IRF2804S обеспечивает прямое сопротивление канала 2.0 мОм (макс)
16 сентября, 2003 - компания International Rectifier, IR®, представила новую линейку мощных устройств MOSFET серии Trench HEXFET®, включающих IRF2804S с сопротивлением 2.0 мОм в корпусе D2Pak. Технология производства позволила минимизировать сопротивление канала при пониженном температурном коэффициенте в режиме лавинного пробоя, что актуально для агрессивной окружающей среды работы автоэлектроники. Во многих случаях это позволит перейти от применения корпусов типа D2Pak, к устройствам в меньших корпусах D-Pak, что существенно понизит мощность рассеяния, стоимость и размер разрабатываемых систем, упростит интеграцию цепей управления питанием в приложения.У новых устройств повышены КПД, скорость переключений, надежность в работе. Напряжение затвора уеньшено, что позволяет применять устройства в энергоемких системах автоэлектроники. Режим лавинного пробоя этих MOSFET приборов позволяет применять устройства с пониженным допустимым напряжением, например 40 В вместо 55 В. Уменьшенное сопротивление канала при сниженных напряжениях обеспечивают низкую температуру на стыках.
Все устройства соответствуют стандарту Q-101. Ниже приводятся данные для одиночного импульса и для повторяемого лавинного пробоя при температуре на стыках не превышающей 175° С.
| Устройство | Корпус(2) | Uпр. | Rпр.(вкл.)макс. | Iпр. макс. | Rthj-c°C/W | Rпр.(вкл.)Teмп. Коеф. | Затвор | Стадарт качества |
| IRF2804S | D2-Pak | 40V | 2.0mW | 75A(1) | 0.45 | 1.80 | Std | Q101 |
| IRF1404ZS | D2-Pak | 40V | 3.7mW | 75A(1) | 0.65 | 1.80 | Std | Q101 |
| IRF4104S | D2-Pak | 40V | 5.5mW | 75A(1) | 1.05 | 1.80 | Std | Q101 |
| IRFR4104 | D-Pak | 40V | 5.5mW | 42A(1) | 1.05 | 1.80 | Std | Q101 |
| IRF1405ZS | D2-Pak | 55V | 4.9mW | 75A(1) | 0.65 | 2.10 | Std | Q101 |
| IRF3205ZS | D2-Pak | 55V | 6.5mW | 75A(1) | 0.67 | 2.10 | Std | Q101 |
| IRF1010ZS | D2-Pak | 55V | 7.5mW | 75A(1) | 1.11 | 2.10 | Std | Q101 |
| IRFZ48ZS | D2-Pak | 55V | 11.0mW | 61A | 1.64 | 2.10 | Std | Q101 |
| IRFZ46ZS | D2-Pak | 55V | 13.6mW | 51A | 1.84 | 2.10 | Std | Q101 |
| IRFR4105Z | D-Pak | 55V | 24.5mW | 30A(1) | 3.12 | 2.10 | Std | Q101 |
| IRF1010EZS | D2-Pak | 60V | 8.5mW | 75A(1) | 1.11 | 2.20 | Std | Q101 |
| IRFZ44VZS | D2-Pak | 60V | 12.0mW | 57A | 1.64 | 2.20 | Std | Q101 |
| IRF2807ZS | D2-Pak | 75V | 9.4mW | 75A(1) | 0.90 | 2.25 | Std | Q101 |
| IRFR3710Z | D-Pak | 100V | 18.0mW | 42A(1) | 1.05 | 2.50 | Std | Q101 |
| Примечания: (1) Величина, лимитируемая типом корпуса. (2) Все устройства в корпусах D2Pak и D-Pak также доступны в корпусе TO-220 в бескорпуснм варианте в различных средах компоновки чипов. |
||||||||
Цены на MOSFET-устройства начинаются с 2.35 USD за штуку при заказе 10,000 штук.
