РадиоЛоцман - Все об электронике

Vishay предлагает новый интегральный полумостовой силовой MOSFET каскад с лучшим в отрасли фактором качества

Vishay SiZ240DT

Устройство в компактном корпусе PowerPAIR размером 3.3 мм × 3.3 мм с сопротивлением открытого канала всего 8.05 мОм и зарядом затвора 6.5 нКл

Vishay Intertechnology представила новый 40-вольтовый полумостовой силовой каскад на n-канальных MOSFET, который обеспечивает повышенные значения плотности мощности и КПД для бытовой техники, а также промышленных, медицинских и телекоммуникационных приложений. Объединив MOSFET верхнего и нижнего плеч в одном компактном корпусе PowerPAIR размером 3.3 мм × 3.3 мм, подразделение Vishay Siliconix создало прибор с лучшим в своем классе произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора – важнейшим критерием качества MOSFET, используемых в приложениях преобразования энергии.

Vishay - SiZ240DT

Два TrenchFET MOSFET в устройстве SiZ240DT внутренне соединены в полумостовой конфигурации. Сопротивление открытого MOSFET Канала 1, который обычно используется в качестве управляющего коммутатора в синхронных понижающих преобразователях, не превышает 8.05 мОм при напряжении затвора 10 В и 12.25 мОм при напряжении затвора 4.5 В. Максимальное сопротивление открытого MOSFET Канала 2, типичной областью использования которого является синхронная коммутация, равно 8.41 мОм при напряжении затвора 10 В и 13.30 мОм при напряжении затвора 4.5 В. Эти значения до 16% ниже, чем у ближайших конкурирующих продуктов. В сочетании с низким зарядом затвора, равным 6.9 нКл (Канал 1) и 6.5 нКл (Канал ), результирующее произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора на 14% ниже, чем у ближайшего лучшего устройства, что позволяет повысить КПД приложений с высокими скоростями переключения.

Внутренняя схема SiZ240DT
Внутренняя схема SiZ240DT.

Этот MOSFET на 65% меньше, чем сдвоенные устройства в корпусах размером 6 мм × 5 мм, что делает его одним из самых миниатюрных интегральных продуктов на рынке. Он предоставляет разработчикам компактное решение для управления двигателями пылесосов, дронов, электроинструментов, систем автоматизации дома/офиса и неимплантируемых медицинских устройств, а также для создания полумостовых силовых каскадов синхронных понижающих преобразователей, DC/DC преобразователей, беспроводных зарядных устройств и импульсных источников питания в телекоммуникационном оборудовании и серверах.

В конструкции интегрального MOSFET отсутствуют проводные соединения, что минимизирует паразитные индуктивности и позволяет использовать транзисторы на высоких частотах переключения и, таким образом, уменьшить размеры как магнитных элементов, так и всей конструкции. Оптимизированное отношение QGD/QGS снижает уровень шумов, дополнительно улучшая коммутационные характеристики устройства. Транзисторы SiZ240DT подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.

В настоящее время доступны образцы и промышленные количества транзисторов SiZ240DT. Время выполнения заказа, в зависимости от рыночных условий, составляет до 12 недель.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Vishay Intertechnology Integrated 40 V MOSFET Half-Bridge Power Stage Offers Best in Class RDS(ON) and FOM to Increase Power Density and Efficiency

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

Купить SiZ240DT на РадиоЛоцман.Цены
Элитан
Россия
SIZ240DT
Vishay
39,10 ₽
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя