ON Semiconductor анонсирует новые 650-вольтовые SiC MOSFET

Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях

ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, где ключевыми требованиями являются плотность мощности, КПД и надежность. Заменив существующие кремниевые компоненты коммутации новыми SiC устройствами, разработчики смогут значительно улучшить характеристики таких приложений, как бортовые зарядные устройства электромобилей, солнечные инверторы, серверные блоки питания, источники питания телекоммуникационного оборудования и источники бесперебойного питания.

Разработанные ON Semiconductor новые 650-вольтовые SiC MOSFET, выпускаемые в версиях для автомобильной (сертификация по стандарту AEC-Q101) и промышленной электроники, основаны на новом широкозонном материале, обеспечивающем превосходные коммутационные характеристики и улучшенные тепловые параметры по сравнению с обычным кремнием. Это повышает КПД на уровне системы, увеличивает удельную мощность, снижает уровень электромагнитных излучений и уменьшает размеры и вес системы.

Внутренняя схема транзистора NVBG015N065SC1.

В новом поколении автомобильных SiC MOSFET используется новая конструкция активной ячейки в сочетании с усовершенствованной технологией тонких пластин, обеспечивающая лучшее в своем классе произведение сопротивления открытого канала на площадь кристалла для устройств с пробивным напряжением 650 В. Транзисторы NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC1 имеют самое низкое сопротивление открытого канала (12 мОм) на рынке приборов в корпусах D2PAK7L и TO247. Эта технология также оптимизирована для снижения потерь энергии и улучшения характеристик в автомобильных и промышленных приложениях. Внутреннее сопротивление затвора (R_G) предоставляет дополнительную гибкость разработчикам, устраняя необходимость в искусственном замедлении устройств с помощью подключаемых к затвору внешних резисторов. Повышенная устойчивость к броскам напряжения, лавинному пробою и короткому замыканию способствуют улучшению надежности и увеличению срока службы устройства.

Все новые устройства выпускаются в стандартных для отрасли корпусах для поверхностного монтажа, включая корпуса TO247 и D2PAK.