Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специалист ведущего разработчика силовых приборов из карбида кремния, компании Infineon.
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) все чаще используются в преобразователях питания, к размеру, весу и КПД которых предъявляются повышенные требования. Исключительные свойства SiC позволяют создавать униполярные устройства с высокой частотой переключения в противовес IGBT. Решения, которые до сих пор были возможны в устройствах до 600 В, теперь осуществимы и для более высоких напряжений и дают преимущества, снижающие их потребительскую стоимость: высокий КПД, более высокие частоты переключения, меньшее тепловыделение и экономия места.
В то же время MOSFET стали общепринятой концепцией. Первоначально карбид кремния использовался в структурах JFET для достижения высоких показателей как производительности, так и надежности транзистора. Однако с появлением 150-миллиметрового техпроцесса на рынок вышли SiC MOSFET на основе trench-технологии, и теперь можно решить дилемму DMOS-транзисторов между производительностью и высокой надежностью.
