Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Память
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыИстория электроникиКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиПамять

Новости - Память - 3

Подраздел: "Память"
Найдено: 149 Вывод: 21-30
  1. В России создали основу для флешек будущего
    Память Перспективные технологии
    Такие флешки будут намного долговечнее современных Международная группа исследователей, в составе которой были специалисты из МФТИ, создала и изучила уникальный сегнетоэлектрический конденсатор основу устройств памяти будущего. Они будут работать ...
    27 ноября 2019
  2. «Миландр» занял призовое место в конкурсе «Золотой Чип» на выставке ChipExpo 2019
    АЦП, ЦАП Интерфейсы Микроконтроллеры Память Процессоры Миландр 1508МТ015 1645PУ7Я 1923КХ028 1986ВС018 5101НВ035 9018ВК016 9021НВ016 9022РА018 9022РТ018 9023РР018 МВМ-03
    ПКК Миландр занял 2-е призовое место в конкурсе Золотой Чип в номинации Лучшее изделие специального и двойного назначения 2018-2019 гг. за свою новую разработку многокристальных модулей памяти по технологии 3D-TSV. Конкурс проводился в рамках 17-ой ...
    12 ноября 2019
  1. Радиационно-стойкое статического ОЗУ АО НПЦ «ЭЛВИС» заняло первое место в конкурсе «Золотой чип - 2019»
    Память ЭЛВИС 1657РУ2У
    АО НПЦ ЭЛВИС заняло первое место в конкурсе Золотой чип - 2019 в рамках выставки ChipEXPO-2019, проводимой при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. В номинации Лучшее изделие ЭКБ 2018-2019 гг. победил проект ...
    23 октября 2019
  2. Fujitsu выпускает микросхемы 8-мегабитной ReRAM с самой высокой в мире плотностью элементов
    Память Fujitsu MB85AS8MT
    Память с самым низким в отрасли током, потребляемым в режиме чтения, оптимальная для миниатюрных носимых устройств Fujitsu Semiconductor сообщила о выпуске микросхемы 8-мегабитной ReRAM (Resistive random access memory резистивная память с ...
    Fujitsu Semiconductor Releases World's Largest Density 8Mbit ReRAM Product from September
    Featuring memory with the industry's smallest read current, optimal for small wearable devices Fujitsu Semiconductor announced the release of the 8 Mbit ReRAM MB85AS8MT , which has the world's largest density as a mass-produced ReRAM ...
    27 августа 2019
  1. Проект опорного вуза ПетрГУ: твердотельные системы хранения данных
    Память Технологии электронных компонентов Компьютеры и периферия
    В рамках ФЦП ИР Петрозаводский университет ведет разработки совместно с ведущим российским предприятием в области корпусирования интегральных микросхем Опорные вузы, отобранные на конкурсе Минобрнауки России в 2016-2017 годах, призваны стать ...
    30 января 2019
  2. Fujitsu запускает в производство 4-мегабитные микросхемы FRAM с последовательным интерфейсом
    Память Fujitsu MB85RS4MT
    Оптимальная энергонезависимая память для регистрации данных в реальном времени в таких приложениях, как 3D позиционирование в автомобильных навигаторах Fujitsu Semiconductor сообщила о завершении разработки микросхемы MB85RS4MT 4-мегабитного ...
    Fujitsu has launched a new 4Mbit Serial FRAM with upper compatibility to EEPROM
    Optimal non-volatile memory for real-time data logging such as 3D positioning data of event data recorder Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85RS4MT , a 4 Mbit FRAM that has the highest density in Fujitsu's serial ...
    18 сентября 2018
  3. Fujitsu начала серийное производство микросхем 8-мегабитных FRAM
    Память Fujitsu MB85R8M2T
    Оптимальное решение для исключения батарей резервного питания ОЗУ из промышленного оборудования Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки и начале серийного производства 8-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) MB85R8M2T ...
    Fujitsu Launches an 8Mbit FRAM - the Largest Memory Density in the FRAM Family
    The optimal solution to eliminate batteries for SRAM in industrial machinery Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85R8M2T , an 8 Mbit FRAM that has the largest density in Fujitsu's family of FRAM non-volatile memories. ...
    9 июля 2018
  4. Fujitsu завершила разработку 64-килобитной микросхемы FRAM, работающей при температуре -55 °C
    Память Fujitsu MB85RS64TU
    Оптимальны для использования в промышленном оборудовании, требующем высокой надежности при экстремально низких температурах окружающей среды Fujitsu Semiconductor объявила о разработке 64-килобитной микросхемы сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) ...
    Fujitsu has launched a 64-Kbit FRAM Guaranteed to Operate as low as -55 °C
    Optimal for applications in industrial machinery that require high reliability in extremely cold environments Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85RS64TU , a 64-Kbit FRAM. This memory is capable of operating at temperatures ...
    7 мая 2018
  5. НИИМЭ разработал новую ячейку EEPROM-памяти для серийно выпускаемых микросхем
    Память
    АО НИИ молекулярной электроники разработало новую конструкцию ячейки энергонезависимой памяти для применения в серийно выпускаемых микросхемах отечественного производства I уровня. Особенностью новой ячейки стало сокращение ее площади более чем в ...
    30 марта 2018
  6. Toshiba Memory Europe представляет встроенную флеш-память NAND стандарта UFS 2.1 для автомобильных систем
    Память Авто THGAF9G7L1LBAB7 THGAF9G8L2LBAB7 THGAF9G9L4LBAB8 THGAF9T0L8LBAB8 THGAF9T1LBLBABY
    Устройства памяти с расширенным диапазоном рабочих температур предназначены для хранения данных в составе все более сложных автомобильных систем, включая информационно-развлекательные системы и расширенные системы помощи водителю Компания Toshiba ...
    Toshiba Memory Europe Announces UFS 2.1-Compliant Embedded NAND Flash for Automotive Applications
    Extended temperature memory products address data storage demands of increasingly complex applications including infotainment and ADAS Toshiba Memory Europe GmbH has begun sample shipments of embedded NAND flash memory products for automotive ...
    29 января 2018
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring