21 ноября 2019 года на территории АО Ангстрем прошел семинар на тему Сложнофункциональные и интеллектуальные решения для силовой электроники на элементной базе АО Ангстрем . На мероприятии представителям компаний-разработчиков и производителей ...
Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством ...
Proven process, robust and scalable, ready for volume applications Nexperia announced its entry into the gallium nitride (GaN) FET market with the introduction of the 650 volt GAN063-650WSA , a very robust device with a gate-source voltage (V GS ) ...
Концерн Радиоэлектронные технологии Госкорпорации Ростех и Федеральный испытательный центр (ФИЦ) подписали соглашение о сотрудничестве. Стороны займутся развитием зарядной инфраструктуры для электротранспорта. Документ подписали заместитель ...
Разработанный STMicroelectronics (ST) двухканальный многофазный повышающий контроллер корректора коэффициента мощности (ККМ) STNRGPF12, сочетающий в себе гибкость цифрового управления с высокой скоростью реакции аналоговых алгоритмов, легко ...
Combining the flexibility of digital power with the responsiveness of analog algorithms, STMicroelectronics ’ STNRGPF12 dual-channel interleaved boost-PFC controller is easily configured and optimized using the Company’s eDesignSuite ...
По сравнению с традиционными трехуровневыми топологиями с фиксированной нейтральной точкой (NPC), усовершенствованная конструкция инвертора с фиксированной нейтральной точкой (Advanced NPC ANPC) обеспечивает равномерное распределение потерь между ...
Compared with traditional 3-level neutral-point-clamped topologies, the advanced neutral-point-clamped (ANPC) inverter design supports an even loss distribution between semiconductor devices. Infineon Technologies utilizes the ANPC topology for its ...
Новосибирские инженеры из компании Системы накопления энергии (СНЭ, проект Роснано) и ученые НГТУ НЭТИ завершили испытания головного образца первого отечественного умного накопителя энергии большой мощности, приемка которого официально завершилась ...
Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...
Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...
Компания Diodes представила выпрямительные диоды с супер барьером (Super Barrier Rectifier SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q , изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных ...
Diodes Incorporated introduced the SBR10M100P5Q and SBR8M100P5Q . These automotive-compliant super barrier rectifier (SBR®) diodes employ patented and proprietary technology and can significantly reduce power loss and lower operating ...
650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с ...
The Introduction of 150 A and 80 A, 650 V GaN E-HEMT Transistors Meet Growing Electric Vehicle, Energy Storage, and Industrial Motor Demands GaN Systems announced the industry’s highest current 650 V GaN E-HEMTs with the addition of the 150 ...
Infineon Technologies выпустила новую серию интеллектуальных 600-вольтовых силовых модулей CIPOS Micro IM231. Приборы, рассчитанные на работу в суровых и сырых средах, в течение 1000 часов проходят стресс-тестирование при высоком напряжении, ...
Infineon Technologies is introducing its CIPOS™ Micro IM231 series, a family of 600 V rated intelligent power modules (IPM). It is qualified for harsh humid environments, passing 1000 hours of high voltage, high temperature and high humidity ...
