Устройства для приложений инфраструктуры облачных вычислений и графических карт в корпусе PowerPAK 5 мм × 6 мм, оснащенные встроенными мониторами тока и температуры
Vishay Intertechnology представила девять новых 70-, 80- и 100-амперных интеллектуальных силовых модулей VRPower с интегрированными схемами контроля тока и температуры в корпусах PowerPAK MLP56-39 размером 5 мм × 6 мм с улучшенной теплопроводностью. Семейство интеллектуальных силовых модулей SiC8xx, разработанное подразделением Vishay Siliconix для снижения затрат на электроэнергию в центрах обработки данных и других объектах высокопроизводительных вычислений и мобильной инфраструктуры 5G, обеспечивает высокую энергоэффективность и точность предоставляемых данных.
| Обозначение | Уровень ШИМ | Ток | Входное напряжение |
| SiC822 | 5 В | 70 А | 4.5 В - 16 В |
| SiC822A | 3.3 В | ||
| SiC820 | 5 В | 80 А | |
| SiC820A | 3.3 В | ||
| SiC840 | 5 В | 100 А | |
| SiC840A | 3.3 В | ||
| SiC832 | 5 В | 70 А | 4.5 В - 21 В |
| SiC832A | 3.3 В | ||
| SiC830 | 5 В | 80 А | |
| SiC830A | 3.3 В |
В силовых модулях объединены мощные MOSFET и усовершенствованные микросхемы драйверов. Высокая энергоэффективность устройств является результатом использования внутренних MOSFET, изготовленных на основе новейшей технологии TrenchFET четвертого поколения, обеспечивающей эталонные для отрасли характеристики и значительно снижающей потери переключения и проводимости. Пиковый КПД интеллектуальных силовых модулей SiC8xx превышает 93% в различных условиях применения. Для обеспечения высокого КПД во всем диапазоне выходных токов при малых нагрузках может быть включен режим эмуляции диода.
В то время как контроль энергопотребления, основанный на измерении падения напряжения на постоянном сопротивлении дросселя, дает точность измерения тока порядка 7%, в семействе SiC8xx используется измерение на MOSFET нижнего плеча, обеспечивающее точность лучше 3%. Это приводит к повышению характеристик и лучшему управлению тепловыми режимами схем питания сильноточных процессоров и СнК таких компаний, как Intel, Advanced Micro Devices и Nvidia. Устройства оптимизированы для синхронных понижающих преобразователей.
Интеллектуальные силовые модули SiC8xx поддерживают широкий диапазон входных напряжений от 4.5 В до 21 В (как показано в таблице) и высокие частоты переключения до 2 МГц. Функции безопасности включают в себя предупреждения о коротком замыкании и перегрузке MOSFET верхнего плеча, защиту от перегрева и блокировку при пониженном напряжении. Приборы семейства SiC8xx, в зависимости от версии, могут управляться тристабильными логическими сигналами ШИМ с уровнями 3.3 В или 5 В, что обеспечивает совместимость с широким спектром ШИМ-контроллеров.
Потребителям уже доступны как единичные образцы, так и промышленные партии интеллектуальных силовых модулей. Срок поставки приборов составляет 16 недель.
