РадиоЛоцман - Все об электронике

ROHM объявила о разработке карбид-кремниевых диодов Шоттки нового поколения

ROHM SCS110A

Низковольтные диоды Шоттки высокой эффективности на основе карбида кремния обладают меньшим значением потерь при переключении и повышенным значением допустимого напряжения, чем у кремниевых

Компания ROHM объявила о разработке карбид-кремниевых диодов Шоттки (ДШ) нового поколения, которые обладают меньшим значением потерь при переключении и повышенным значением допустимого напряжения, чем у кремниевых ДШ. Кроме этого, серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A имеет преимущество перед другими карбид-кремниевыми ДШ доступными на рынке по прямому напряжению и сопротивлению открытого канала.

ROHM - SCS110A

В области силовой электроники, потери при преобразовании возникающие в традиционных кремниевых полупроводниковых приборах становятся все большей проблемой, что обусловливает поиск альтернативных материалов. Карбид кремния стал наиболее перспективным материалом из-за низкого значения потерь при переключении.

Компания ROHM проводила исследования в данной области в течение нескольких лет, начав с успешной разработки прототипа полевого транзистора на основе карбида кремния в 2004 году и продолжив силовыми модулями и диодами Шоттки. На основании отзывов заказчиков в 2005 году для диодов Шоттки на основе карбида кремния был выполнен ряд изменений и улучшений. В результате была разработана комплексная схема производства компонентов на основе карбида кремния, а также была приобретена компания-производитель высококачественных пластин карбида кремния для обеспечения бесперебойных поставок материала.

Серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A обладает значением времени восстановления (trr) 15 нс, что значительно меньше, чем у традиционных кремниевых быстровосстанавливающихся диодов (35…50 нс). В связи с этим, потери при восстановлении сокращаются на 2/3, а также уменьшается нагрев прибора. Кроме этого, прибор функционирует более стабильно при изменении температурных условий, чем кремниевый быстровосстанавливающийся диод, что упрощает задачу теплоотвода.

По сравнению с карбид-кремниевыми ДШ конкурентов, данная серия имеет уменьшенный на 15% размер кристалла, что наряду с температурными характеристиками, значениями рабочего сопротивления и прямого напряжения (VF=1.5 В при 10 А) делает SCS110A более интересным для различных применений. Компанией ROHM также была решены многие проблемы, связанные с массовым производством приборов на основе карбида кремния, такие как однородность формирования барьера Шоттки и охранных колец высокого сопротивления без использования высокотемпературных процессов, что позволяет иметь полный цикл собственного производства.

Основные свойства серии SCS110A

  • Ультра-низкое значение обратного заряда восстановления (Qrr) обеспечивает высокоскоростное включение
  • Стабильные температурные характеристики
  • trr (время восстановления) не зависит от изменения температуры
Сравнительная диаграмма включения: Кремниевый быстровосстанавливающийся диод и диод Шоттки на основе карбида кремния
Сравнительная диаграмма включения: Кремниевый быстровосстанавливающийся диод и диод Шоттки на основе карбида кремния

Электрические характеристики

Серия

VRM

VR

IO

IFSM

Tj

Tstj

VF (В)

IR(мкА)

trr (нс)

Условия

(В)

(В)

(А)

(А)

 

 

тип.

IF(А)

макс.

VR(В)

тип.

SCS110A

600

600

10

40

150

–55…+150

1.5

10

2

600

15

IF=10 А, VR=400 В
di/dt=350 А/мкс

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя