Ключевыми преимуществами карбид-кремниевых полупроводниковых приборов являются высокая скорость переключения и малая величина статических потерь. Использование их в импульсных преобразователях электрической энергии позволяет улучшить практически все основные параметры этих схем, в первую очередь – КПД и удельную мощность.
Однако высокая скорость нарастания напряжения и тока, характерная для этих схем, из-за наличия паразитных связей между элементами создает ряд проблем. Поэтому печатные платы для преобразователей на карбид-кремниевых приборах требуют более внимательной и тщательной проработки, чем при использовании кремниевой элементной базы.
В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид-кремниевых транзисторов, позволяющие избежать наиболее распространенных ошибок и уменьшить вероятность отказа оборудования как в процессе разработки, так и во время его практической эксплуатации.
