Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Новости » Дискретные компоненты

Новости: Дискретные компоненты

Найдено: 365   Вывод: 1-10
  1. Компания Diodes сообщила о выпуске семейства NPN и PNP мощных биполярных транзисторов с повышенной плотностью мощности в миниатюрных корпусах размером 3.3 мм × 3.3 мм, предназначенных для приложений с напряжениями до 100 В и токами до 3 А. ...
    Diodes Incorporated announced a family of NPN and PNP power bipolar transistors in a small form factor (3.3 mm × 3.3 mm), offering increased power density for applications requiring up to 100 V and 3 A. Featuring a smaller form factor, these ...
    26-02-2019
  2. Эффективное сдвоенное устройство, идеально подходящее для использования в драйверах светодиодных фар автомобилей Toshiba Electronics Europe выпустила сдвоенный MOSFET с высокими уровнями защиты от электростатических разрядов. Новый прибор SSM6N813R ...
    Efficient dual device is ideal for automotive headlight applications Toshiba Electronics Europe has released a dual MOSFET with high levels of ESD protection. The new SSM6N813R is intended for use in rugged automotive applications, including use as ...
    21-02-2019
  3. Сниженное на 48% сопротивление открытого канала, увеличенная до 300 Вт мощность Nexperia представила новые 40-вольтовые MOSFET с низкими сопротивлениями каналов, соответствующие требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначенные для компактных ...
    48% R DS(on) improvement, increased power up to 300 W Nexperia introduced a portfolio of low R DS(on) 40 V AEC-Q101 MOSFETs targeting space-constricted, increased-power modules in demanding powertrain applications. Housed in the miniature, LFPAK33 ...
    19-02-2019
  4. Незначительный обратный ток восстановления, высокая перегрузочная способность и максимальная рабочая температура перехода 175 C Littelfuse представила две новых серии 650-вольтовых карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки, сертифицированных на ...
    Negligible reverse recovery current, high surge capability, and 175 C max. operating junction temperature Littelfuse introduced two second-generation series of 650 V, AEC-Q101-qualified silicon carbide (SiC) Schottky Diodes. The LSIC2SD065CxxA and ...
    14-02-2019
  5. Ampleon объявила о доступности нового 500-ваттного радиочастотного LDMOS транзистора BLC2425M10LS500P , предназначенного для работы в импульсном и непрерывном режимах в частотном диапазоне от 2400 МГц до 2500 МГц. Транзистор BLC2425M10LS500P, ...
    Ampleon announced the 500-Watt BLC2425M10LS500P LDMOS RF power transistor designed for pulsed and CW applications operating in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency range. Suitable for use in a wide range of industrial, consumer and professional ...
    29-01-2019
  6. Устройство с суперпереходом снижает потери проводимости и переключения, повышая КПД телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений Vishay Intertechnology представила новейшее устройство в своем семействе 600-вольтовых MOSFET ...
    Superjunction Device Lowers Conduction and Switching Losses, Increases Efficiency in Telecom, Industrial, and Enterprise Applications Vishay Intertechnology introduced the latest device in its fourth generation of 600 V E Series power MOSFETs. ...
    29-01-2019
  7. При питании ноутбуков и мобильных устройств выпрямители в корпусах TO-220AB могут пропускать токи от 30 А до 40 А Vishay Intertechnology представила четыре новых 100- и 120-вольтовых выпрямителя, основанных на технологии TMBS (Trench MOS Barrier ...
    For Notebook Computer and Mobile Devices, Rectifiers Provide Current Ratings of 30 A to 40 A in TO-220AB Package Vishay Intertechnology introduced four new 100 V and 120 V TMBS® Trench MOS Barrier Schottky rectifiers that provide up to 20 mV ...
    16-10-2018
  8. Отсутствие компромисса между областью безопасной работы и рабочим КПД К семейству MOSFET NextPower Live, оптимизированных для работы в линейном режиме, Nexperia добавила новый прибор PSMN3R7-100BSE с лучшей в своем классе комбинацией области ...
    Ensures no compromise between protection and operating efficiency Nexperia introduced the latest addition to its NextPower Live linear-mode MOSFET family, PSMN3R7-100BSE delivers a best-in-class combination of strong Safe Operating Area (SOA) and ...
    08-10-2018
  9. Позволяет создавать высокочастотные высокоэффективные системы управления питанием таких приложений, как электрические и гибридные транспортные средства, датацентры и вспомогательные источники питания Расширяя свой портфель SiC MOSFET, компания ...
    Enables high-frequency, high-efficiency power control applications such as electric and hybrid vehicles, datacenters, and auxiliary power supplies Littelfuse introduced its first 1700 V SiC MOSFET, the LSIC1MO170E1000 , expanding its portfolio of ...
    02-10-2018
  10. Компания Ampleon анонсировала выпуск мощного высоконадежного транзистора BLF189XRA , предназначенного для ЧМ радиовещательных передатчиков диапазона 88 108 МГц. Устройство работает при стандартном для отрасли напряжении питания 50 В, отдавая в ...
    Ampleon announced the high power rugged BLF189XRA RF power transistor aimed at broadcast FM radio applications transmitting in the 88 108 MHz frequency range. Operating from an industry standard 50 V power source the BLF189XRA delivers over 1,600 ...
    24-09-2018
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Лазерный дальномер Leica Disto D1
Дальномер Leica Disto D1
Дальность измерения: 0.2 - 40 м
Цена: от 4 999 руб.
Доставка: Россия

Рейтинг@Mail.ru