Предназначены для использования в промышленности и энергетике в схемах привода двигателей кондиционеров, бытовой техники и систем автоматизации предприятий, а также в системах управления зарядных станций, накопителей энергии и блоков питания
В семействе драйверов затворов STGAP3S компании STMicroelectronics, предназначенных для управления карбид-кремниевыми (SiC) и IGBT силовыми ключами, новейшая надежная технология гальванической изоляции сочетается с оптимизированной защитой от выхода из насыщения и гибкой архитектурой подавления эффекта Миллера.
Благодаря усиленной емкостной гальванической развязке между каналом управления затвором и низковольтными схемами управления и интерфейса, изоляция STGAP3S выдерживает броски напряжения до 9.6 кВ и перепады синфазного напряжения со скоростью изменения до 200 В/нс. За счет усовершенствованной изоляции STGAP3S повышает надежность приводов двигателей для промышленных приложений, таких как кондиционеры воздуха, средства автоматизация производства и бытовая техника. Новые драйверы также используются в силовых и энергетических приложениях, включая зарядные станции, системы хранения энергии, корректоры коэффициента мощности, DC/DC преобразователи и солнечные инверторы.
Семейство продуктов STGAP3S включает различные варианты приборов с допустимым током нагрузки 10 А и 6 А, каждый из которых имеет различные пороги блокировки при пониженном напряжении и пороги включения защиты от выхода из насыщения. Это помогает разработчикам выбрать оптимальное устройство, соответствующее характеристикам выбранных ими силовых SiC MOSFET или IGBT ключей.
Защита от выхода из насыщения исключает повреждение внешнего силового ключа из-за перегрузки или короткого замыкания, предоставляя возможность настройки стратегии отключения с помощью внешнего резистора, чтобы обеспечить максимальную скорость срабатывания защиты, не допуская при этом чрезмерных скачков напряжения. Блокировка при пониженном напряжении предотвращает включение схемы при недостаточном управляющем напряжении.
Для подавления эффекта Миллера в микросхему интегрирован предварительный драйвер внешнего n-канального MOSFET. Это предоставляет разработчикам гибкие возможности для выбора подходящей задержки срабатывания, предотвращающей включение, обусловленное влиянием dv/dt, и минимизирующей перекрестную проводимость.
Доступные варианты устройств позволяют выбирать втекающий/вытекающий токи 10 А или 6 А для наилучшего согласования характеристик с выбранным силовым ключом с порогами включения защиты от выхода из насыщения и пониженного напряжения, оптимизированными для технологии IGBT или SiC. О состояниях неисправности, связанных с системами защиты от пониженного напряжения, перегрева и выхода из насыщения, сообщается с помощью двух специальных диагностических выводов с открытым стоком.
Микросхемы STGAP3SXS серийно выпускаются в широком корпусе SO-16W, и в партиях из 1000 устройств продаются по цене $2.34 за штуку.
 |
| Оценочная плата полумоста для изолированного драйвера затвора SiC MOSFET на основе STGAP3SXS с защитой. |
