Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем.
За последние пятьдесят лет наш мир изменился до неузнаваемости. За этот период в нем успело появиться, исчезнуть и снова появиться множество экономических, социальных и технологических направлений, каждое из которых, в той или иной степени, меняло нашу жизнь. Однако что бы ни происходило вокруг, одна особенность нашего мира до сих пор остается неизменной – технологии в нем все так же играют одну из главных ролей.
Сегодня наши мысли заняты электромобилями, интернетом вещей, мобильной связью по стандарту 5G и многими другими высокотехнологичными устройствами и системами. И это не удивительно, ведь в самое ближайшее время они станут неотъемлемой частью нашей жизни. Однако вся эта техника никогда не будет создана, если предварительно не будут решены вопросы энергоснабжения, лежащие в основе всего электронного оборудования. Поэтому уже сегодня инженеры в области силовой электроники ежедневно работают над решением проблем, создаваемых приложениями будущего, разрабатывая устройства и системы электропитания нового поколения, имеющие оптимизированную архитектуру, лучшую энергоэффективность, повышенную удельную мощность или более высокое выходное напряжение. Если внимательно проанализировать любой преобразовательный или коммутирующий узел системы электропитания современного устройства, то окажется, что большинство его ключевых характеристик, в том числе и надежность, зависят от одной микроскопической полупроводниковой структуры, функция которой заключается лишь в периодическом соединении между собой некоторых участков электрической схемы.
