Клеммные колодки Keen Side
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 9

Подраздел: "Память"
Найдено: 149 Вывод: 81-90
  1. Компания SanDisk объявила о появлении самого миниатюрного чипа NAND флеш-памяти на 128 Гбит (16 ГБ), созданного по 19 нм технологии, что позволило побить предыдущий рекорд фирмы Micron , которая в декабре прошлого года заявила о создании ...
    SanDisk has announced the world’s smallest 128Gb (16GB) NAND flash memory chip built using a 19nm process, knocking another nanometer off of the world’s current smallest flash memory chip, Micron ’s impressive 20nm 128Gb version ...
    26 февраля 2012
  2. Toshiba America пополнила линейку флеш-памяти серией USB накопителей TransMemory-EX . Новые устройства совместимы с последним стандартом USB 3.0, известным также под названием Super Speed USB. Емкость первых приборов серии составляет 32 и 64 Гбайт. ...
    Chris Warner ECN Toshiba America demonstrated the latest additions to its lineup of flash memory offerings the TransMemory-EX series of USB flash memory products. The new drives are compliant with the new USB 3.0 standards known as Super Speed USB. ...
    13 февраля 2012
  1. Транслятор уровня компании STM является первым устройством, поддерживающим новейший стандарт Secure Digital 3.0 STMicroelectronics представила первый в отрасли транслятор уровней, совместимый с последней версией стандарта для карт SD Secure Digital ...
    ST’s voltage-level translator is first to support the newest Secure Digital 3.0 standard STMicroelectronics introduced the industry’s first voltage-level translator compliant with the latest SD (Secure Digital) 3.0 standard. The ...
    23 января 2012
  2. Panasonic , Samsung , SanDisk, Sony и Toshiba заключили соглашение об объединении усилий в разработке технологии защиты информации на как SD-картах и прочих накопителях, построенных на основе флеш-памяти. Проект стартует под рабочим названием Next ...
    Panasonic , Samsung , SanDisk, Sony and Toshiba have reached an agreement in principle to collaborate on a content protection technology for flash memory cards such as SD Cards and for other flash-based storage options. The work will take place ...
    22 декабря 2011
  1. Три интегральных схемы управления питанием обеспечивают гибкий дизайн, повышенную целостность данных и экономию места на плате в сверхтонких твердотельных накопителях клиентских и корпоративных приложений Компания Texas Instruments представила ...
    Trio of PMICs enable flexible design, enhance data integrity and save board space in ultra-slim, client and enterprise SSD designs Texas Instruments introduced a family of tiny, single-chip, power management integrated circuits (PMICs) for powering ...
    16 декабря 2011
  2. Компании Intel и Micron совместно разработали первое NAND флеш-устройство на 128 Гб с многоуровневой структурой ячеек (MLC) с использованием технологического процесса 20 нм. IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron, также начало ...
    Intel and Micron have jointly developed the first 128GB multi-level cell (MLC) NAND flash device using 20-nanometer NAND process technology. IM Flash Technologies, an Intel and Micron joint development venture, has also begun mass production of a ...
    12 декабря 2011
  3. XQD обладает непревзойденной производительностью в своем классе запоминающих устройств Компания CompactFlash Association (CFA) сообщила о выпуске спецификации XQD для новых высокоэффективных карт памяти. Эта спецификация основана на спецификации ...
    XQD Introduces Industry Leading Performance The CompactFlash Association (CFA) is pleased to announce the release of the XQD specification as a new high performance memory card. This XQD specification is based on the PCI Express specification, ...
    10 декабря 2011
  4. Кульминацией семилетних исследований IBM стала разработка памяти Racetrack Корпорация IBM объявила о создании работающего кристалла памяти типа Racetrack , который в будущем может привести к созданию микросхем с емкостью современных жестких дисков, ...
    The Racetrack Circuit represents the culmination of 7 years of physics research IBM announced that it has produced a working Racetrack Memory circuit, which could lead to chips with the capacity of hard drives, but the durability and performance of ...
    8 декабря 2011
  5. IBM и Micron Technology объявили о том, что Micron начнет выпуск нового устройства памяти, впервые построенного по коммерческой КМОП технологии TSV (through-silicon vias в приблизительном переводе сквозные связи через кремний ). Усовершенствованный ...
    IBM and Micron Technology announced that Micron will begin production of a new memory device built using the first commercial CMOS manufacturing technology to employ through-silicon vias (TSVs). IBM's advanced TSV chip-making process enables ...
    5 декабря 2011
  6. Новая микросхема для защиты от воздействий электростатического разряда и радиопомех поддерживает стандарт SD 3.0 в части скорости передачи данных и объемов памяти STMicroelectronics представила новую микросхему, совмещающую в себе функции фильтра ...
    28 октября 2011
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка