IXYS выпустила сверхбыстрый чоппер KE11R600DCGFC с защитным SiC диодом

Компания IXYS выпустила первого представителя семейства сверхбыстрых чопперов MKE – MKE11R600DCGFC в корпусе ISOPLUS i4TM. MKE11R600DCGFC состоит из 600 В MOSFET-транзистора и SiC-диода 600 В/12 А на одном чипе в конфигурации «boost chopper», схема которого показана на рисунке.

Применение SiC-диода позволяет добиться очень высокой эффективности при малых потерях на коммутацию. Одновременно, расположение диода и транзистора на общей подложке позволило существенно снизить вносимую индуктивность, а удобная топология корпуса позволяет существенно упростить разработку конструктива.

Технология ISOPLUS предлагает разработчику дискретный изолированный корпус на DCB-подложке с меньшим тепловым сопротивлением и более высокой надежностью, по сравнению со стандартными неизолированными корпусами на медном основании. Интеграция COOLMOS® CP MOSFET и SiC-диода в корпусе ISOPLUS i4TM обеспечивает высокую удельную мощность и высокую надежность при одновременном уменьшении габаритных размеров и потерь.

Основные характеристики:

• Рабочая температура (TVJ): –55…+155 ºC
• Изоляция: 2500 В AC
   
• MOSFET:
  • Максимальный ток (при 25 ºС и при 90 ºС): ID25 15 A; ID90 11 А
  • Напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
  • Максимальное сопротивление открытого канала (RDS(on) max): 0.165 Ом
  • Скорость нарастания (dV/dt): 50 В/нс
     
• SiC диод:
  • Рабочее напряжение (VRRM): 600 В
  • Максимальный ток (при 25 ºС и при 90 ºС): IF25 14 A; IF90 8 А

Чоппер MKE11R600DCGFC найдет применение в импульсных источниках питания, источниках бесперебойного питания, схемах корректоров коэффициента мощности и др.