AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 10

Подраздел: "Память"
Найдено: 154 Вывод: 91-100
  1. Компании Intel и Micron совместно разработали первое NAND флеш-устройство на 128 Гб с многоуровневой структурой ячеек (MLC) с использованием технологического процесса 20 нм. IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron, также начало ...
    Intel and Micron have jointly developed the first 128GB multi-level cell (MLC) NAND flash device using 20-nanometer NAND process technology. IM Flash Technologies, an Intel and Micron joint development venture, has also begun mass production of a ...
    12 декабря 2011
  2. XQD обладает непревзойденной производительностью в своем классе запоминающих устройств Компания CompactFlash Association (CFA) сообщила о выпуске спецификации XQD для новых высокоэффективных карт памяти. Эта спецификация основана на спецификации ...
    XQD Introduces Industry Leading Performance The CompactFlash Association (CFA) is pleased to announce the release of the XQD specification as a new high performance memory card. This XQD specification is based on the PCI Express specification, ...
    10 декабря 2011
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой
  1. Кульминацией семилетних исследований IBM стала разработка памяти Racetrack Корпорация IBM объявила о создании работающего кристалла памяти типа Racetrack , который в будущем может привести к созданию микросхем с емкостью современных жестких дисков, ...
    The Racetrack Circuit represents the culmination of 7 years of physics research IBM announced that it has produced a working Racetrack Memory circuit, which could lead to chips with the capacity of hard drives, but the durability and performance of ...
    8 декабря 2011
  2. IBM и Micron Technology объявили о том, что Micron начнет выпуск нового устройства памяти, впервые построенного по коммерческой КМОП технологии TSV (through-silicon vias в приблизительном переводе сквозные связи через кремний ). Усовершенствованный ...
    IBM and Micron Technology announced that Micron will begin production of a new memory device built using the first commercial CMOS manufacturing technology to employ through-silicon vias (TSVs). IBM's advanced TSV chip-making process enables ...
    5 декабря 2011
  1. Новая микросхема для защиты от воздействий электростатического разряда и радиопомех поддерживает стандарт SD 3.0 в части скорости передачи данных и объемов памяти STMicroelectronics представила новую микросхему, совмещающую в себе функции фильтра ...
    28 октября 2011
  2. Память Microchip SST39VF80XC SST39VF160XC
    Компактные устройства с низким уровнем потребления энергии удовлетворяют требованиям рынка NOR Flash-памяти Компания Microchip заявила о расширении своей линейки многоцелевой Flash Plus (MPF+) памяти, представив две микросхемы SST39VF80XC и ...
    Compact, Low-Power Devices Meet Demanding NOR Flash Market Requirements Microchip Technology announced an expansion of its Multi-Purpose Flash Plus (MPF+) memory portfolio, with the introduction of the SST39VF80XC and SST39VF160XC . The SST39VF80XC ...
    26 октября 2011
  3. Spansion анонсировала самую быстродействующую на сегодняшний день микросхему Flash-памяти с последовательным доступом серии Spansion® FL-S NOR Flash memory, изготовленную по технологии 65 нм. Данная продукция имеет на 20% увеличенную удвоенную ...
    Spansion Inc . announced the industry's fastest serial Flash memory, the Spansion® FL-S NOR Flash memory family at 65nm. The product family has over 20% faster double data rate (DDR) read speeds and three times the programming speed over ...
    5 октября 2011
  4. Ramtron объявила о появлении новейшей микросхемы сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (F-RAM), изготовленной на производственной линии корпорации IBM. Прибор FM24C64C емкостью 64 кбит питается от источника 5 В, имеет последовательный ...
    Newest Device Completes Sampling of 5-Volt I2C Serial Family Built on New Manufacturing Line Ramtron International Corporation announced broad sampling of its newest ferroelectric random access memory (F-RAM) product built on the company’s ...
    22 сентября 2011
  5. Память Cypress CY62192ESL CY62182ESL CY62172ESL
    Cypress Semiconductor представила 128-, 64- и 32-мегабитные микросхемы асинхронной статической памяти (Asynchronous SRAM) семейства MoBL® с 32-битной шиной данных. Новые приборы расширяют портфолио микросхем SRAM, включающее высококачественные ...
    New Wider SRAMs Enable Higher System Performance When Interfacing with DSPs, FPGAs or Microcontrollers/Microprocessors of Identical Bus Width Cypress Semiconductor Corp . introduced 128-Mbit, 64-Mbit and 32-Mbit MoBL® (More Battery Life) ...
    18 августа 2011
  6. Память Видео Cypress Semiconductor CYF0018V CYF0036V CYF0072V
    Cypress анонсировала микросхемы FIFO памяти с объемом до 72 Мбит. Новые модули памяти высокой плотности (HD) от Cypress CYF0018V , CYF0036V , CYF0072V хорошо подходят для приложений обработки изображений и видео, которым необходимы высокая ...
    Cypress announced First-In, First-Out (FIFO) memories with densities up to 72 Mbit. The new High-Density (HD) FIFOs CYF0018V , CYF0036V and CYF0072V from Cypress are particularly well-suited for video and imaging applications which require high ...
    8 июня 2011
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка