Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Новости » Дискретные компоненты

Новости: Дискретные компоненты

Найдено: 374   Вывод: 1-10
  1. Устройство в корпусе PowerPAK 1212-8S, разработанное для стандартных драйверов затворов, имеет низкий заряд затвора 22.5 нКл и выходной заряд 34.2 нКл Vishay Intertechnology представила новый мощный 60-вольтовый n-канальный MOSFET в корпусе ...
    Designed for Standard Gate Drives, Device Features Low Gate Charge of 22.5 nC and Q OSS of 34.2 nC in PowerPAK® 1212-8S Package Vishay Intertechnology introduced a new 60 V TrenchFET® Gen IV n-channel power MOSFET that is the ...
    14-08-2019
  2. Устройства обеспечивают защиту потребительских устройств и промышленного оборудования от высоких и импульсных напряжений Vishay Intertechnology представила новую серию VDR металл-оксидных варисторов, сертифицированных для работы при температурах до ...
    Devices Provide Overvoltage and Transient Voltage Protection in Consumer Goods and Industrial Applications Vishay Intertechnology introduced a new series of VDR metal oxide varistors (MOV) certified for operation up to +125 C in accordance with UL ...
    01-07-2019
  3. Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...
    Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...
    12-06-2019
  4. Littelfuse анонсировала расширение своей серии цифровых индикаторов температуры PolySwitch setP, предназначенных для защиты зарядных кабелей USB Type‑C и USB PD от опасного перегрева. Новейшее дополнение к семейству продуктов SETP0805-100-CC ...
    Littelfuse announced an expanded PolySwitch® setP™ series of digital temperature indicators, designed to protect USB Type‑C and USB power delivery charging cables from dangerous overheating. The newest addition to the product family, the ...
    05-06-2019
  5. Компания Diodes представила выпрямительные диоды с супер барьером (Super Barrier Rectifier SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q , изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных ...
    Diodes Incorporated introduced the SBR10M100P5Q and SBR8M100P5Q . These automotive-compliant super barrier rectifier (SBR®) diodes employ patented and proprietary technology and can significantly reduce power loss and lower operating ...
    27-05-2019
  6. 650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с ...
    The Introduction of 150 A and 80 A, 650 V GaN E-HEMT Transistors Meet Growing Electric Vehicle, Energy Storage, and Industrial Motor Demands GaN Systems announced the industry’s highest current 650 V GaN E-HEMTs with the addition of the 150 ...
    23-05-2019
  7. Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске TVS диода AOZ8661BDT-05 , созданного на новейшей технологической платформе Super Low Cap (Сверхнизкая Емкость), и предназначенного для защиты линий высокоскоростных интерфейсов. Новый диод ...
    Alpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of AOZ8661BDT-05 a transient voltage suppressor (TVS) for high-speed line protection using the latest Super Low Cap TVS platform. This new device is ideal for USB Type-C applications such as ...
    13-05-2019
  8. Demand is growing for SiC power products that improve system efficiency, robustness and power density in automotive, industrial and aerospace and defense applications. Microchip Technology, via its Microsemi subsidiary, announced the production ...
    07-05-2019
  9. Bourns анонсировала два новых семейства TVS диодов, сертифицированных на соответствие стандарту AEC-Q101. Эти семейства, получившие обозначения SM8S-Q и SM8SF-Q , содержат как однонаправленные, так и двунаправленные TVS диоды. Устройства ...
    Bourns announced two new families of AEC-Q101-compliant TVS diode components. Designated Models SM8S-Q and SM8SF-Q , these families are comprised of both unidirectional and bidirectional TVS diodes. They are designed to protect against voltage ...
    11-04-2019
  10. Компания Diodes сообщила о выпуске семейства NPN и PNP мощных биполярных транзисторов с повышенной плотностью мощности в миниатюрных корпусах размером 3.3 мм × 3.3 мм, предназначенных для приложений с напряжениями до 100 В и токами до 3 А. ...
    Diodes Incorporated announced a family of NPN and PNP power bipolar transistors in a small form factor (3.3 mm × 3.3 mm), offering increased power density for applications requiring up to 100 V and 3 A. Featuring a smaller form factor, these ...
    26-02-2019
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Гетероструктурные транзисторы CoolGaN – преимущества и особенности управления
Пассивные компоненты для передовых разработок
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru