Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 459 Вывод: 1-10
  1. Новое устройство обеспечивает двунаправленную передачу мощности в приложениях USB Toshiba Electronics Europe выпустила свой первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стоками. Новый прибор SSM10N961L обеспечивает работу с ...
    New device offers bi-directional power within USB applications Toshiba Electronics Europe has launched their first 30 V N-channel common-drain MOSFET. The new SSM10N961L device offers low-loss operation and is specifically intended for use within ...
    24-11-2023
  2. В 2019 году на всей территории Российской Федерации завершился переход с аналогового на цифровой формат телевещания. Произошло это в рамках федеральной целевой программы Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009-2018 годы , которая ...
    20-11-2023
Вебинар «Литиевые аккумуляторы EVE Energy и решения для управления перезаряжаемыми источниками тока» (16.11.2023)
  1. Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология одно из наиболее ...
    07-04-2023
  2. Транзисторы предназначены для работы в S-диапазоне частот и характеризуются выходной мощностью 14 и 90 Вт при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ при напряжении питания 40 В в диапазоне частот 2.9-3.2 ГГц и изготавливаются в ...
    26-01-2023
  1. Компания EPC представила 150- и 200-вольтовые GaN МОП-транзисторы EPC2305 и EPC2304 с сопротивлениями открытых каналов 3 мОм и 5 мОм, соответственно, в корпусах QFN размером 3 мм × 5 мм со сниженным тепловым сопротивлением и открытым ...
    EPC introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm × 5 mm footprint. These devices are the lowest on-resistance (R DS(on) ) FETs in the market at 150 ...
    20-12-2022
  2. Воронежский НИИ электронной техники приступил к реализации нового комплексного проекта Разработка и освоение в серийном производстве серии 32-разрядных микроконтроллеров с использованием программы субсидирования в соответствии с постановлением ...
    23-11-2022
  3. В новом выпуске Делает и показывает НИИЭТ инженер-технолог III категории Павел Пролубников познакомит вас с силовыми транзисторами по технологии GaN на кремнии. Вы узнаете, какими преимуществами обладают данные транзисторы и в каких сферах ...
    07-04-2022
  4. Vishay Intertechnology introduced a new AEC-Q200 qualified charging resistor that is the industry’s first such device to feature hybrid wirewound technology in a standard package size. With a high operating temperature range up to +250 C, the ...
    22-03-2022
  5. В прошлом году воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники отметил свой 60-летний юбилей. Но и 2022 год для предприятия тоже юбилейный: 40 лет назад НИИЭТ начал проводить испытания электронной компонентной базы. Сравнительно ...
    14-02-2022
  6. Дискретные компоненты Nexperia BZX8450 BZX38450 BZX58550 BZX8850S
    Nexperia анонсировала выпуск широкого ассортимента слаботочных стабилитронов. 50-микроамперные устройства доступны в трех различных типах корпусов для поверхностного монтажа, в сверхминиатюрном корпусе DFN, а также в версиях, сертифицированных на ...
    Nexperia announced a comprehensive range of low current voltage regulator diodes. The 50 µA Zener diode range is available in three different surface-mountable (SMD) package options, in an ultra-small Discretes Flat No-leads (DFN) package and ...
    01-02-2022
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России