Аналоги реле Phoenix Contact, Finder, Omron, ABB, Schneider
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 462 Вывод: 1-10
  1. Компания EPC представляет 100-вольтовый GaN полевой транзистор EPC2361 с сопротивлением открытого канала 1 мОм в компактном корпусе QFN размером 3 мм × 5 мм, обеспечивающий более высокую плотность мощности для DC/DC преобразования, быстрой ...
    EPC introduces the 100 V, 1 mOhm EPC2361 GaN FET in compact 3 mm × 5 mm QFN package, offering higher power density for DC-DC conversion, fast charging, motor drives, and solar MPPTs. EPC launches the 100 V, 1 mOhm EPC2361 . This is the lowest ...
    11-03-2024
  2. Компания Bel Fuse анонсировала выпуск первых в отрасли самовосстанавливающихся предохранителей PPTC в исполнении для поверхностного монтажа, рассчитанных на сетевое напряжение переменного тока до 240 В. Самовосстанавливающиеся предохранители Bel ...
    Bel Fuse announced the industry’s only surface mount, PPTC resettable fuse, line-volt-rated to 240 VAC. Designed to protect against electrical overloads and short circuits, Bel 0ZAF resettable fuses provide circuit protection for a variety of ...
    06-02-2024
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650
  1. Сегодня перед российской авиационной промышленностью в условиях санкций, запретивших поставки новых и обслуживание используемых иностранных самолетов, поставлена задача нарастить долю отечественных лайнеров с нынешних 33% до 81% и осуществить ...
    21-01-2024
  2. Новое устройство обеспечивает двунаправленную передачу мощности в приложениях USB Toshiba Electronics Europe выпустила свой первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стоками. Новый прибор SSM10N961L обеспечивает работу с ...
    New device offers bi-directional power within USB applications Toshiba Electronics Europe has launched their first 30 V N-channel common-drain MOSFET. The new SSM10N961L device offers low-loss operation and is specifically intended for use within ...
    24-11-2023
  1. В 2019 году на всей территории Российской Федерации завершился переход с аналогового на цифровой формат телевещания. Произошло это в рамках федеральной целевой программы Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009-2018 годы , которая ...
    20-11-2023
  2. Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология одно из наиболее ...
    07-04-2023
  3. Транзисторы предназначены для работы в S-диапазоне частот и характеризуются выходной мощностью 14 и 90 Вт при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ при напряжении питания 40 В в диапазоне частот 2.9-3.2 ГГц и изготавливаются в ...
    26-01-2023
  4. Компания EPC представила 150- и 200-вольтовые GaN МОП-транзисторы EPC2305 и EPC2304 с сопротивлениями открытых каналов 3 мОм и 5 мОм, соответственно, в корпусах QFN размером 3 мм × 5 мм со сниженным тепловым сопротивлением и открытым ...
    EPC introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm × 5 mm footprint. These devices are the lowest on-resistance (R DS(on) ) FETs in the market at 150 ...
    20-12-2022
  5. Воронежский НИИ электронной техники приступил к реализации нового комплексного проекта Разработка и освоение в серийном производстве серии 32-разрядных микроконтроллеров с использованием программы субсидирования в соответствии с постановлением ...
    23-11-2022
  6. В новом выпуске Делает и показывает НИИЭТ инженер-технолог III категории Павел Пролубников познакомит вас с силовыми транзисторами по технологии GaN на кремнии. Вы узнаете, какими преимуществами обладают данные транзисторы и в каких сферах ...
    07-04-2022
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России