РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 441 Вывод: 1-10
  1. Корпорация TDK выпустила крошечные мощные TVS диоды для защиты от электростатических разрядов, расширив семейство своих компонентов для двунаправленной защиты от перенапряжений интерфейсов ввода/вывода. Площади, занимаемые корпусами, имеющими ...
    TDK Corporation has released tiny high-power TVS diodes for ESD protection, extending its portfolio of components for bidirectional overvoltage protection of I/O interfaces. The space requirement of the so-called chip scale package (CSP) is just ...
    05-05-2021
  2. Устройство обеспечивает сверхнизкую емкость с типовым значением 0.37 пФ для защиты интерфейсов в коммерческих и автомобильных приложениях Vishay Intertechnology выпустила новый сдвоенный двунаправленный симметричный диод защиты от ...
    Device Provides Ultra Low Capacitance Down to 0.37 pF Typical for Interface Protection in Commercial and Automotive Applications Vishay Intertechnology released a new bidirectional symmetrical (BiSy) 2-line ESD protection diode in the compact ...
    23-04-2021
  3. Сертифицированное по стандарту AEC-Q101 устройство с лучшим в отрасли фактором качества в компактном корпусе PowerPAK SO-8L с выводами в виде крыла чайки Vishay Intertechnology представила лучший в мире p-канальный 80-вольтовый TrenchFET MOSFET, ...
    Industry-Best FOM AEC-Q101 Device Offered in Compact PowerPAK® SO-8L Package With Gullwing Leads Vishay Intertechnology introduced the world’s best AEC-Q101 qualified p-channel 80 V TrenchFET® MOSFET. With the lowest on-resistance of ...
    09-04-2021
  4. Требования к преобразователям постоянно растут и разработчики всё чаще начинают отказываться от традиционных кремниевых компонентов. Компания Wolfspeed предлагает инженерам стать частью новой истории в разработке силовых устройств и проверить все ...
    31-03-2021
  1. Холдинг Росэлектроника Госкорпорации Ростех выпустил пятимиллиардный геркон. Изделия экспортируются в 55 стран мира, обеспечивая долю в 14% глобального рынка. Герконы широко применяются в бытовой технике, автомобильной, медицинской и ...
    17-03-2021
  2. Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, ...
    17-03-2021
  3. Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon IPP016N08NF2S IPP019N08NF2S IPP024N08NF2S IPP026N10NF2S IPP040N08NF2S IPP050N10NF2S IPP055N08NF2S IPP082N10NF2S IPP129N10NF2S
    Infineon представила транзисторы StrongIRFET 2 новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет ...
    Infineon Technologies has launched StrongIRFET™ 2 the new generation of power MOSFET technology in 80 V and 100 V. Featuring broad availability at distribution partners and excellent price/performance ratio make these right-fit products an ...
    09-03-2021
  4. В компактном полумосте LFPAK56D, предназначенном для использования в трансмиссии, системах управления двигателем и DC/DC преобразователях, на 60% снижена паразитная индуктивность и улучшены тепловые характеристики Nexperia анонсировала серию ...
    Space-saving LFPAK56D half-bridge offers 60% lower parasitic inductance and improved thermal performance for power train, motor control and DC/DC application Nexperia announced a series of half-bridge (high side low side) automotive MOSFETs ...
    01-03-2021
  5. Дискретные компоненты Силовая электроника ON Semiconductor NVBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 NVH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1
    Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, ...
    Superior switching and improved reliability deliver power density improvements in a variety of challenging applications ON Semiconductor has announced a new range of silicon carbide (SiC) MOSFET devices for demanding applications where power ...
    22-02-2021
  6. Дискретные компоненты Nexperia PUSB3BB2DF PESD5V0C2BDF PESD4V0Z2BCDF
    Лучшая в своем классе защита от электростатических разрядов для интерфейсов USB3.2 и HDMI2.1 Nexperia анонсировала три новых защитных устройства TrEOS, обеспечивающих наиболее компактное решение для подавления электростатических разрядов на линиях ...
    Best-in-class ESD and system robustness for USB3.2 and HDMI2.1 Nexperia announced three new TrEOS protection devices that provide the most compact method to suppress ESD in USB3.2, HDMI2.1 and other high-speed data lines. The new PUSB3BB2DF , ...
    04-02-2021
10BASE-T1L Ethernet по витой паре: реализация на основе микросхем Analog Devices