Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Дискретные
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиДискретные компоненты

Новости - Дискретные компоненты - 11

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 462 Вывод: 101-110
  1. EPC представляет сверхминиатюрные мощные 100-вольтовые eGaN транзисторы
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2051
    EPC2051 дает разработчикам силовых устройств 100-вольтовый мощный, но миниатюрный транзистор с импульсным током 37 А и сопротивлением канала 25 мОм. Новые устройства идеально подходят для таких приложений, как 48-вольтовые преобразователи энергии, ...
    EPC Introduces 100 V eGaN Power Transistor - 30 Times Smaller Than Comparable Silicon and Capable of 97% Efficiency at 500 kHz
    The EPC2051 offers power systems designers a 100 V, 25 mΩ, power transistor capable of 37 A pulsed in an extremely small chip-scale package. These new devices are ideal for applications such as 48 V power converters, LiDAR, and LED lighting. ...
    13-09-2018
  2. АО «НИИЭТ» разработал мощные СВЧ GaN транзисторы для радиопередающей аппаратуры
    Дискретные компоненты НИИЭТ ПП9139Б1
    АО НИИЭТ (в составе АО Концерн Созвездие ) разработало новые мощные СВЧ GaN транзисторы ПП9139Б1. Основной сферой их применения является радиопередающая аппаратура. Транзисторы ориентированы на создание и модернизацию перспективных образцов ...
    10-09-2018
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Toshiba анонсирует следующее поколение мощных MOSFET с суперпереходом
    Дискретные компоненты Силовая электроника Toshiba TK040N65Z
    Новые устройства еще больше повышают эффективность источников питания Компания Toshiba Electronics Europe сообщила о завершении разработки новой серии 650-вольтовых MOSFET следующего поколения, предназначенных для использования в источниках питания ...
    Toshiba announce next-generation superjunction power MOSFETs
    New devices increase power supply efficiency even further Toshiba Electronics Europe has launched a new series of next-generation 650 V power MOSFETs that are intended for use in server power supplies in data centers, solar (PV) power conditioners, ...
    22-08-2018
  2. Torex запускает в производство новое семейство миниатюрных супрессоров
    Дискретные компоненты Torex XBP06V0U25R-G
    Torex Semiconductor начала массовое производство новых супрессоров (ограничителей напряжения) серии XBP06V0U25R-G . XBP06V0U25R-G устанавливаются в непосредственной близости от разъема внешнего интерфейса для защиты подключенных схем от разрядов ...
    Expanded Lineup of Transient Voltage Suppressor (TVS) Protection Diodes XBP06V0U25R-G
    Torex Semiconductor has launched the XBP06V0U25R-G as a new series of transient voltage suppressors (TVS). The XBP06V0U25R-G series of products are mounted in close proximity to an external interface to protect downstream ICs from electrostatic ...
    21-08-2018
  1. Infineon освоила производство новых 1200-вольтовых IGBT на 12-дюймовых пластинах
    Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon
    Infineon Technologies приступила к производству 1200-вольтовых IGBT нового поколения TRENCHSTOP IGBT6. Это первые на рынке дискретные IGBT с обратным диодом, изготавливаемые на 12-дюймовых пластинах. Новая технология изготовления IGBT разработана ...
    First TRENCHSTOP 1200 V IGBT6 discrete produced on 12 inch wafer
    Infineon Technologies is launching a new 1200 V IGBT generation TRENCHSTOP™ IGBT6. It is the first discrete IGBT duopack on the market manufactured on 12 inch wafer size. The new IGBT technology is designed to fulfill the increasing customer ...
    07-08-2018
  2. Alpha and Omega Semiconductor выпустила 25-вольтовый MOSFET новейшего поколения в корпусе XSPairFET
    Дискретные компоненты Силовая электроника Alpha & Omega AONX38168
    Изготовленные с использованием новейшей технологии транзисторы устанавливают новый отраслевой стандарт для приложений с высокой плотностью мощности Alpha and Omega Semiconductor выпустила новую транзисторную сборку AONX38168 из двух 25-вольтовых ...
    Alpha and Omega Semiconductor Introduces the Newest Generation 25V Technology in XSPairFET Package
    Optimal power efficiency using the latest technology sets a new industry standard for high power density applications Alpha and Omega Semiconductor introduced the AONX38168 , which utilizes the latest 25 V N-Channel MOSFET Technology. The XSPairFET ...
    11-07-2018
  3. Infineon расширяет семейство 650-вольтовых IGBT, изготавливаемых по технологии TRENCHSTOP 5
    Дискретные компоненты Силовая электроника
    Infineon Technologies расширяет свое семейство IGBT, изготавливаемых на тонких пластинах по технологии TRENCHSTOP 5. В новое семейство приборов с интегрированными 40-амперными антипараллельными диодами вошли IGBT с допустимыми токами до 40 А и ...
    Highest power density for 650V IGBT in surface mounting D2PAK
    Infineon Technologies expands its product portfolio of the thin-wafer technology TRENCHSTOP™5 IGBT. The new product family is offering up to 40 A 650 V IGBT, co-packed with a full rated 40 A diode in a surface mounting TO-263-3 also known as ...
    12-06-2018
  4. Новые MOSFET Nexperia соответствуют требованиям стандарта UL2595
    Дискретные компоненты Силовая электроника Nexperia PSMN0R9-30ULD PSMN0R9-40ULD
    Единственные в отрасли устройства, совместимые с посадочным местом корпуса Power-SO8 и отвечающие новым стандартам для оборудования с батарейным питанием Nexperia объявила о пополнении линейки MOSFET, выпускаемых в корпусах LFPAK56, двумя новыми ...
    New LFPAK56 MOSFETs from Nexperia feature improved creepage and clearance, meeting UL2595
    Industry’s only available devices compatible with Power-SO8 footprint to meet new standard for battery-powered equipment. Nexperia announced that two of its LFPAK56-packaged portfolio of MOSFETs are now available with improved creepage and ...
    08-06-2018
  5. Toshiba выпускает 40-вольтовые автомобильные MOSFET в корпусах размером 5 мм x 6 мм
    Дискретные компоненты Силовая электроника Toshiba TPHR7904PB TPH1R104PB
    Сопротивление открытого канала снижено благодаря использованию нового миниатюрного низкоомного корпуса Toshiba Electronics Europe расширила свою серию 40-вольтовых N-канальных автомобильных MOSFET, выпустив два новых прибора в низкоомном корпусе ...
    Toshiba releases automotive 40V N-Channel power MOSFETs in 5mm x 6mm package
    Reduced on-resistance resulting from the use of a new, small, low-resistance package Toshiba Electronics Europe has released two new MOSFETs housed in the small low-resistance SOP Advance (WF) package in 5 mm × 6 mm size, as new additions to ...
    02-05-2018
  6. GaN Systems создала GaN транзистор с рекордной для отрасли допустимой токовой нагрузкой 120 А
    Дискретные компоненты Силовая электроника GaN Systems GS-010-120-1-T
    Канадская компания GaN Systems представила самые сильноточные и энергоэффективные в отрасли 100-вольтовые GaN E-HEMT GS-010-120-1-T с сопротивлением открытого канала 5 мОм и максимальным током 120 А. По величине допустимого тока новый прибор в 1.3 ...
    Record-Setting 100 V/120 A GaN Power Transistor Introduced by GaN Systems
    GaN Systems unveiled the industry’s highest current and power efficient 100 V GaN power transistor, the 100 V, 120 A, 5 mΩ GaN E-HEMT device [GS-010-120-1-T]. It is 1.3X the current rating of GaN Systems’ own 90 A part and ...
    26-04-2018
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров