РадиоЛоцман - Все об электронике

Texas Instruments выпускает мощные полевые МОП-транзисторы в инновационных корпусах DualCool

Texas Instruments

Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ с инновационными корпусами обеспечивают на 80% большее рассеяние мощности и на 50% больший ток при стандартной площади монтажа

Компания Texas Instruments объявила о выпуске первого в отрасли семейства мощных полевых МОП-транзисторов (MOSFET) со стандартной площадью монтажа, рассеивающих тепло через верхнюю часть корпуса и предназначенных для сильноточных DC/DC-приложений. Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ позволят уменьшить размеры конечного оборудования, при этом через полевой МОП-транзистор будет протекать ток, больший на 50%, а также улучшится теплообмен при стандартной площади монтажа. Подробная информация доступна на сайте www.ti.com/dualcool-prru.

Семейство из пяти устройств NexFET позволит разработчикам вычислительных и телекоммуникационных систем использовать процессоры с большей силой тока и расширенной памятью, что позволяет сэкономить площадь на монтажной плате. Полевые МОП-транзисторы в усовершенствованном корпусе могут применяться в широком ряде конечных приложений, включая персональные компьютеры, серверы, телекоммуникационное и сетевое оборудование, базовые станции и сильноточные промышленные системы.

Вебинар «Особенности применения литиевых батареек Fanso (EVE) в популярных решениях» (30.11.2021)

«Наши заказчики нуждаются в сильноточных источниках питания DC/DC с меньшей площадью монтажа для использования в устройствах с большей вычислительной мощностью на широком рынке оборудования для инфраструктуры, – сказал Стив Андерсон (Steve Anderson), старший вице-президент компании TI и руководитель международного подразделения по управлению электропитанием. – Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool NexFET удовлетворяют этим потребностям, поскольку поддерживают ток большей величины при том же размере».

Основные характеристики и преимущества мощных полевых МОП-транзисторов DualCool NexFET

  • Полевые МОП-транзисторы для однофазных синхронных понижающих преобразователей 35 А в сильноточных DC/DC-приложениях, где в качестве переключателей как на стороне высокого, так и на стороне низкого напряжения используются одиночные полевые МОП-транзисторы.
  • Улучшенная технология изготовления корпусов уменьшает полное тепловое сопротивление в направлении верхней части корпуса с 10 °C до 15 °C на 1 Вт до 1.2 °C/Вт, что приводит к увеличению теплорассеивающей способности до 80 %.
  • Эффективный двусторонний теплоотвод позволяет поддерживать на 50 % больший ток через полевой транзистор, что дает разработчикам возможность гибко использовать более сильноточные процессоры без увеличения размеров конечного оборудования.
  • Принятый в качестве отраслевого стандарта корпус SON с размерами основания 5 × 6 мм упрощает проектирование и снижает стоимость, экономя 30 мм2 площади по сравнению с использованием двух стандартных корпусов.

Таблица выбора силовых транзисторов MOSFET семейства DualCool™ NexFET™

Устройство

Размер

VDS
(В)

VGS
(В)

R при 10 В
(мОм)

R при 4.5 В
(мОм)

Qg
(нК)

Qgd
(нК)

CSD16325Q5C

5×6

25

10

 —

1.7

18

2.9

CSD16322Q5C

5×6

25

10

 —

4.5

6.5

1.2

CSD16321Q5C

5×6

25

10

 —

2.1

14

2.5

CSD16407Q5C

5×6

25

16

1.8

2.5

13.3

3.5

CSD16408Q5C

5×6

25

16

3.7

5.4

6.5

1.9

Наличие и стоимость

В настоящее время устройства DualCool NexFET поставляются большими партиями компанией TI и ее авторизованными дистрибьюторами. Рекомендованная цена продажи для CSD16325Q5C составляет 1.47 доллара при заказе партии 1000 штук. Также предоставляются образцы и указания по применению.

ti.com

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

Запись вебинара «Микросхемы для защиты цепей питания: ограничители всплесков напряжения и тока, контроллеры горячей замены, идеальные диоды»
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя