РадиоЛоцман - Все об электронике

Alpha and Omega Semiconductor выпускает новую серию MOSFET для сильноточных приложений

Alpha & Omega AOTL66608 AOTL66610 AOTL66912

Alpha and Omega Semiconductor (AOS), объединив технологии безвыводных корпусов TO (TO-Leadless – TOLL) и экранированного затвора, выпустила серию новых 60- и 100-вольтовых транзисторов, обеспечивающих наибольшую токовую нагрузку в своем классе напряжений. Благодаря инновационной технологии AOS, использующей прижимные контакты для соединения кристалла с выводами, корпус TOLL выдерживает самые высокие в отрасли броски тока. По сравнению с другими безвыводными корпусами TO, технология корпусирования TOLL позволяет достичь очень низких значений сопротивления и индуктивности выводов корпуса. Наряду с прижимными контактами для снижения уровня электромагнитных излучений в этой технологии используется стандартное термокомпрессионное присоединение проволочных выводов.

AOS - AOTL66608, AOTL66610, AOTL66912

По сравнению с корпусами TO-263 (D2PAK), транзисторы AOTL66608 (60 В), AOTL66610 (60 В) и AOTL66912 (100 В) занимают на 30% меньшую площадь и допускают бóльшую нагрузку по току, что позволяет сократить количество MOSFET, включаемых параллельно. Кроме того, новые устройства превосходят существующие решения по плотности мощности. Они идеально подходят для драйверов промышленных бесщеточных двигателей постоянного тока и систем управления аккумуляторными батареями.

Основные технические характеристики

Прибор VDS (В) VGS (±В) Непрерывный ток стока (А) RDS(ON) макс (мОм)
при 10 В
При  25 °C При 100 °C
AOTL66608 60 20 400 400 0.85
AOTL66610 60 20 350 247 1.2
AOTL66912 100 20 380 269 1.7

Цены и доступность

AOTL66608, AOTL66610 и AOTL66912 доступны для заказа в промышленных количествах со сроком поставки 14-16 недель. В партиях из 1000 приборов цена одного транзистора составляет $4.1, $2.3 и $4.56, соответственно.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Alpha and Omega Semiconductor Announces New 60V and 100V MOSFETs in TO-Leadless Packaging Technology for High Current Applications

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя