Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Новости » Дискретные компоненты

Новости: Дискретные компоненты

Найдено: 381   Вывод: 1-10
  1. Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством ...
    Proven process, robust and scalable, ready for volume applications Nexperia announced its entry into the gallium nitride (GaN) FET market with the introduction of the 650 volt GAN063-650WSA , a very robust device with a gate-source voltage (V GS ) ...
    04-12-2019
  2. Среди основных вариантов использования защита высокоскоростных сигнальных линий в промышленных приложениях Toshiba Electronics Europe сообщила о доступности двух TVS диодов с низкой емкостью (диодов защиты от электростатических разрядов), ...
    Key use cases include high speed signal lines in industrial applications Toshiba Electronics Europe announces the availability of two low capacitance TVS diodes (ESD protection diodes) that support high speed communication standards, such as ...
    13-11-2019
  3. Infineon Technologies расширила серию транзисторов CoolGaN двумя новыми приборами. 400-вольтовое устройство CoolGaN ( IGT40R070D1 E8220 ) предназначено для Hi-Fi аудиосистем премиум-класса, где потребители требуют воспроизведения мельчайших деталей ...
    Infineon Technologies broadens its CoolGaN™ series with two devices. The CoolGaN 400 V device ( IGT40R070D1 E8220 ) is tailored for premium HiFi audio systems where end users demand every detail of their high resolution sound tracks. These ...
    Дискретные компоненты » Infineon » IGT40R070D1 E8220, IGLD60R190D1
    31-10-2019
  4. Alpha and Omega Semiconductor (AOS), объединив технологии безвыводных корпусов TO (TO-Leadless TOLL) и экранированного затвора, выпустила серию новых 60- и 100-вольтовых транзисторов, обеспечивающих наибольшую токовую нагрузку в своем классе ...
    Alpha and Omega Semiconductor introduced the TO-Leadless (TOLL) package in combination with a 60 V and 100 V Shield-Gate Technology (SGT) providing the highest current capability in its voltage class. The TOLL package has the highest current ...
    Дискретные компоненты » Alpha & Omega » AOTL66608, AOTL66610, AOTL66912
    17-10-2019
  5. Central Semiconductor представила новейшее семейство мостовых выпрямителей на диодах Шоттки с максимальными токами 1.0 А или 2.0 А и напряжениями от 40 В до 100 В. Устройства серии CBRDFSH впускаются в низкопрофильных корпусах для поверхностного ...
    Central Semiconductor introduces its newest family of Schottky bridge rectifiers: CBRDFSH series, available in 1.0 A 2.0 A, 40 V 100 V options. Devices are packaged in the low profile BR DFN surface mount case and feature highly desirable energy ...
    Дискретные компоненты » Central Semiconductor » CBRDFSH1-40, CBRDFSH1-60, CBRDFSH1-100, CBRDFSH2-40, CBRDFSH2-60, CBRDFSH2-100
    01-10-2019
  6. Экранированные SMD дроссели серий HM66M и HM78M с расширенным диапазоном рабочих температур и уменьшенными размерами идеально подходят для рынков промышленного и телекоммуникационного оборудования TT Electronics анонсировала две новых серии силовых ...
    Ferrite-based, magnetically shielded HM66M and HM78M SMD inductors feature wider temperature range and smaller footprint; ideal for industrial and telecom markets TT Electronics announced two new surface mount device (SMD) power inductors: the ...
    27-08-2019
  7. В настоящее время в филиале ФГУП РФЯЦ-ВНИИЭФ НИИИС им. Ю.Е. Седакова (г. Нижний Новгород) ведется разработка РПДУ с использованием полностью отечественных электронных компонентов, как серийно выпускаемых, так и находящихся на стадии проектирования. ...
    Дискретные компоненты » НИИЭТ » ПП9136А, ПП9138Б, ПП9139А.
    15-08-2019
  8. Устройство в корпусе PowerPAK 1212-8S, разработанное для стандартных драйверов затворов, имеет низкий заряд затвора 22.5 нКл и выходной заряд 34.2 нКл Vishay Intertechnology представила новый мощный 60-вольтовый n-канальный MOSFET в корпусе ...
    Designed for Standard Gate Drives, Device Features Low Gate Charge of 22.5 nC and Q OSS of 34.2 nC in PowerPAK® 1212-8S Package Vishay Intertechnology introduced a new 60 V TrenchFET® Gen IV n-channel power MOSFET that is the ...
    14-08-2019
  9. Устройства обеспечивают защиту потребительских устройств и промышленного оборудования от высоких и импульсных напряжений Vishay Intertechnology представила новую серию VDR металл-оксидных варисторов, сертифицированных для работы при температурах до ...
    Devices Provide Overvoltage and Transient Voltage Protection in Consumer Goods and Industrial Applications Vishay Intertechnology introduced a new series of VDR metal oxide varistors (MOV) certified for operation up to +125 C in accordance with UL ...
    01-07-2019
  10. Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...
    Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...
    12-06-2019
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Повышение КПД батарейного питания с помощью DC/DC MAX17225 nanoPower
Тестирование литиевых батареек FANSO при нормальных условиях. Часть 3
Срезы ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно

Рейтинг@Mail.ru