Низковольтные диоды Шоттки высокой эффективности на основе карбида кремния обладают меньшим значением потерь при переключении и повышенным значением допустимого напряжения, чем у кремниевых
Компания ROHM объявила о разработке карбид-кремниевых диодов Шоттки (ДШ) нового поколения, которые обладают меньшим значением потерь при переключении и повышенным значением допустимого напряжения, чем у кремниевых ДШ. Кроме этого, серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A имеет преимущество перед другими карбид-кремниевыми ДШ доступными на рынке по прямому напряжению и сопротивлению открытого канала.
В области силовой электроники, потери при преобразовании возникающие в традиционных кремниевых полупроводниковых приборах становятся все большей проблемой, что обусловливает поиск альтернативных материалов. Карбид кремния стал наиболее перспективным материалом из-за низкого значения потерь при переключении.
Компания ROHM проводила исследования в данной области в течение нескольких лет, начав с успешной разработки прототипа полевого транзистора на основе карбида кремния в 2004 году и продолжив силовыми модулями и диодами Шоттки. На основании отзывов заказчиков в 2005 году для диодов Шоттки на основе карбида кремния был выполнен ряд изменений и улучшений. В результате была разработана комплексная схема производства компонентов на основе карбида кремния, а также была приобретена компания-производитель высококачественных пластин карбида кремния для обеспечения бесперебойных поставок материала.
Серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A обладает значением времени восстановления (trr) 15 нс, что значительно меньше, чем у традиционных кремниевых быстровосстанавливающихся диодов (35…50 нс). В связи с этим, потери при восстановлении сокращаются на 2/3, а также уменьшается нагрев прибора. Кроме этого, прибор функционирует более стабильно при изменении температурных условий, чем кремниевый быстровосстанавливающийся диод, что упрощает задачу теплоотвода.
По сравнению с карбид-кремниевыми ДШ конкурентов, данная серия имеет уменьшенный на 15% размер кристалла, что наряду с температурными характеристиками, значениями рабочего сопротивления и прямого напряжения (VF=1.5 В при 10 А) делает SCS110A более интересным для различных применений. Компанией ROHM также была решены многие проблемы, связанные с массовым производством приборов на основе карбида кремния, такие как однородность формирования барьера Шоттки и охранных колец высокого сопротивления без использования высокотемпературных процессов, что позволяет иметь полный цикл собственного производства.
Основные свойства серии SCS110A
- Ультра-низкое значение обратного заряда восстановления (Qrr) обеспечивает высокоскоростное включение
- Стабильные температурные характеристики
- trr (время восстановления) не зависит от изменения температуры
| Сравнительная диаграмма включения: Кремниевый быстровосстанавливающийся диод и диод Шоттки на основе карбида кремния |
 |
Электрические характеристики
|
Серия |
VRM |
VR |
IO |
IFSM |
Tj |
Tstj |
VF (В) |
IR(мкА) |
trr (нс) |
Условия |
||
|
(В) |
(В) |
(А) |
(А) |
|
|
тип. |
IF(А) |
макс. |
VR(В) |
тип. |
||
|
SCS110A |
600 |
600 |
10 |
40 |
150 |
–55…+150 |
1.5 |
10 |
2 |
600 |
15 |
IF=10 А, VR=400 В |
