HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новые микросхемы флэш-памяти от Samsung

Samsung

Компания Samsung разработала прототип микросхемы флэш-памяти с такой же емкостью, как и у своих лучших промышленных образцов, но значительно меньшего размера.

Новый чип на 512 МБ произведен по технологии 70 нм. На данный момент компания производит микросхемы аналогичной емкости по процессу 120 нм и собирается начать производство 90 нм версий. Чипы большей плотности очень актуальны на рынке карт памяти. Это связано со стандартными размерами карт, так что увеличения емкости можно добиться только увеличением плотности микросхем. Развитие этого направления позволит, увеличивая объем памяти, поддерживать малые размеры цифровых плееров, мобильных телефонов и цифровых камер. С 1999 года компания Samsung каждый год увеличивает плотность микросхем флэш-памяти в два раза.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя