Линейка продуктов KEEN SIDE
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 6

Подраздел: "Память"
Найдено: 153 Вывод: 51-60
  1. Новое решение Samsung в области DRAM указывает на то, что TSV становится господствующей технологией в приложениях памяти большой емкости Компания Samsung анонсировала начало массового производства первых в отрасли 128-гигабайтных модулей памяти ...
    New Samsung DRAM Solution Signals TSV Technology is heading for Mainstream High-Capacity Memory Applications Samsung Electronics announced that it is mass producing the industry’s first “through silicon via” (TSV) double data ...
    10 декабря 2015
  2. Новое устройство емкостью 256 Мбит в корпусе с небольшим количеством выводов и полосой пропускания в режиме чтения до 333 МБ/c предназначена для широкого диапазона высокопроизводительных систем Компания Cypress Semiconductor расширила линейку ...
    New 256 Mb Device Delivers Up to 333 MBps of Read Bandwidth in a Low-Pin-Count Package; Addresses a Broad Range of the Highest-Performance Systems Cypress Semiconductor Corp. expanded its NOR HyperFlash product line with the qualification of a new ...
    13 августа 2015
Компактные и мощные DC/DC-преобразователи MEAN WELL серии RQB со склада КОМПЭЛ
  1. Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ...
    Innovative 3D stacked structure boosts capacity and performance Toshiba America Electronic Components , Inc. unveiled the new generation of BiCS FLASH, a three-dimensional (3D) stacked cell structure flash memory. The new device is the world's ...
    12 августа 2015
  2. Память Atmel AT21CS01 AT21CS11
    Новому семейству однопроводных устройств памяти с оригинальной схемой паразитного питания и уникальным 64-битным серийным номером требуются лишь один вывод данных и один вывод земли Atmel начала производство инновационной микросхемы однопроводного ...
    With a Novel Parasitic Power Scheme, New Single-Wire Family Requires Just One Data and One Ground Pin Eliminating the Need for Power Source/ Vcc and Features Plug-and-Play 64-bit Serial Number for Identification Atmel Corporation launched the ...
    12 августа 2015
  1. Новая трехуровневая ячейка NAND памяти (TLC) большой емкости обеспечивает высокий уровень технических характеристик: Концентрированный баланс цены, емкости и технических характеристик При той же емкости, что и MLC NAND площадь, кристалла снижена на ...
    New High-Capacity Triple-Level-Cell (TLC) NAND Provides Efficient, High-Performance Storage: Offers a focused balance in cost, capacity and performance. Enables the same capacity as MLC NAND with a 28% savings in die area. Targeted for use in ...
    2 июня 2015
  2. Новые приборы F-RAM расширяют диапазон емкостей самых экономичных микросхем энергонезависимой памяти, предназначенных для особо ответственных приложений Cypress Semiconductor представила семейство микросхем сегнетоэлектрической памяти с ...
    New F-RAM™ Expands the Density Range of the Most Energy-Efficient Nonvolatile RAMs for Mission-Critical Data Storage Cypress Semiconductor introduced a family of 4 Mb serial Ferroelectric Random Access Memories (F-RAMs™), which are the ...
    6 мая 2015
  3. Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с ...
    CBRAM resistive memory enables radically low energy consumption, setting standard for a new generation of memory for the Era of Things Adesto Technologies, the inventor and market leader of the world’s lowest power memory solutions, announced ...
    15 января 2015
  4. Fujitsu Semiconductor developed of a new FRAM product, the MB85RC1MT , with 1 Mbit of memory, the highest memory density of our products with an I 2 C serial interface. The new product is guaranteed for up to 10 trillion read/write cycles, and is ...
    11 марта 2014
  5. Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки 4-мегабитных приборов FRAM-памяти MB85R4M2T с параллельным интерфейсом, совместимым с микросхемами SRAM. Образцы новой продукции в 44-выводных корпусах TSOP будут доступны в первом квартале ...
    Fujitsu Semiconductor Limited announced the development of the MB85R4M2T , a 4 Mbit FRAM chip with an SRAM-compatible parallel interface. The new product will be made available in sample quantities starting January 2014. It uses a 44-pin TSOP ...
    19 ноября 2013
  6. Jason Socrates Bardi, Американский институт физики Wireless Design Development Новый материал, состоящий из алюминия и сурьмы, может быть использован в запоминающих устройствах следующего поколения Новый экологически чистый сплав, в котором 50 ...
    A new material built from aluminum and antimony shows promise for next-generation data-storage devices A new, environmentally-friendly electronic alloy consisting of 50 aluminum atoms bound to 50 atoms of antimony may be promising for building ...
    21 сентября 2013
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка