РадиоЛоцман - Все об электронике

Раскрывая секреты: особенности размещения драйверов карбид-кремниевых транзисторов

Ключевыми преимуществами карбид-кремниевых полупроводниковых приборов являются высокая скорость переключения и малая величина статических потерь. Использование их в импульсных преобразователях электрической энергии позволяет улучшить практически все основные параметры этих схем, в первую очередь – КПД и удельную мощность.

Вебинар «Необычное в обычном. Сравнительный анализ современных решений Recom» (27.01.2022)

Однако высокая скорость нарастания напряжения и тока, характерная для этих схем, из-за наличия паразитных связей между элементами создает ряд проблем. Поэтому печатные платы для преобразователей на карбид-кремниевых приборах требуют более внимательной и тщательной проработки, чем при использовании кремниевой элементной базы.

В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид-кремниевых транзисторов, позволяющие избежать наиболее распространенных ошибок и уменьшить вероятность отказа оборудования как в процессе разработки, так и во время его практической эксплуатации.

Читать статью »

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

Запись вебинара «Микросхемы для защиты цепей питания: ограничители всплесков напряжения и тока, контроллеры горячей замены, идеальные диоды»
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя