Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Силовая электроника - 6

Подраздел: "Силовая электроника"

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

Найдено: 1,414 Вывод: 51-60
  1. Концерн Радиоэлектронные технологии Госкорпорации Ростех открыл первую станцию для зарядки электромобилей в Рязанской области. На сегодняшний день установлены уже 160 ЭЗС Ростеха в 30 регионах России. Ожидается, что концу 2021 года их количество ...
    11 сентября 2021
  2. АО Ангстрем завершил цикл испытаний IGBT модуля AnM450HBE12M на 1200 В и 450 А в компактном корпусе 17×62×122 мм и готов предложить клиентам новую продукцию. АО Ангстрем единственное предприятие в России, разрабатывающее и производящее ...
    27 июля 2021
  1. Компания Analog Devices выпустила на рынок новые изолированные драйверы затвора ADuM4221 с максимальным выходным током 4 А, предназначенные, в первую очередь, для управления высокоскоростными карбид-кремниевыми (SiC) и галлий-нитридными (GaN) ...
    14 июля 2021
  2. ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей. Продолжающийся рост продаж электромобилей ...
    ON Semiconductor has announced a pair of 1200 V full silicon carbide (SiC) MOSFET 2-PACK modules further enhancing their range of products suitable for the challenging electric vehicle (EV) market. As sales of EV continue to grow, infrastructure ...
    1 июля 2021
  1. Дискретные компоненты Силовая электроника UnitedSiC UF3C065080B7S UF3C120150B7S UF3SC065030B7S UF3SC120040B7S
    Продолжая расширять свой портфель полевых транзисторов, UnitedSiC представила шесть новых 650- и 1200-вольтовых приборов, размещенных в стандартном для отрасли корпусе для поверхностного монтажа D2PAK-7L. Эти новейшие карбидокремниевые (SiC) ...
    UnitedSiC continues to expand its FET portfolio with the introduction of six new 650 V and 1200 V options, all housed in the industry standard D2PAK-7L surface mount package. Available in 30, 40, 80 and 150 mΩ versions, these latest SiC FETs ...
    8 июня 2021
  2. Vishay Intertechnology представила новый универсальный 30-вольтовый n-канальный MOSFET, изготавливаемый по технологии TrenchFET пятого поколения и обеспечивающий повышенные значения плотности мощности и КПД как для изолированных, так и для ...
    Vishay Intertechnology introduced a versatile new 30 V n-channel TrenchFET® Gen V power MOSFET that delivers increased power density and efficiency for both isolated and non-isolated topologies. Offered in the 3.3 mm by 3.3 mm thermally ...
    27 мая 2021
  3. Ключевым требованием для современной силовой электроники является высокий КПД. Поэтому Infineon Technologies представила новейшее семейство компактных изолированных драйверов затвора EiceDRIVER 2L-SRC Compact (1ED32xx). Семейство поставляется в ...
    Highest efficiency is a key requirement for today’s power electronics. Therefore, Infineon Technologies introduces its latest isolated EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact (1ED32xx) gate driver family in a compact form factor. The gate driver ...
    18 мая 2021
  4. Силовые коммутаторы на основе широкозонного нитрида галлия (GaN) обеспечивают превосходный КПД и высокую частоту переключения, открывая новую эру в силовой электронике. Для поддержки разработчиков Infineon Technologies добавила к своему обширному ...
    Power switches based on the wide bandgap (WBG) material gallium nitride (GaN) enable excellent efficiency and high switching frequency, starting a new era in power electronics. To support this development, Infineon Technologies adds the new ...
    14 мая 2021
  5. Чтобы упростить конструирование высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4 , объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с ...
    The STMicroelectronics MasterGaN4 power packages integrate two symmetrical 650 V gallium nitride (GaN) power transistors with 225 mΩ R DS(on) , alongside optimized gate drivers and circuit protection to simplify the design of high-efficiency ...
    15 апреля 2021
  6. Питание Силовая электроника Vishay SiC822 SiC822A SiC820 SiC820A SiC840 SiC840A SiC832 SiC832A SiC830 SiC830A
    Устройства для приложений инфраструктуры облачных вычислений и графических карт в корпусе PowerPAK 5 мм × 6 мм, оснащенные встроенными мониторами тока и температуры Vishay Intertechnology представила девять новых 70-, 80- и 100-амперных ...
    For Infrastructure, Cloud Computing, and Graphic Cards Applications, Devices Feature Integrated Current and Temperature Monitoring in PowerPAK® 5 mm × 6 mm Package Vishay Intertechnology introduced nine new 70 A, 80 A, and 100 A ...
    23 марта 2021
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка