IBM и Micron Technology объявили о том, что Micron начнет выпуск нового устройства памяти, впервые построенного по коммерческой КМОП технологии TSV (through-silicon vias в приблизительном переводе сквозные связи через кремний ). Усовершенствованный ...
IBM and Micron Technology announced that Micron will begin production of a new memory device built using the first commercial CMOS manufacturing technology to employ through-silicon vias (TSVs). IBM's advanced TSV chip-making process enables ...
Используя новый подход, группа ученых создала мембраны из графена для применения в воздушно-литиевых аккумуляторах, которые, однажды, смогут заменить стандартные аккумуляторы, используемые сегодня в автомобилях Согласно сообщению ученых из ...
Using a new approach, the team built a graphene membrane for use in lithium-air batteries, which could, one day, replace conventional batteries in electric vehicles. Resembling broken eggshells, graphene structures built around bubbles produced a ...
Ученые из Северо-западного университета (Northwestern University) сообщают о создании нового материала на основе кремния и графена для электродов литиевых батарей. С сегодняшними технологиями возможности литий-ионных батарей ограничены по двум ...
Northwestern Univ. researchers report on a new high-power Si graphene composite anode material for Li-ion batteries . With current technology, the capabilities of a lithium-ion battery are limited in two ways: energy capacity is limited by the ...
Группа исследователей из Корейского института науки и технологий (KAIST) разработала способ изготовления гибкой энергонезависимой резистивной памяти (RRAM), обеспечивающей произвольный доступ к каждой ячейке памяти, как для записи, так и для ...
A team of researchers from KAIST has developed flexible non-volatile resistive random access memory (RRAM) technology where a memory cell can be randomly accessed, written, and erased on a plastic substrate. Led by Professor Keon Jae Lee of the ...
Группы исследователей из Политехнического университета Валенсии (Universitat Politècnica de València, UPV) и Университета Мигеля Эрнандеса (Universitat Miguel Hernández d'Elx, UMH) разработали модель, закладывающую основы ...
Researchers at the Universitat Politècnica de València (UPV) and the Universitat Miguel Hernández d'Elx (UMH) have developed a model that provides the basis for the application of commercial photonic components to the field of ...
Infineon Technologies выпустила первый чип на основе тонкой 300 мм пластины для приборов силовой электроники на фабрике в австрийском городе Виллах. Данный факт делает компанию Infineon первой в мире, с успехом шагнувшей вперед в данном ...
Infineon Technologies has produced the first chips on a 300-millimeter thin wafer for power semiconductors at the Villach site in Austria. This makes Infineon the first company in the world to succeed in taking this step forward. The chips now ...
Совет директоров Российской корпорации нанотехнологий ( Роснано ) на первом заседании, состоявшемся 24 марта 2011 г., одобрил выделение проектной компании Ситроникс-Нано займа в размере не более 1.8 млрд руб. при условии привлечения проектной ...
Федеральная политехническая школа Лозанны и корпорация IBM объявили о реализации исследовательской инициативы, в рамках которой планируется решить такую острую проблему, как значительное увеличение объемов электроэнергии, потребляемой различными ...
Компании Intel, Toshiba и Samsung Electronics намерены создать консорциум для совместной разработки технологии, которая позволит к 2016 году начать производство 10 нм кристаллов. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на японское издание Nikkei Daily. ...
(Reuters) - Chipmakers Intel Corp, Toshiba Corp and Samsung Electronics Co Ltd will join hands to develop technologies that could more than halve semiconductor line widths to nearly 10 nanometers by 2016, the Nikkei daily reported. Samsung ...
Виталий Петлевой Как стало известно РБК daily, на совещании рабочей группы в Минрегионразвития было решено возобновить программу по строительству производства чипов с топологическим размером 45 60 нм . В 2007 году государство приняло решение ...
