее значение при частоте 5 МГц);
  • Время цикла записи: 10 мс;
  • Размер страницы: 256 байт;
  • Гарантированное число циклов записи: 1 млн;
  • Гарантированное число циклов чтения: не ограничено;
  • Время хранения: 10 лет (при температуре до 85 °C);
  • Корпуса: WL-CSP 11 выводов, SOP 8 выводов.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Fujitsu Semiconductor Releases World's Largest Density 8Mbit ReRAM Product from September

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя