650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с ...
The Introduction of 150 A and 80 A, 650 V GaN E-HEMT Transistors Meet Growing Electric Vehicle, Energy Storage, and Industrial Motor Demands GaN Systems announced the industry’s highest current 650 V GaN E-HEMTs with the addition of the 150 ...
Канадская компания GaN Systems представила самые сильноточные и энергоэффективные в отрасли 100-вольтовые GaN E-HEMT GS-010-120-1-T с сопротивлением открытого канала 5 мОм и максимальным током 120 А. По величине допустимого тока новый прибор в 1.3 ...
GaN Systems unveiled the industry’s highest current and power efficient 100 V GaN power transistor, the 100 V, 120 A, 5 mΩ GaN E-HEMT device [GS-010-120-1-T]. It is 1.3X the current rating of GaN Systems’ own 90 A part and ...
Обнародовав характеристики новых 120-амперных 650-вольтовых нитрид-галлиевых (GaN) E-HEMT транзисторов, канадская компания GaN Systems подтвердила свое лидирующее положение в отрасли мощных GaN приборов. Растущие уровни мощности порождают ...
GaN Systems made public the 120 A, 650 V GaN E-HEMT, extending its leadership with the industry’s most powerful line of high performance GaN transistors. Power levels continue to rise creating the need for higher operating current. The ...
