Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Дискретные
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиДискретные компоненты

Новости - Дискретные компоненты - 7

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 462 Вывод: 61-70
  1. Каждой топологии - своя технология
    Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon
    Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых транзисторов CoolSiC и ...
    29-07-2020
  2. Vishay предлагает новый 30-вольтовый полумостовой каскад на основе мощных MOSFET
    Дискретные компоненты Vishay SiZF300DT
    Сдвоенное устройство с интегрированным диодом Шоттки увеличивает плотность мощности и КПД, занимая на плате на 65% меньше места, чем корпуса 6 мм × 5 мм Vishay Intertechnology представила новый 30-вольтовый полумостовой силовой каскад на ...
    Vishay Intertechnology 30 V MOSFET Half-Bridge Power Stage Delivers 11% Higher Output Current in PowerPAIR 3x3F
    Dual Device With Integrated Schottky Diode Increases Power Density and Efficiency, Needs 65% Less PCB Space Than 6 mm × 5 mm Packages Vishay Intertechnology introduced a new 30 V n-channel MOSFET half-bridge power stage that combines a high ...
    09-07-2020
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. КПД новых мощных радиочастотных транзисторов Ampleon достигает 80%
    Радиочастотные компоненты Дискретные компоненты Ampleon BLF974P BLF978P
    Компания Ampleon объявила о появлении двух новых 50-вольтовых приборов в семействе высокоэффективных мощных Si LDMOS транзисторов радиочастотного диапазона девятого поколения. Транзисторы BLF978P и BLF974P , разработанные для использования в ...
    Ampleon releases "breakthrough" Si LDMOS devices reaching 80% efficiency for VHF and UHF applications
    Ampleon announced two additions to its 9th generation line-up of high-performance 50 V Si LDMOS high-efficiency RF power transistors. Designed for use in ultra-high-power RF power amplifiers, capable of delivering hundreds of kilowatts, the BLF978P ...
    09-07-2020
  2. Semtech представляет новое устройство RClamp для защиты интерфейсов USB Type-C
    Дискретные компоненты Интерфейсы Semtech RClamp3371ZC
    Новый TVS диод компании Semtech с ультранизкой емкостью обеспечивает лучшую в отрасли защиту высокоскоростных линий данных от разрядов статического электричества Компания Semtech анонсировала новейшее дополнение к своей платформе RClamp. ...
    Semtech Introduces New RClamp Device for Safeguarding USB Type-C Interfaces
    Semtech’s new ultra-low capacitance TVS device offers industry leading ESD protection for high speed data lines Semtech Corporation announced the latest addition to its RClamp® platform. The RClamp3371ZC exceeds industry immunity ...
    25-06-2020
  1. Nexperia выпускает новую серию высокоэффективных термостабильных SiGe выпрямителей
    Дискретные компоненты Nexperia PMEG120G10ELR PMEG120G20ELP PMEG120G20ELR PMEG120G30ELP
    Сертифицированные по стандарту AEC-Q101 устройства с обратными напряжениями 120 В, 150 В и 200 В сочетают в себе лучшие атрибуты диодов Шоттки и быстровосстанавливающихся диодов Nexperia анонсировала ряд новых кремний-германиевых (SiGe) ...
    Silicon Germanium (SiGe) rectifiers from Nexperia combine cutting-edge high efficiency, thermal stability and space-savings
    AEC-Q101 approved devices with 120 V, 150 V, and 200 V combine best attributes of Schottky and fast recovery diodes Nexperia has announced a range of new silicon germanium (SiGe) rectifiers with 120 V, 150 V, and 200 V reverse voltages that combine ...
    18-06-2020
  2. Diodes предлагает новую сборку мощных MOSFET для приложений преобразования энергии
    Дискретные компоненты Diodes DMN3012LEG
    Компания Diodes сообщила о доступности первого прибора из нового поколения дискретных MOSFET. При меньших размерах транзистор DMN3012LEG за счет повышенной эффективности обеспечивает значительную экономию средств, мощности и места на плате для ...
    Power Block MOSFET from Diodes Incorporated Increases Power Converter Efficiency and Saves PCB Space
    Diodes Incorporated announced the availability of the first in a new generation of discrete MOSFETs. The DMN3012LEG delivers increased efficiency in a smaller package to provide significant cost, power, and space savings in a wide variety of power ...
    03-06-2020
  3. Alpha and Omega Semiconductor начинает выпуск 1200-вольтовых MOSFET на новой технологической платформе αSiC
    Дискретные компоненты Высоковольтные Силовая электроника Alpha & Omega AOK065V120X2
    Тепловые и импульсные характеристики, оптимизированные для высокоэффективных приложений Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск нового 1200-вольтового карбидокремниевого (SiC) MOSFET, изготовленного на технологической платформе ...
    Alpha and Omega Semiconductor Releases New 1200V αSiC MOSFETs
    Optimized temperature and switching behavior for high-efficiency applications Alpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of the new 1200 V silicon carbide (SiC) αSiC MOSFET technology platform. Specifically targeting the ...
    26-05-2020
  4. TDK представляет новую серию токоизмерительных трансформаторов
    Датчики Дискретные компоненты TDK B82801A1
    Корпорация TDK представляет новую серию компактных токоизмерительных трансформаторов EPCOS, монтируемых на поверхность печатной платы. Устройства предназначены для измерения токов до 7 А в диапазоне частот от 50 Гц до 1 МГц. В серию B82801A1 входят ...
    TDK Presents New Compact Current Sense Transformers
    TDK Corporation presents a new series of compact EPCOS SMT current sense transformers. They are designed for measuring currents of up to 7 A at frequencies between 50 kHz and 1 MHz. The B82801A1 series comprises nine types that offer transformation ...
    22-05-2020
  5. MOSFET компании Nexperia стали еще меньше
    Дискретные компоненты Nexperia
    Простые в использовании корпуса для массового производства носимых устройств Nexperia выпустила серию MOSFET в ультраминиатюрных корпусах DFN0606, предназначенных для мобильных и портативных приложений, включая носимые устройства. Транзисторы имеют ...
    Ultra-tiny MOSFETs from Nexperia are 36% smaller with lowest RDS(on)
    Easy-to-use package for wearables and high-volume applications Nexperia has launched a range of MOSFETs in the ultra-small DFN0606 package for mobile and portable applications including wearables. The devices also offer the lowest R DS(on) for ...
    24-04-2020
  6. Infineon разработала лучшие в своем классе 600-вольтовые MOSFET с суперпереходом для низкочастотных приложений
    Дискретные компоненты Infineon CoolMOS S7
    Infineon Technologies разработала решения для приложений с самыми высокими требованиями, предъявляемыми к эффективности и качеству. Недавно выпущенное семейство 600-вольтовых продуктов CoolMOS S7 прокладывает путь к увеличению плотности мощности и ...
    Best-in-class in price and performance: 600 V CoolMOS S7 superjunction MOSFET for low-frequency applications
    Infineon Technologies develops solutions for highest efficiency and quality requirements. The newly launched 600 V CoolMOS™ S7 product family leads the way for power density and energy efficiency for applications where MOSFETs are switched at ...
    12-03-2020
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера EVE в Компэл
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров