Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того же карбида кремния – решения для бортовых и внешних зарядных устройств электромобилей.
Постепенный отказ от углеводородов и переход на альтернативные источники энергии ставит перед разработчиками и производителями электроники новые задачи, связанные с повышением энергоэффективности устройств. С этим связано пристальное внимание многих производителей к технологиям, использующим полупроводники с широкой запрещенной зоной (WBG), и соответствующее финансирование исследований в этой области. Дело в том, что полупроводниковые материалы с WBG по сравнению с традиционным кремнием выдерживают гораздо более высокие напряжения и температуры, что позволяет создавать более компактные, быстрые, энергоэффективные и надежные силовые приборы. Напомним, что ширина запрещенной зоны – это энергия, необходимая для перехода электронов из валентной зоны материала в зону проводимости.
