Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты - 6

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 458 Вывод: 51-60
  1. Новая серия синфазных чип дросселей SRF4530A является оптимальным решением для подавления помех в широком спектре приложений высокотемпературной электроники Bourns представила новую серию синфазных чип дросселей для шины CAN. Новые дроссели, ...
    New SRF4530A Series Common Mode Chip Inductors are Optimal Noise Suppression Solutions for a Broad Range of High Temperature Electronics Applications Bourns, Inc. introduced a new CANbus Common Mode Chip Inductor series. The new AEC-Q200 compliant ...
    17 сентября 2020
  2. Эти 200-вольтовые eGaN полевые транзисторы нового поколения идеальны для синхронных выпрямителей с выходным напряжением 48 В, аудиоусилителей класса D, солнечных микроинверторов и оптимизаторов, а также многоуровневых высоковольтных AC/DC ...
    These new generation 200 V eGaN® FETs are ideal for 48 V OUT synchronous rectification, class-D audio, solar microinverters and optimizers, and multilevel, high-voltage AC/DC converters EPC advances the performance capability while lowering the ...
    14 сентября 2020
  1. Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск 30-вольтового MOSFET AONS32310 с низким сопротивлением открытого канала и широкой областью безопасной работы (Safe Operating Area, SOA), который идеально подходит для таких ответственных приложений, ...
    Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AONS32310 , a 30 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability which is ideally suited for demanding applications such as hot swap and e-fuse. A high SOA is ...
    8 сентября 2020
  2. Дискретные компоненты Toshiba XPN12006NC XPN3R804NC XPN6R706NC XPN7R104NC
    Устройства, сертифицированные на соответствие требованиям стандартов автоэлектроники, снижают энергопотребление для повышения топливной экономичности автомобиля Toshiba Electronics Europe разработала серию новых высокоэффективных N-канальных MOSFET ...
    Automotive-qualified devices curb power consumption to boost vehicle fuel economy Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba) has developed a series of new high-efficiency N-channel MOSFETs for automotive applications that are based on the ...
    1 сентября 2020
  1. Устройство, предлагаемое в корпусе PowerPAK SO-8, имеет лучшее в своем классе произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала Vishay Intertechnology представила первый в мире мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET, имеющий ...
    Offered in PowerPAK® SO-8 Single Package, Device Features Best in Class Gate Charge Times R DS(ON) FOM Vishay Intertechnology introduced the first-ever -30 V p-channel power MOSFET to offer on-resistance of 1.7 mΩ at 10 V. With its ...
    27 августа 2020
  2. Компания Diodes представила высокоэффективный цифровой аудио усилитель класса D PAM8823 с выходной мощностью 25 Вт в режиме стерео и 50 Вт в режиме моно, имеющий вход I 2 S и предназначенный для управления стереодинамиками, соединенными мостом. При ...
    Diodes Incorporated announced a high efficiency, Stereo 25 W / Mono 50 W Class D digital audio amplifier PAM8823 with I 2 S input to drive stereo bridge-tied speakers. The PAM8823 is capable of driving Stereo 25 W (BTL) each to a pair of 8 Ω ...
    26 августа 2020
  3. Компания Diodes объявила о выпуске сдвоенных PNP транзисторов ZXTP56060FDBQ и ZXTP56020FDBQ , соответствующих требованиям стандартов автомобильной электроники. Эти новые продукты предоставляют OEM-производителям высокоэффективное решение для ...
    Diodes Incorporated announced the availability of the automotive-compliant ZXTP56060FDBQ and ZXTP56020FDBQ dual PNP transistors. These new products provide OEMs with a highly efficient solution for controlling matrix LED light clusters. The ...
    4 августа 2020
  4. Сдвоенное устройство с интегрированным диодом Шоттки увеличивает плотность мощности и КПД, занимая на плате на 65% меньше места, чем корпуса 6 мм × 5 мм Vishay Intertechnology представила новый 30-вольтовый полумостовой силовой каскад на ...
    Dual Device With Integrated Schottky Diode Increases Power Density and Efficiency, Needs 65% Less PCB Space Than 6 mm × 5 mm Packages Vishay Intertechnology introduced a new 30 V n-channel MOSFET half-bridge power stage that combines a high ...
    9 июля 2020
  5. Компания Ampleon объявила о появлении двух новых 50-вольтовых приборов в семействе высокоэффективных мощных Si LDMOS транзисторов радиочастотного диапазона девятого поколения. Транзисторы BLF978P и BLF974P , разработанные для использования в ...
    Ampleon announced two additions to its 9th generation line-up of high-performance 50 V Si LDMOS high-efficiency RF power transistors. Designed for use in ultra-high-power RF power amplifiers, capable of delivering hundreds of kilowatts, the BLF978P ...
    9 июля 2020
  6. Новый TVS диод компании Semtech с ультранизкой емкостью обеспечивает лучшую в отрасли защиту высокоскоростных линий данных от разрядов статического электричества Компания Semtech анонсировала новейшее дополнение к своей платформе RClamp. ...
    Semtech’s new ultra-low capacitance TVS device offers industry leading ESD protection for high speed data lines Semtech Corporation announced the latest addition to its RClamp® platform. The RClamp3371ZC exceeds industry immunity ...
    25 июня 2020
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка