Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Новости » Дискретные компоненты

Новости: Дискретные компоненты

Найдено: 372   Вывод: 1-10
  1. Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...
    Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...
    12-06-2019
  2. Littelfuse анонсировала расширение своей серии цифровых индикаторов температуры PolySwitch setP, предназначенных для защиты зарядных кабелей USB Type‑C и USB PD от опасного перегрева. Новейшее дополнение к семейству продуктов SETP0805-100-CC ...
    Littelfuse announced an expanded PolySwitch® setP™ series of digital temperature indicators, designed to protect USB Type‑C and USB power delivery charging cables from dangerous overheating. The newest addition to the product family, the ...
    05-06-2019
  3. Компания Diodes представила выпрямительные диоды с супер барьером (Super Barrier Rectifier SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q , изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных ...
    Diodes Incorporated introduced the SBR10M100P5Q and SBR8M100P5Q . These automotive-compliant super barrier rectifier (SBR®) diodes employ patented and proprietary technology and can significantly reduce power loss and lower operating ...
    27-05-2019
  4. 650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с ...
    The Introduction of 150 A and 80 A, 650 V GaN E-HEMT Transistors Meet Growing Electric Vehicle, Energy Storage, and Industrial Motor Demands GaN Systems announced the industry’s highest current 650 V GaN E-HEMTs with the addition of the 150 ...
    23-05-2019
  5. Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске TVS диода AOZ8661BDT-05 , созданного на новейшей технологической платформе Super Low Cap (Сверхнизкая Емкость), и предназначенного для защиты линий высокоскоростных интерфейсов. Новый диод ...
    Alpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of AOZ8661BDT-05 a transient voltage suppressor (TVS) for high-speed line protection using the latest Super Low Cap TVS platform. This new device is ideal for USB Type-C applications such as ...
    13-05-2019
  6. Demand is growing for SiC power products that improve system efficiency, robustness and power density in automotive, industrial and aerospace and defense applications. Microchip Technology, via its Microsemi subsidiary, announced the production ...
    07-05-2019
  7. Bourns анонсировала два новых семейства TVS диодов, сертифицированных на соответствие стандарту AEC-Q101. Эти семейства, получившие обозначения SM8S-Q и SM8SF-Q , содержат как однонаправленные, так и двунаправленные TVS диоды. Устройства ...
    Bourns announced two new families of AEC-Q101-compliant TVS diode components. Designated Models SM8S-Q and SM8SF-Q , these families are comprised of both unidirectional and bidirectional TVS diodes. They are designed to protect against voltage ...
    11-04-2019
  8. Компания Diodes сообщила о выпуске семейства NPN и PNP мощных биполярных транзисторов с повышенной плотностью мощности в миниатюрных корпусах размером 3.3 мм × 3.3 мм, предназначенных для приложений с напряжениями до 100 В и токами до 3 А. ...
    Diodes Incorporated announced a family of NPN and PNP power bipolar transistors in a small form factor (3.3 mm × 3.3 mm), offering increased power density for applications requiring up to 100 V and 3 A. Featuring a smaller form factor, these ...
    26-02-2019
  9. Эффективное сдвоенное устройство, идеально подходящее для использования в драйверах светодиодных фар автомобилей Toshiba Electronics Europe выпустила сдвоенный MOSFET с высокими уровнями защиты от электростатических разрядов. Новый прибор SSM6N813R ...
    Efficient dual device is ideal for automotive headlight applications Toshiba Electronics Europe has released a dual MOSFET with high levels of ESD protection. The new SSM6N813R is intended for use in rugged automotive applications, including use as ...
    21-02-2019
  10. Сниженное на 48% сопротивление открытого канала, увеличенная до 300 Вт мощность Nexperia представила новые 40-вольтовые MOSFET с низкими сопротивлениями каналов, соответствующие требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначенные для компактных ...
    48% R DS(on) improvement, increased power up to 300 W Nexperia introduced a portfolio of low R DS(on) 40 V AEC-Q101 MOSFETs targeting space-constricted, increased-power modules in demanding powertrain applications. Housed in the miniature, LFPAK33 ...
    19-02-2019
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Вебинар Литиевые ХИТы FANSO или что нужно знать инженеру о батарейках 20.06.2019
Пассивные компоненты для передовых разработок
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru