Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Дискретные
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
Новости
Дискретные компоненты

Новости - Дискретные компоненты

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 459 Вывод: 1-10
  1. Toshiba выпускает первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стоками
    Дискретные компоненты Toshiba SSM10N961L
    Новое устройство обеспечивает двунаправленную передачу мощности в приложениях USB Toshiba Electronics Europe выпустила свой первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стоками. Новый прибор SSM10N961L обеспечивает работу с ...
    Toshiba launches first 30 V N-channel common-drain MOSFET
    New device offers bi-directional power within USB applications Toshiba Electronics Europe has launched their first 30 V N-channel common-drain MOSFET. The new SSM10N961L device offers low-loss operation and is specifically intended for use within ...
    24-11-2023
  2. Аналогов нет. В АО «НИИЭТ» созданы новые LDMOS транзисторы
    Радиочастотные компоненты Дискретные компоненты НИИЭТ КП9171А
    В 2019 году на всей территории Российской Федерации завершился переход с аналогового на цифровой формат телевещания. Произошло это в рамках федеральной целевой программы Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009-2018 годы , которая ...
    20-11-2023
Вебинар «Литиевые аккумуляторы EVE Energy и решения для управления перезаряжаемыми источниками тока» (16.11.2023)
  1. НИИ электронной техники запустил в серийное производство силовые GaN-транзисторы серии ТНГ-К
    Дискретные компоненты Силовая электроника
    Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология одно из наиболее ...
    07-04-2023
  2. АО «НИИЭТ» в сотрудничестве с АО «Светлана-Рост» завершило разработку серии из двух полностью отечественных мощных СВЧ GaN-транзисторов
    Дискретные компоненты
    Транзисторы предназначены для работы в S-диапазоне частот и характеризуются выходной мощностью 14 и 90 Вт при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ при напряжении питания 40 В в диапазоне частот 2.9-3.2 ГГц и изготавливаются в ...
    26-01-2023
  1. EPC начала поставки 150- и 200-вольтовых GaN МОП-транзисторов с самыми низкими в отрасли сопротивлениями открытых каналов
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2304 EPC2305
    Компания EPC представила 150- и 200-вольтовые GaN МОП-транзисторы EPC2305 и EPC2304 с сопротивлениями открытых каналов 3 мОм и 5 мОм, соответственно, в корпусах QFN размером 3 мм × 5 мм со сниженным тепловым сопротивлением и открытым ...
    Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC
    EPC introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm × 5 mm footprint. These devices are the lowest on-resistance (R DS(on) ) FETs in the market at 150 ...
    20-12-2022
  2. АО «НИИЭТ» приступил к разработке серии микроконтроллеров для гражданского рынка
    Дискретные компоненты Микроконтроллеры
    Воронежский НИИ электронной техники приступил к реализации нового комплексного проекта Разработка и освоение в серийном производстве серии 32-разрядных микроконтроллеров с использованием программы субсидирования в соответствии с постановлением ...
    23-11-2022
  3. Делает и показывает НИИЭТ — GaN силовые транзисторы
    Дискретные компоненты
    В новом выпуске Делает и показывает НИИЭТ инженер-технолог III категории Павел Пролубников познакомит вас с силовыми транзисторами по технологии GaN на кремнии. Вы узнаете, какими преимуществами обладают данные транзисторы и в каких сферах ...
    07-04-2022
  4. New Vishay Intertechnology AEC-Q200 Qualified Hybrid Wirewound Charging Resistor Lowers Component Counts and Costs in EV, HEVs, and PHEVs
    Дискретные компоненты Авто Vishay
    Vishay Intertechnology introduced a new AEC-Q200 qualified charging resistor that is the industry’s first such device to feature hybrid wirewound technology in a standard package size. With a high operating temperature range up to +250 C, the ...
    22-03-2022
  5. НИИЭТ создаст доступное по цене оборудование для лабораторий
    Дискретные компоненты Инструменты и технологии
    В прошлом году воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники отметил свой 60-летний юбилей. Но и 2022 год для предприятия тоже юбилейный: 40 лет назад НИИЭТ начал проводить испытания электронной компонентной базы. Сравнительно ...
    14-02-2022
  6. Nexperia анонсировала семейство стабилитронов с рабочими токами 50 мкА
    Дискретные компоненты Nexperia BZX8450 BZX38450 BZX58550 BZX8850S
    Nexperia анонсировала выпуск широкого ассортимента слаботочных стабилитронов. 50-микроамперные устройства доступны в трех различных типах корпусов для поверхностного монтажа, в сверхминиатюрном корпусе DFN, а также в версиях, сертифицированных на ...
    Nexperia's 50 µA Zener diodes portfolio extends battery-time and saves PCB space
    Nexperia announced a comprehensive range of low current voltage regulator diodes. The 50 µA Zener diode range is available in three different surface-mountable (SMD) package options, in an ultra-small Discretes Flat No-leads (DFN) package and ...
    01-02-2022
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Вебинар «Литиевые аккумуляторы EVE Energy и решения для управления перезаряжаемыми источниками тока» (16.11.2023)
Комплексные решения с литиевыми батареями EVE для интеллектуальных систем безопасности
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров