РадиоЛоцман - Все об электронике

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaNTM

На сегодняшний день наиболее перспективным вариантом замены приборов на кремниевой основе являются транзисторы с высокой подвижностью электронов (High-Electron-Mobility Transistor, HEMT), также известные под названием «гетероструктурные полевые транзисторы» (Heterostructure Field-Effect Transistor, HFET). Работы над освоением технологий производства HEMT активно ведутся многими производителями электронных компонентов, в том числе и компанией Infineon, заслуженно являющейся одним из мировых лидеров в этой отрасли.

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN

В статье речь пойдет об особенностях управления транзисторами CoolGaN™ – одной из первых линеек HEMT, использование которой может вывести преобразователи электрической энергии на совершенно новый уровень качества.

Читать статью »

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя