РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 425 Вывод: 1-10
  1. Ampleon анонсировала выпуск мощного 250-ваттного радиочастотного транзистора BLP2425M10S250P для твердотельных систем приготовления пищи, а также для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, использующих диапазон частот от 2400 МГц до ...
    Ampleon announced the BLP2425M10S250P , a 250 W RF power transistor for solid-state cooking and industrial, scientific and medical (ISM) applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency band. Using Ampleon’s tenth-generation LDMOS process, ...
    30-11-2020
  2. За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически ...
    25-11-2020
  3. EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор ...
    EPC introduces 170 V, 6.8 milliohm EPC2059 eGaN® FET, offering designers a device that is smaller, more efficient, more reliable, and lower cost than currently available devices for high performance 48 V synchronous rectification. Efficient ...
    22-11-2020
  4. Оптимизированы для мощных источников питания серверов и солнечных инверторов с высокой плотностью монтажа Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала выпуск быстродействующего 600-вольтового MOSFET с суперпереходом в корпусе TOLL для ...
    Optimized for High-Density, High-Power Server Power Supplies, and PV Inverters Alpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of a Fast Switching 600 V αMOS5™ Super Junction MOSFETs in SMD-type TOLL Package. αMOS5 is ...
    19-11-2020
  1. Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать на базе того же карбида кремния решения для ...
    18-11-2020
  2. Компактное устройство размером 5 мм × 6 мм сократит занимаемую площадь и повысит КПД импульсных источников питания в автомобильных приложениях Vishay Intertechnology представила n-канальный 60-вольтовый MOSFET, который является первым в ...
    Compact 5 mm by 6 mm Device Saves Space and Increases Efficiency in Switch‑Mode Power Supplies for Automotive Applications Vishay Intertechnology introduced an AEC-Q101 qualified n-channel 60 V MOSFET that is the industry’s first such device ...
    11-11-2020
  3. Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...
    Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...
    02-11-2020
  4. Устройство с вертикальной установкой в компактном корпусе типоразмера 4024 имеет вдвое меньшее сопротивление постоянному току, чем обычные силовые дроссели, и при этом экономит место на печатной плате Vishay Intertechnology представила новый ...
    Vertical-Mount IHVR-4024KE-51 Device in Compact 4024 Case Size Offers 50 % Lower DCR Than Typical Power Inductors While Saving Board Space Vishay Intertechnology introduced a new high current inductor that provides 50% lower DCR than typical power ...
    28-10-2020
  5. Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники ...
    Device offers significantly reduced losses thereby increasing power solution efficiency Toshiba Electronics Europe has launched a 1200 V silicon carbide (SiC) MOSFET for high power industrial applications including 400 V AC input AC-DC power ...
    27-10-2020
  6. Компания Ampleon выпустила мощный радиочастотный транзистор BLF989E , изготавливаемый на основе новейшего высоковольтного (50 В) технологического процесса LDMOS девятого поколения. BLF989E был разработан для использования в высокоэффективных ...
    Ampleon has released the BLF989E RF power transistor, which uses the very latest ninth-generation high-voltage (50 V) LDMOS process technology. The BLF989E has been designed to deliver the highly efficient Doherty amplifiers required by the next ...
    26-10-2020