Канадская компания GaNPower International сообщила о выпуске двух новых мощных нитрид-галлиевых (GaN) микросхем GPI8HINOIC и GPI8HIRGIC, специально разработанных для верхнего плеча силовых коммутаторов в полумостовых приложениях. Используя в качестве входного сигнала узкие импульсы, запускаемые фронтом, эти две микросхемы позволяют управлять небольшим и недорогим трансформатором для изоляции и сдвига уровня ключа верхнего плеча.
Предлагаемая GaNPower микросхема исключает основную составляющую стоимости использования доступных на рынке полумостовых драйверов. Микросхема GPI8HIRGIC содержит запатентованную полностью нитрид-галлиевую схему регулятора, позволяющую расширить диапазон постоянных напряжений вспомогательного источника питания (Vcc) с 6 В до 15 В. В настоящее время компания предлагает ограниченное количество опытных образцов микросхем для отдельных клиентов.
![]() |
![]() |
|
Внутренняя схема транзистора GPI8HIRGIC. | Форма сигналов транзистора GPI8HIRGIC. |
Типовые параметры
Параметр | GPI8HINOIC | GPI8HIRGIC |
Пробивное напряжение сток-исток | 650 В | 650 В |
Статическое сопротивление открытого канала (TC = 25 °C) | 170 мОм | 175 мОм |
Ток стока | 7.5 А | 7.5 А |