РадиоЛоцман - Все об электронике

Nexperia запускает в производство свой первый GaN МОП-транзистор с лучшими в отрасли характеристиками

Nexperia GAN063-650WSA

Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве

Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством GAN063-650WSA с напряжением затвор-исток ±20 В и диапазоном рабочих температур от –55 °C до +175 °C. Низкое сопротивление открытого канала нового транзистора – до 60 мОм – и большая скорость переключения обеспечивают очень высокий КПД.

Nexperia - GAN063-650WSA

Новый продукт Nexperia нацелен на сегменты высокоэффективных приложений, включая гибридные и электрические транспортные средства, датацентры, оборудование телекоммуникационной инфраструктуры, средства промышленной автоматизации и профессиональные источники питания. Разработанный Nexperia процесс выращивания эпитаксиальных слоев GaN на кремнии отличается высокими уровнями надежности и качества, подтвержденными испытаниями, а также высокой степенью масштабируемости, поскольку пластины можно обрабатывать на существующих предприятиях по производству кремниевых приборов. Более того, это устройство выпускается в стандартном для отрасли корпусе TO-247, что дает потребителям возможность получить преимущества исключительных характеристик GaN, используя прибор в привычном корпусе.

Полевой транзистор GAN063-650WSA является первым в линейке устройств на основе GaN, которые Nexperia создает для удовлетворения нужд автомобильного, телекоммуникационного и промышленных рынков.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Nexperia launches high-efficiency GaN FET with industry-leading performance

GAN063 на РадиоЛоцман.Цены — от 863 до 1 151 руб.
GAN063-650WSA/SOT429/TO-247
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
ЭлитанNXPGAN063-650WSAQ863 руб.
ТриомNexperiaGAN063-650WSAQ1 151 руб.
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя