Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ с инновационными корпусами обеспечивают на 80% большее рассеяние мощности и на 50% больший ток при стандартной площади монтажа
Компания Texas Instruments объявила о выпуске первого в отрасли семейства мощных полевых МОП-транзисторов (MOSFET) со стандартной площадью монтажа, рассеивающих тепло через верхнюю часть корпуса и предназначенных для сильноточных DC/DC-приложений. Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ позволят уменьшить размеры конечного оборудования, при этом через полевой МОП-транзистор будет протекать ток, больший на 50%, а также улучшится теплообмен при стандартной площади монтажа. Подробная информация доступна на сайте www.ti.com/dualcool-prru.
Семейство из пяти устройств NexFET позволит разработчикам вычислительных и телекоммуникационных систем использовать процессоры с большей силой тока и расширенной памятью, что позволяет сэкономить площадь на монтажной плате. Полевые МОП-транзисторы в усовершенствованном корпусе могут применяться в широком ряде конечных приложений, включая персональные компьютеры, серверы, телекоммуникационное и сетевое оборудование, базовые станции и сильноточные промышленные системы.
«Наши заказчики нуждаются в сильноточных источниках питания DC/DC с меньшей площадью монтажа для использования в устройствах с большей вычислительной мощностью на широком рынке оборудования для инфраструктуры, – сказал Стив Андерсон (Steve Anderson), старший вице-президент компании TI и руководитель международного подразделения по управлению электропитанием. – Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool NexFET удовлетворяют этим потребностям, поскольку поддерживают ток большей величины при том же размере».
Основные характеристики и преимущества мощных полевых МОП-транзисторов DualCool NexFET
- Полевые МОП-транзисторы для однофазных синхронных понижающих преобразователей 35 А в сильноточных DC/DC-приложениях, где в качестве переключателей как на стороне высокого, так и на стороне низкого напряжения используются одиночные полевые МОП-транзисторы.
- Улучшенная технология изготовления корпусов уменьшает полное тепловое сопротивление в направлении верхней части корпуса с 10 °C до 15 °C на 1 Вт до 1.2 °C/Вт, что приводит к увеличению теплорассеивающей способности до 80 %.
- Эффективный двусторонний теплоотвод позволяет поддерживать на 50 % больший ток через полевой транзистор, что дает разработчикам возможность гибко использовать более сильноточные процессоры без увеличения размеров конечного оборудования.
- Принятый в качестве отраслевого стандарта корпус SON с размерами основания 5 × 6 мм упрощает проектирование и снижает стоимость, экономя 30 мм2 площади по сравнению с использованием двух стандартных корпусов.
Таблица выбора силовых транзисторов MOSFET семейства DualCool™ NexFET™
|
Устройство |
Размер |
VDS |
VGS |
R при 10 В |
R при 4.5 В |
Qg |
Qgd |
|
5×6 |
25 |
10 |
— |
1.7 |
18 |
2.9 |
|
|
CSD16322Q5C |
5×6 |
25 |
10 |
— |
4.5 |
6.5 |
1.2 |
|
CSD16321Q5C |
5×6 |
25 |
10 |
— |
2.1 |
14 |
2.5 |
|
CSD16407Q5C |
5×6 |
25 |
16 |
1.8 |
2.5 |
13.3 |
3.5 |
|
CSD16408Q5C |
5×6 |
25 |
16 |
3.7 |
5.4 |
6.5 |
1.9 |
Наличие и стоимость
В настоящее время устройства DualCool NexFET поставляются большими партиями компанией TI и ее авторизованными дистрибьюторами. Рекомендованная цена продажи для CSD16325Q5C составляет 1.47 доллара при заказе партии 1000 штук. Также предоставляются образцы и указания по применению.
