РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости Infineon

Производитель: "Infineon"
Найдено: 251 Вывод: 1-10
  1. По данным исследовательского консалтингового агентства Omdia, лидирующие позиции на рынке МЭМС микрофонов сейчас занимает компания Infineon Technologies. Анализ объема продаж МЭМС микросхем показал, что доля рынка Infineon резко возросла до 43.5%. ...
    According to research consultancy Omdia, Infineon Technologies has successfully positioned itself as the market leader for MEMS microphones. Based on MEMS chip unit sales, the market share was reported to have been catapulted to a staggering 43.5 ...
    12-01-2021
  2. С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС драйверов затвора из линейки EiceDRIVER, основанных ...
    23-12-2020
  3. Драйверы Infineon 1ED34xx 1ED38xx
    Infineon Technologies расширила семейство микросхем EiceDRIVER X3 Enhanced драйверами затворов с аналоговым ( 1ED34xx ) и цифровым ( 1ED38xx ) управлением. Эти устройства с типовыми значениями выходных токов 3, 6 и 9 А обеспечивают точное ...
    Infineon Technologies has launched the EiceDRIVER™ X3 Enhanced analog ( 1ED34xx ) and digital ( 1ED38xx ) gate driver ICs. These devices provide a typical output current of 3, 6 and 9 A, precise short-circuit detection, a Miller clamp and ...
    21-12-2020
  4. Infineon Technologies выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) интегрированный силовой модуль (integrated power module IPM) в формованном пластиковом корпусе, завершив тем самым свою программу массового внедрения SiC решений на 2020 год. ...
    Infineon Technologies has launched a 1200 V transfer molded silicon carbide (SiC) integrated power module (IPM) and concludes the massive roll-out of SiC solutions for this year. The CIPOS™ Maxi IPM IM828 series is the industry’s first ...
    10-12-2020
  1. Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к временной деградации кристаллов и ...
    09-12-2020
  2. Infineon Technologies расширяет свой ассортимент микросхем EiceDRIVER с цепями сдвига уровня 1200-вольтовым трехфазным драйвером затворов 6ED2230 . Устройство основано на разработанной Infineon уникальной технологии КНИ (кремний на изоляторе). ...
    Infineon Technologies broadens its level-shift EiceDRIVER™ portfolio with a 1200 V three-phase gate driver. It is based on the company’s unique silicon-on-insulator (SOI) technology. The device provides leading negative VS transient ...
    02-12-2020
  3. Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...
    Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...
    02-11-2020
  4. Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов нитрида ...
    27-09-2020
  5. Infineon Technologies представила цифровой контроллер XDPL8219 . Высокоэффективный контроллер обратноходового преобразователя предназначен для стабилизации напряжения на вторичной стороне в высокоэффективных и надежных светодиодных конструкциях. ...
    Infineon Technologies introduces the XDP™ digital power XDPL8219 . The high-performance flyback controller features secondary-side regulation for high-performance and robust LED designs. It provides high power factor and constant voltage ...
    03-09-2020
  6. Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, ...
    02-09-2020

Сортировать по: релевантность / дата

Запись онлайн конференции - Путь к созданию SDR III. Третий главный технологический шаг в создании платформы SDR