Рэле электромагнитные Tianbo Relay
РадиоЛоцман - Все об электронике

Аспирантка КФН предложила способ объединения СВЧ- и силовой технологии

На сегодняшний день производители GaN приборов часто сталкиваются с проблемами при создании нормально-закрытых GaN транзисторов, поскольку они, как правило, являются нормально-открытыми приборами. В своем проекте «Технология и моделирование нормально-открытых и нормально-закрытых транзисторов для монолитных ИС на основе GaN/Si структур» аспирантка кафедры квантовой физики и наноэлектроники Ольга Чуканова предложила усовершенствованный способ создания нормально-закрытого GaN транзистора с р-затвором и рассматривается решение проблем организации такого затвора.

Вебинар «Источники питания MEAN WELL для промавтоматики и серверного оборудования в новых условиях» (02.06.2022)

Аспирантка КФН предложила способ объединения СВЧ- и силовой технологии

«Создание монолитной ИС на основе GaN структур позволяет решить проблемы с цепями управления затвором и защиты, сократить время сборки и упростить ее, а также позволяет создавать надежные драйвера, – говорит Ольга. – Также в данном проекте мы исследуем возможность формирования приборов с различными длинами затвора в едином технологическом цикле (позволит объединить СВЧ и силовую технологии). Благодаря возможности формирования двух типов приборов различной конфигурации на одной пластине можно создавать цифровые монолитные интегральные схемы, тем самым расширив электронную компонентную базу России».

Аспирантка КФН предложила способ объединения СВЧ- и силовой технологии

На данный момент совместно с научным руководителем Владимиром Ильичом Егоркиным Ольга Чуканова уже отработала технологии формирования нормально-открытых транзисторов и технологию нормально-закрытых транзисторов с р-затвором. «Сейчас нами проводятся работы по математическому моделированию в Sentaurus TCAD транзисторов с различной конфигурацией приборов, – поясняет аспирантка. – Получив хорошие результаты моделирования, планируется переходить к экспериментальной проверке возможности совмещения двух технологий в едином технологическом цикле».

Работа Ольги является продолжением проекта «Разработка технологии и технологическая подготовка к производству кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 мм для силовых преобразовательных модулей», который был создан совместно с «Зеленоградским нано-технологическим центром» (ЗНТЦ). Первая презентация этого проекта была представлена на конкурсе «Научная стажировка» от фонда «Синтез» Геннадия Комиссарова, где Ольга получила высшую награду.

После этой победы, летом 2021 года, аспирантка КФН проходила стажировку в ЗНТЦ. «Благодаря этому конкурсу в декабре прошлого года меня позвали на научный конгресс в образовательный центр «Сириус» в Сочи, который был посвящен году науки и технологий. На конгрессе мне предоставили возможность заявить о своих научных достижениях, выступив с презентацией на стенде «Россия – страна возможностей». Я эту возможность, конечно, не упустила».

Напомним, что конгресс в «Сириусе» стал одним из ключевых событий Года науки и технологий, объявленного по инициативе Президента России Владимира Путина. В рамках него состоялись круглые столы, сессии, дискуссии, посвященные результатам тематических месяцев Года науки и технологий, VIII Ежегодная национальная выставка «Вузпромэкспо». Также были организованы образовательные мероприятия по различным направлениям научно-исследовательской деятельности. Ольга выступала с докладом о своем проекте, выступление было высоко оценено экспертами.

Среди экспертов Конгресса молодых ученых были Дмитрий Чернышенко, заместитель Председателя Правительства РФ, Андрей Фурсенко, помощник Президента РФ, Валерий Фальков, министр науки и высшего образования РФ, Антон Кобяков, советник Президента РФ. Также в работе Конгресса принял участие Александр Сергеев, президент Российской академии наук.

«Ранее я также представляла свой проект на международном форуме «Силовая электроника – 2021» в октябре 2021 года. Затем проект «Технология и моделирование нормально-открытых и нормально-закрытых транзисторов для монолитных ИС на основе GaN/Si структур» принес нам победу в конкурсе «Умник. Проектная команда – электроника».

Ориентировочные сроки завершения проекта – дата окончания договора с Фондом содействия инновациям по конкурсу «Умник». Это конец 2022 года. Ученые предполагают, что шансы объединить две технологии с помощью наработок в рамках проекта достаточно высокие. «Возможно, в скором времени мы начнем разработку цифровой монолитной схемы, – говорит Ольга. – Но далеко загадывать не стоит. К большой цели в нашей сфере обычно следуют маленькими шагами!»

miet.ru

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя