Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Новости » Дискретные компоненты

Новости: Дискретные компоненты

Найдено: 378   Вывод: 1-10
  1. Alpha and Omega Semiconductor (AOS), объединив технологии безвыводных корпусов TO (TO-Leadless TOLL) и экранированного затвора, выпустила серию новых 60- и 100-вольтовых транзисторов, обеспечивающих наибольшую токовую нагрузку в своем классе ...
    Alpha and Omega Semiconductor introduced the TO-Leadless (TOLL) package in combination with a 60 V and 100 V Shield-Gate Technology (SGT) providing the highest current capability in its voltage class. The TOLL package has the highest current ...
    Дискретные компоненты » Alpha & Omega » AOTL66608, AOTL66610, AOTL66912
    17-10-2019
  2. Central Semiconductor представила новейшее семейство мостовых выпрямителей на диодах Шоттки с максимальными токами 1.0 А или 2.0 А и напряжениями от 40 В до 100 В. Устройства серии CBRDFSH впускаются в низкопрофильных корпусах для поверхностного ...
    Central Semiconductor introduces its newest family of Schottky bridge rectifiers: CBRDFSH series, available in 1.0 A 2.0 A, 40 V 100 V options. Devices are packaged in the low profile BR DFN surface mount case and feature highly desirable energy ...
    Дискретные компоненты » Central Semiconductor » CBRDFSH1-40, CBRDFSH1-60, CBRDFSH1-100, CBRDFSH2-40, CBRDFSH2-60, CBRDFSH2-100
    01-10-2019
  3. Экранированные SMD дроссели серий HM66M и HM78M с расширенным диапазоном рабочих температур и уменьшенными размерами идеально подходят для рынков промышленного и телекоммуникационного оборудования TT Electronics анонсировала две новых серии силовых ...
    Ferrite-based, magnetically shielded HM66M and HM78M SMD inductors feature wider temperature range and smaller footprint; ideal for industrial and telecom markets TT Electronics announced two new surface mount device (SMD) power inductors: the ...
    27-08-2019
  4. В настоящее время в филиале ФГУП РФЯЦ-ВНИИЭФ НИИИС им. Ю.Е. Седакова (г. Нижний Новгород) ведется разработка РПДУ с использованием полностью отечественных электронных компонентов, как серийно выпускаемых, так и находящихся на стадии проектирования. ...
    Дискретные компоненты » НИИЭТ » ПП9136А, ПП9138Б, ПП9139А.
    15-08-2019
  5. Устройство в корпусе PowerPAK 1212-8S, разработанное для стандартных драйверов затворов, имеет низкий заряд затвора 22.5 нКл и выходной заряд 34.2 нКл Vishay Intertechnology представила новый мощный 60-вольтовый n-канальный MOSFET в корпусе ...
    Designed for Standard Gate Drives, Device Features Low Gate Charge of 22.5 nC and Q OSS of 34.2 nC in PowerPAK® 1212-8S Package Vishay Intertechnology introduced a new 60 V TrenchFET® Gen IV n-channel power MOSFET that is the ...
    14-08-2019
  6. Устройства обеспечивают защиту потребительских устройств и промышленного оборудования от высоких и импульсных напряжений Vishay Intertechnology представила новую серию VDR металл-оксидных варисторов, сертифицированных для работы при температурах до ...
    Devices Provide Overvoltage and Transient Voltage Protection in Consumer Goods and Industrial Applications Vishay Intertechnology introduced a new series of VDR metal oxide varistors (MOV) certified for operation up to +125 C in accordance with UL ...
    01-07-2019
  7. Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...
    Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...
    12-06-2019
  8. Littelfuse анонсировала расширение своей серии цифровых индикаторов температуры PolySwitch setP, предназначенных для защиты зарядных кабелей USB Type‑C и USB PD от опасного перегрева. Новейшее дополнение к семейству продуктов SETP0805-100-CC ...
    Littelfuse announced an expanded PolySwitch® setP™ series of digital temperature indicators, designed to protect USB Type‑C and USB power delivery charging cables from dangerous overheating. The newest addition to the product family, the ...
    05-06-2019
  9. Компания Diodes представила выпрямительные диоды с супер барьером (Super Barrier Rectifier SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q , изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных ...
    Diodes Incorporated introduced the SBR10M100P5Q and SBR8M100P5Q . These automotive-compliant super barrier rectifier (SBR®) diodes employ patented and proprietary technology and can significantly reduce power loss and lower operating ...
    27-05-2019
  10. 650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с ...
    The Introduction of 150 A and 80 A, 650 V GaN E-HEMT Transistors Meet Growing Electric Vehicle, Energy Storage, and Industrial Motor Demands GaN Systems announced the industry’s highest current 650 V GaN E-HEMTs with the addition of the 150 ...
    23-05-2019
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN
Литиевые батарейки Fanso для систем телеметрии и дистанционного контроля
Срезы ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно

Рейтинг@Mail.ru