РадиоЛоцман - Все об электронике

ON Semiconductor анонсировала полностью карбидокремниевые решения для зарядных станций электромобилей

ON Semiconductor NXH010P120MNF1 NXH006P120MNF2

ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей.

ON Semiconductor - NXH010P120MNF1,  NXH006P120MNF2

Продолжающийся рост продаж электромобилей требует развертывания соответствующей инфраструктуры, способной удовлетворить потребности водителей, обеспечивая их сетью станций быстрой зарядки, которые позволят им доезжать до пункта назначения быстро и без беспокойства по поводу оставшегося заряда. Требования в этом секторе быстро развиваются, и уже сейчас становятся «нормой» мощности, превышающий 350 кВт, и КПД 95%. Ввиду разнообразия сред и мест, в которых используются эти зарядные устройства, разработчики сталкиваются с проблемами компактности и повышенной надежности.

Держим старые цены на MEAN WELL весь июль!

Новые 1200-вольтовые полностью карбидокремниевые MOSFET модули, основанные на планарной технологи, рассчитаны на управляющее напряжение в диапазоне 18 – 20 В. Увеличенные размеры кристалла уменьшают тепловое сопротивление по сравнению с MOSFET с щелевой изоляцией, снижая температуру кристалла при той же рабочей температуре.

Модуль NXH010P120MNF1, в котором MOSFET сконфигурированы полумостом, имеет в открытом состоянии сопротивление 10 мОм и упаковывается в корпус F1, тогда как полумостовое устройство NXH006P120MNF2 с сопротивлением 6 мОм выпускается в корпусе F2. Корпуса с запрессованными выводами идеально подходят для промышленных приложений, а встроенный термистор с отрицательным температурным коэффициентом облегчает контроль температуры.

Являясь частью созданной ON Semiconductor экосистемы зарядки электромобилей, новые модули SiC MOSFET разрабатывались для совместной работы с драйверами затворов, такими, как устройства семейства NCD5700x. Недавно представленный двухканальный изолированный драйвер затворов IGBT/MOSFET NCD57252 с гальванической изоляцией 5 кВ может быть сконфигурирован как сдвоенный драйвер нижнего плеча, сдвоенный драйвер верхнего плеча или как полумост.

NCD57252 выпускается в небольшом широком корпусе SOIC-16 и может управляться входными сигналами с логическими уровнями (3.3 В, 5 В и 15 В). Сильноточное устройство (вытекающий ток 4.0 А, втекающий – 6.0 А при напряжении плато Миллеоа) с типовой задержкой распространения 60 нс хорошо подходит для высокоскоростных приложений.

В недавно анонсированных 650-вольтовых SiC MOSFET используется новая конструкция активных элементов в сочетании с передовой технологией тонких пластин, что в совокупности обеспечивает лучший в своем классе показатель качества – произведение сопротивления открытого канала на площадь кристалла. Устройства этой серии, такие как NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC, имеют самые низкие сопротивления открытых каналов среди всех предлагаемых на рынке MOSFET в корпусах D2PAK7L/TO247.

1200- и 900-вольтовые n-канальные SiC MOSFET имеют небольшие размеры кристалла, что снижает емкость устройства и заряд затвора (который составляет всего 220 нКл), уменьшая коммутационные потери при работе на высоких частотах, требуемых для зарядных станций электрических транспортных средств.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: ON Semiconductor Announces New Full Silicon Carbide MOSFET Module Solutions for Charging Electric Vehicles at APEC 2021

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

ADAR3000/3001 16-канальный формирователь диаграммы направленности для К/Ка диапазона частот от Analog Devices
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя