РадиоЛоцман - Все об электронике

Vishay представляет новое семейство сильноточных интеллектуальных силовых модулей VRPower

Vishay SiC822 SiC822A SiC820 SiC820A SiC840 SiC840A SiC832 SiC832A SiC830 SiC830A

Устройства для приложений инфраструктуры облачных вычислений и графических карт в корпусе PowerPAK 5 мм × 6 мм, оснащенные встроенными мониторами тока и температуры

Vishay Intertechnology представила девять новых 70-, 80- и 100-амперных интеллектуальных силовых модулей VRPower с интегрированными схемами контроля тока и температуры в корпусах PowerPAK MLP56-39 размером 5 мм × 6 мм с улучшенной теплопроводностью. Семейство интеллектуальных силовых модулей SiC8xx, разработанное подразделением Vishay Siliconix для снижения затрат на электроэнергию в центрах обработки данных и других объектах высокопроизводительных вычислений и мобильной инфраструктуры 5G, обеспечивает высокую энергоэффективность и точность предоставляемых данных.

Vishay - VRPower

Обозначение Уровень ШИМ Ток Входное напряжение
SiC822 5 В 70 А 4.5 В - 16 В
SiC822A 3.3 В
SiC820 5 В 80 А
SiC820A 3.3 В
SiC840 5 В 100 А
SiC840A 3.3 В
SiC832 5 В 70 А 4.5 В - 21 В
SiC832A 3.3 В
SiC830 5 В 80 А
SiC830A 3.3 В

 

В силовых модулях объединены мощные MOSFET и усовершенствованные микросхемы драйверов. Высокая энергоэффективность устройств является результатом использования внутренних MOSFET, изготовленных на основе новейшей технологии TrenchFET четвертого поколения, обеспечивающей эталонные для отрасли характеристики и значительно снижающей потери переключения и проводимости. Пиковый КПД интеллектуальных силовых модулей SiC8xx превышает 93% в различных условиях применения. Для обеспечения высокого КПД во всем диапазоне выходных токов при малых нагрузках может быть включен режим эмуляции диода.

В то время как контроль энергопотребления, основанный на измерении падения напряжения на постоянном сопротивлении дросселя, дает точность измерения тока порядка 7%, в семействе SiC8xx используется измерение на MOSFET нижнего плеча, обеспечивающее точность лучше 3%. Это приводит к повышению характеристик и лучшему управлению тепловыми режимами схем питания сильноточных процессоров и СнК таких компаний, как Intel, Advanced Micro Devices и Nvidia. Устройства оптимизированы для синхронных понижающих преобразователей.

Интеллектуальные силовые модули SiC8xx поддерживают широкий диапазон входных напряжений от 4.5 В до 21 В (как показано в таблице) и высокие частоты переключения до 2 МГц. Функции безопасности включают в себя предупреждения о коротком замыкании и перегрузке MOSFET верхнего плеча, защиту от перегрева и блокировку при пониженном напряжении. Приборы семейства SiC8xx, в зависимости от версии, могут управляться тристабильными логическими сигналами ШИМ с уровнями 3.3 В или 5 В, что обеспечивает совместимость с широким спектром ШИМ-контроллеров.

Потребителям уже доступны как единичные образцы, так и промышленные партии интеллектуальных силовых модулей. Срок поставки приборов составляет 16 недель.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Vishay Intertechnology 70 A, 80 A, and 100 A VRPower Smart Power Stages Increase Efficiency and Accuracy to Support Latest Generation of Microprocessors

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

10BASE-T1L Ethernet по витой паре: реализация на основе микросхем Analog Devices
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя