РадиоЛоцман - Все об электронике

Сдвоенный 60-вольтовый MOSFET с объединенными стоками компании Vishay увеличит плотность мощности и КПД

Vishay SiSF20DN

Устройство, предназначенное для двунаправленной коммутации в 24-вольтовых системах, имеет лучшее в своем классе сопротивление исток-исток и самое низкое в отрасли сопротивление на единицу площади корпуса

Vishay Intertechnology выпускает на рынок новый сдвоенный 60-вольтовый n-канальный MOSFET с объединенными стоками в компактном корпусе PowerPAK 1212-8SCD со сниженным тепловым сопротивлением. Транзистор SiSF20DN, разработанный подразделением Vishay Siliconix для повышения КПД и плотности мощности систем управления аккумуляторными батареями, сетевых и беспроводных зарядных устройств, DC/DC преобразователей и источников питания, имеет самое низкое в отрасли сопротивление исток-исток среди 60-вольтовых устройств с общим стоком.

Vishay - SiSF20DN

Типовое сопротивление исток-исток открытого сдвоенного MOSFET составляет 10 мОм при напряжении 10 В, что является самым низким значением для 60-вольтовых устройств в корпусах размером 3.3 мм × 3.3 мм. Это значение на 42.5% ниже по сравнению с ближайшим лучшим решением такого же размера, и на 89% ниже, чем у выпускаемых Vishay устройств предыдущего поколения. В результате уменьшается падение напряжения в силовой цепи и увеличивается КПД за счет минимизации потерь. Сопротивления сток-исток отдельных транзисторов на 46.6% меньше, чем у лучших ближайших аналогов, даже при сопоставлении с решениями в более крупных корпусах 6 мм × 5 мм.

Внутренняя схема транзистора SiSF20DN
Внутренняя схема транзистора SiSF20DN.

Для экономии места на печатной плате, сокращения количества компонентов и упрощения конструкции в устройстве используется оптимизированная конструкция корпуса с двумя n-канальными TrenchFET Gen IV MOSFET на общей подложке в конфигурации с общим стоком. Выводы истоков транзистора SiSF20DN расположены рядом и имеют большие размеры, увеличивая площадь контакта с печатной платой и снижая удельное сопротивление по сравнению с обычными типами корпусов сдвоенных транзисторов. Такая конструкция делает MOSFET идеальным прибором для двунаправленной коммутации в 24-вольтовых системах и промышленных приложениях, включая средства автоматизации производства, электроинструменты, дроны, электроприводы, бытовую технику, робототехнику, системы безопасности и видеонаблюдения и сигнализаторы дыма.

Транзисторы SiSF20DN подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.

Единичные образцы и небольшие количества транзисторов SiSF20DN доступны немедленно. Время выполнения крупных заказов составляет 30 недель.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Vishay Intertechnology Common-Drain Dual N-Channel 60 V MOSFET Increases Power Density and Efficiency

Купить SiSF20DN на РадиоЛоцман.Цены
Элитан
Россия
SISF20DN
Vishay
95,00 ₽
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя