Тепловые и импульсные характеристики, оптимизированные для высокоэффективных приложений
Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск нового 1200-вольтового карбидокремниевого (SiC) MOSFET, изготовленного на технологической платформе αSiC. Эта технология следующего поколения, специально предназначенная для рынков промышленной и автомобильной электроники, даст возможность достичь более высоких уровней КПД и удельной мощности, чем позволяют существующие решения на основе кремния.
Технология αSiC, оптимизированная для минимизации потерь как переменного, так и постоянного тока, благодаря конструкции с низким сопротивлением затвора и незначительной зависимостью сопротивления канала от температуры позволяет достичь высочайших значений КПД в широком диапазоне частот переключения и температур. Увеличение КПД может значительно снизить системные затраты и количество используемых материалов для многих промышленных приложений, включая солнечные инверторы, системы бесперебойного питания, а также инверторы и зарядные устройства для электрических транспортных средств.
Первым продуктом, однованном на новой технологии, стал транзистор AOK065V120X2 с допустимым напряжением сток-исток, равным 1200 В и сопротивлением открытого канала 65 мОм, доступный в корпусе TO-247-3L. Для простоты использования AOK065V120X2 управляющее напряжение затвора сделано равным –5 В/ +15 В, что обеспечивает самую широкую совместимость с существующими высоковольтными драйверами затворов IGBT и SiC MOSFET. Благодаря оптимизированной конструкции системы, возможна также работа с однополярным управлением. Дополнительными преимуществами платформы αSiC являются полная совместимость с требованиями стандартов UIS, повышенная устойчивость к коротким замыканиям и высокая максимальная рабочая температура 175 °C.
В конце 2020 года портфель αSiC MOSFET пополнится за счет расширения диапазона сопротивлений каналов и дополнительных вариантов корпусов с полной сертификацией по стандарту AEC-Q101.
Доступность
Приборы AOK065V120X2 запущены в производство и доступны для приобретения в промышленных объемах.
