На сегодняшний день наиболее перспективным вариантом замены приборов на кремниевой основе являются транзисторы с высокой подвижностью электронов (High-Electron-Mobility Transistor, HEMT), также известные под названием «гетероструктурные полевые транзисторы» (Heterostructure Field-Effect Transistor, HFET). Работы над освоением технологий производства HEMT активно ведутся многими производителями электронных компонентов, в том числе и компанией Infineon, заслуженно являющейся одним из мировых лидеров в этой отрасли.
В статье речь пойдет об особенностях управления транзисторами CoolGaN™ – одной из первых линеек HEMT, использование которой может вывести преобразователи электрической энергии на совершенно новый уровень качества.
