AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 4

Подраздел: "Память"
Найдено: 149 Вывод: 31-40
  1. Новые NVMe SSD-диски форм-фактора M.2 наиболее выгодное решение для массовых геймеров и энтузиастов самостоятельной сборки компьютеров Компания Toshiba Memory Europe GmbH объявила на международной выставке CES 2018 о выпуске новой серии ...
    New M.2 NVMe SSDs Value-Optimised for Mainstream Gamers, DIY System Builders Toshiba Memory Europe GmbH announced the launch of the RC100 Series at International CES 2018, a new line of NVMe [1] (NVM Express) [1] M.2 solid state drives (SSDs) for ...
    22 января 2018
  2. В новой серии потребительских дисков премиум-класса представлены устройства повышенной производительности емкостью 2 ТБ для рабочих станций и высокопроизводительных ноутбуков и настольных ПК, а также для компьютерных энтузиастов Компания Toshiba ...
    New “Premium” Client Series Offers 2TBs of Capacity and Optimized Performance for Workstation, Enthusiast and High-End PC/Notebook Applications Toshiba Memory Europe has expanded its widely-acclaimed XG5 lineup of NVMe solid state ...
    18 января 2018
  1. Компания Toshiba Memory Europe начала поставки ознакомительных образцов универсальных флеш-накопителей (UFS) [1] на основе самой современной 64-слойной 3D флеш-памяти BiCS FLASH™ производства Toshiba Memory Corporation [2] . Новые ...
    Toshiba Memory Europe has started sampling Universal Flash Storage (UFS) devices [1] utilising Toshiba Memory Corporation's cutting-edge 64-layer, BiCS FLASH™ 3D flash memory [2] . The new UFS devices meet performance demands for ...
    16 января 2018
  2. Финская компания VLSI Solution сообщила о доступности микросхемы универсального статического запоминающего устройства (SRAM) VS23S040 с интерфейсом SPI и наибольшей емкостью среди аналогичных устройств, предлагаемых сегодня на рынке. VS23S040 это ...
    VLSI Solution announces availability of VS23S040, a versatile SPI SRAM device with the largest capacity on the market. VLSI Solution's VS23S040 is an easy to use four megabit static RAM device. The memory can be accessed via a standard SPI ...
    9 января 2018
  1. Новый уровень стандартов запоминающих устройств для обработки постоянно растущих объемов мобильного контента Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли встраиваемой универсальной флеш-памяти (embedded Universal ...
    Setting a new threshold for mobile storage to handle ever-increasing amounts of multimedia content Samsung Electronics announced that it has begun mass production of the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage ...
    9 января 2018
  2. Память LAPIS Semiconductor MR44V100A MR45V100A
    LAPIS Semiconductor сообщила о разработке сегнетоэлектрического запоминающего устройства с произвольным доступом (FeRAM) емкостью 1 Мбит, предназначенного для таких приложений, как интеллектуальные приборы учета, средства измерений, медицинское ...
    High-speed 40 MHz operation and wide voltage range from 1.8 to 3.6 V improve reliability in IoT equipment LAPIS Semiconductor has recently announced the development of 1 Mbit ferroelectric random access memory (FeRAM) designed for applications such ...
    14 декабря 2017
  3. Everspin Technologies начала отгрузку основным потребителям пробных партий новых микросхем магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (ST-MRAM) емкостью 1 Гбит. Этот революционный продукт предназначен для создания ...
    Everspin Technologies has begun sampling its new 1-Gigabit Spin Torque Magnetoresistive Random Access Memory (ST-MRAM) with lead customers. This breakthrough product delivers a high-endurance, persistent memory with a DDR4- compatible interface. ...
    17 августа 2017
  4. Специалисты холдинга Росэлектроника Госкорпорации Ростех разработали материалы для создания многослойных 3D-оптических носителей информации флуоресцентного типа, призванных заменить CD, DVD и BluRay. Носители информации, разработанные московским ...
    8 февраля 2017
  5. Диапазон рабочих температур расширен до +105 С Подразделение решений для хранения данных и электронных устройств корпорации Toshiba объявило о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC e•MMC™ версии ...
    30 января 2017
  6. Память Microchip 47L04 47C04 47L16 47C16
    Энергонезависимое ОЗУ на основе EERAM с интерфейсом I 2 C не требует внешней батареи для сохранения данных Недорогое и надежное решение для безопасного сохранения данных при потере питания теперь стало возможным благодаря компании Microchip ...
    The I 2 C EERAM Memory is a Low-Cost NVSRAM that Eliminates the Need for an External Battery to Retain Data A new low-cost, low-risk memory solution offering unlimited endurance and safe data storage at power loss is now available from Microchip ...
    27 октября 2016
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка