Renesas представляет семейство надежных 100-вольтовых драйверов MOSFET-полумостов

В надежных драйверах HIP221x, воплотивших в себе 25-летний опыт Renesas в области разработки микросхем управления MOSFET, сочетаются высокое быстродействие и высокие рабочие напряжения

Renesas Electronics представила два новых 100-вольтовых драйвера MOSFET-полумостов HIP2211 и HIP2210. Микросхема HIP2211 – это следующее поколение популярного драйвера ISL2111 компании Renesas, совместимая по выводам со своим предшественником, тогда как HIP2210 является новым прибором с трехуровневым входом ШИМ, упрощающим разработку источников питания и драйверов двигателей. HIP2211 и HIP2210 идеально подходят для 48-вольтовых источников питания телекоммуникационного оборудования, аудиоусилителей класса D, солнечных инверторов и источников бесперебойного питания. Кроме того, надежность новых приборов достаточно высока для того, чтобы они могли использоваться в драйверах 48-вольтовых двигателей устройств, питающихся от Li-ion аккумуляторов, таких как домашние и уличные водяные насосы и вентиляторы охлаждения.

Драйверы HIP221x, рассчитаны на надежную работу в сложных условиях эксплуатации; их высоковольтные выводы HS выдерживают постоянное напряжение до –10 В и перепады входного напряжения со скоростью до 50 В/нс. Комплексная защита HIP2210 от пониженного напряжения работает в паре с программируемой защитой от сквозных токов, гарантируя, что управляемые MOSFET не будут повреждены из-за источника питания или других внешних факторов. Микросхемы Renesas HIP221x содержат мощные драйверы с вытекающим токами 3 А, втекающими токами 4 А, типовым временем задержки распространения 15 нс и типовым рассогласованием задержек 2 нс, что делает их оптимальным решением для приложений высокочастотной коммутации. Как HIP2210, так и HIP2211 предназначены для совместной работы с микроконтроллерами Renesas в современных системах DC/DC преобразования и управления бесщеточными двигателями.

Типовая схема включения драйвера HIP2211 с входом HI/LI (слева) и HIP2210 с входом ШИМ (справа).

Основные особенности HIP2211 и HIP2210

• Бутстрепный источник питания с максимальным напряжением 115 В (кратковременное напряжение до 120 В) поддерживает полумосты, подключенные к шине 100 В;
• Широкий диапазон рабочих напряжений питания от 6 В до 18 В (максимально допустимое значение 20 В);
• Вывод HS, устойчивый к напряжениям до –10 В и скоростям нарастания до 50 В/нс;
• Интегрированный бутстрепный диод с типовым сопротивлением 0.5 Ом исключает необходимость во внешних дискретных диодах;
• Защита от пониженных напряжений для эффективного управления N-канальными MOSFET;
• Регулируемая в пределах от 35 нс до 350 нс величина мертвого времени (только для HIP2210) защищает от возникновения сквозных токов.

Цены и доступность

HIP2211 и HIP2210 можно приобрести через всемирную сеть дистрибьюторов Renesas. Каждый прибор в партии из 1000 микросхем стоит $1.30. HIP2211 поставляется в 8-выводном корпусе SOIC и 10-контактном корпусе TDFN размером 4 мм × 4 мм. HIP2210 поставляется в 10-контактном корпусе TDFN с размерами 4 мм × 4 мм.

Оценочная плата HIP2210EVAL1Z.