Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Память
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыИстория электроникиКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиПамять

Новости - Память - 6

Подраздел: "Память"
Найдено: 149 Вывод: 51-60
  1. Компания Micron анонсировала новую флеш-память с проектными нормами 16 нм
    Память Micron
    Новая трехуровневая ячейка NAND памяти (TLC) большой емкости обеспечивает высокий уровень технических характеристик: Концентрированный баланс цены, емкости и технических характеристик При той же емкости, что и MLC NAND площадь, кристалла снижена на ...
    Micron Announces New Flash Storage Designed for Consumer Applications
    New High-Capacity Triple-Level-Cell (TLC) NAND Provides Efficient, High-Performance Storage: Offers a focused balance in cost, capacity and performance. Enables the same capacity as MLC NAND with a 28% savings in die area. Targeted for use in ...
    2 июня 2015
  2. Cypress представляет первую в отрасли микросхему последовательной F-RAM емкостью 4 Мбит
    Память Cypress
    Новые приборы F-RAM расширяют диапазон емкостей самых экономичных микросхем энергонезависимой памяти, предназначенных для особо ответственных приложений Cypress Semiconductor представила семейство микросхем сегнетоэлектрической памяти с ...
    Cypress Introduces the Industry's First 4Mb Serial F-RAM
    New F-RAM™ Expands the Density Range of the Most Energy-Efficient Nonvolatile RAMs for Mission-Critical Data Storage Cypress Semiconductor introduced a family of 4 Mb serial Ferroelectric Random Access Memories (F-RAMs™), which are the ...
    6 мая 2015
  1. Adesto сообщает о революционном прорыве в технологии памяти CBRAM
    Электронные компоненты Память Adesto RM25UL RM25D
    Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с ...
    Adesto Announces Major Breakthrough in Low Power Memory with 1.2 Volt CBRAM
    CBRAM resistive memory enables radically low energy consumption, setting standard for a new generation of memory for the Era of Things Adesto Technologies, the inventor and market leader of the world’s lowest power memory solutions, announced ...
    15 января 2015
  2. Serial EEPROM Compatible Non-Volatile Memory, I2C Interface 1 M-bit FRAM "MB85RC1MT"
    Память Fujitsu MB85RC1MT
    Fujitsu Semiconductor developed of a new FRAM product, the MB85RC1MT , with 1 Mbit of memory, the highest memory density of our products with an I 2 C serial interface. The new product is guaranteed for up to 10 trillion read/write cycles, and is ...
    11 марта 2014
  1. Fujitsu объявила о завершении разработки 4-мегабитных приборов FRAM-памяти, совместимых с микросхемами SRAM
    Память Fujitsu Semiconductor MB85R4M2T
    Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки 4-мегабитных приборов FRAM-памяти MB85R4M2T с параллельным интерфейсом, совместимым с микросхемами SRAM. Образцы новой продукции в 44-выводных корпусах TSOP будут доступны в первом квартале ...
    Fujitsu Releases New 4 Mbit FRAM with Non-Volatile Memory with SRAM-Compatible Parallel Interface
    Fujitsu Semiconductor Limited announced the development of the MB85R4M2T , a 4 Mbit FRAM chip with an SRAM-compatible parallel interface. The new product will be made available in sample quantities starting January 2014. It uses a 44-pin TSOP ...
    19 ноября 2013
  2. Сплав алюминия и сурьмы может стать основой для памяти будущего
    Память Технологии электронных компонентов
    Jason Socrates Bardi, Американский институт физики Wireless Design Development Новый материал, состоящий из алюминия и сурьмы, может быть использован в запоминающих устройствах следующего поколения Новый экологически чистый сплав, в котором 50 ...
    The '50-50' Chip: Memory Device of the Future?
    A new material built from aluminum and antimony shows promise for next-generation data-storage devices A new, environmentally-friendly electronic alloy consisting of 50 aluminum atoms bound to 50 atoms of antimony may be promising for building ...
    21 сентября 2013
  3. InnoDisk представила первый в мире сверхминиатюрный промышленный накопитель серии nanoSSD с интерфейсом SATA III
    Память InnoDisk
    Компания InnoDisk представила первый в мире сверхминиатюрный промышленный твердотельный накопитель серии nanoSSD с интерфейсом SATA III в корпусе BGA, соответствующий стандарту JEDEC MO-276 (SATA uSSD). Накопители nanoSSD имеют высокую степень ...
    1 июля 2013
  4. Samsung начала серийный выпуск микросхем 3-Bit MLC NAND flash-памяти емкостью 128 Гб
    Память Samsung K90KGY8S7M-CCK0
    Новые микросхемы памяти производятся по технологии 10-нм. Компания Samsung Electronics в апреле 2013 года начала массовый выпуск микросхем 3-bit MLC NAND flash-памяти объемом 128 Гб, выполненных по технологии 10 нм. Эти превосходные по своим ...
    Samsung Mass Producing 128Gb 3-Bit MLC NAND Flash Chips
    Using 10nm-class process technology. Samsung Electronics has begun mass producing a 128, 3-bit MLC NAND memory chip using 10 nm-class process technology this month. The highly advanced chip will enable high-density memory solutions such as embedded ...
    17 апреля 2013
  5. Комбинация графена и молибденита позволила создать фантастическую flash-память
    Память Технологии будущего EPFL
    Ученые из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) создали на основе двух материалов с интересными электронными свойствами графена и молибденита прототип flash-памяти, которая может оказаться очень перспективной с точки зрения ...
    Fantastic flash memory combines graphene and molybdenite
    EPFL scientists have combined two materials with advantageous electronic properties -- graphene and molybdenite -- into a flash memory prototype that is very promising in terms of performance, size and energy consumption. The molybdenite flash ...
    26 марта 2013
  6. Microchip пополняет семейство микросхем SPI Flash-памяти тремя новыми малопотребляющими устройствами
    Память Microchip SST25PF020B SST25PF040B SST25PF080B
    Новые микросхемы Flash-памяти работают в диапазоне напряжений питания, расширенном до 2.3 3.6 В Компания Microchip Technology объявила о расширении произведенной по технологии SuperFlash линейки микросхем Flash-памяти с интерфейсом SPI, представив ...
    Microchip Expands SPI Flash Memory Portfolio With Three New Low-Power Devices
    New Flash Devices Include Extended Operating Voltage Range From 2.3 to 3.6V. Microchip Technology announced an expansion of its SPI Flash memory portfolio, with the introduction of the SST25PF020B , SST25PF040B and SST25PF080B devices. The ...
    12 февраля 2013
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring