Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты - 8

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 462 Вывод: 71-80
  1. 2- и 3-амперные устройства с обратными напряжениями от 45 В до 200 В и прямым падением напряжения до 0.36 В Vishay Intertechnology расширила перечень предлагаемых SMD выпрямительных Trench MOS выпрямительных диодов с барьером Шоттки шестнадцатью ...
    2 A and 3 A Devices Feature Reverse Voltages From 45 V to 200 V and Forward Voltage Drop Down to 0.36 V Vishay Intertechnology expanded its offering of surface-mount TMBS Trench MOS Barrier Schottky rectifiers with 16 new 2 A and 3 A devices in the ...
    28-01-2020
  2. Запатентованная TDK технология ферритового материала с низкими искажениями обеспечивает высокое качество звука. Большой номинальный ток от 2 А для умных колонок и внешних динамиков. Корпорация TDK расширила свою серию фильтров подавления помех MAF ...
    TDK's proprietary low-distortion ferrite material enables high audio quality High rated current of 2 A or higher makes smart speakers and external speakers TDK Corporation expanded the MAF series of noise suppression filters with two new ...
    24-12-2019
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Устройство, предназначенное для двунаправленной коммутации в 24-вольтовых системах, имеет лучшее в своем классе сопротивление исток-исток и самое низкое в отрасли сопротивление на единицу площади корпуса Vishay Intertechnology выпускает на рынок ...
    For Bidirectional Switching in 24 V Systems, Device Features Best in Class R S‑S(ON) Down to 10 mΩ Typical and Industry-Low R S-S(ON) per Area Vishay Intertechnology introduced a new common-drain dual n-channel 60 V MOSFET in the compact, ...
    20-12-2019
  2. Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством ...
    Proven process, robust and scalable, ready for volume applications Nexperia announced its entry into the gallium nitride (GaN) FET market with the introduction of the 650 volt GAN063-650WSA , a very robust device with a gate-source voltage (V GS ) ...
    04-12-2019
  1. Среди основных вариантов использования защита высокоскоростных сигнальных линий в промышленных приложениях Toshiba Electronics Europe сообщила о доступности двух TVS диодов с низкой емкостью (диодов защиты от электростатических разрядов), ...
    Key use cases include high speed signal lines in industrial applications Toshiba Electronics Europe announces the availability of two low capacitance TVS diodes (ESD protection diodes) that support high speed communication standards, such as ...
    13-11-2019
  2. Infineon Technologies расширила серию транзисторов CoolGaN двумя новыми приборами. 400-вольтовое устройство CoolGaN ( IGT40R070D1 E8220 ) предназначено для Hi-Fi аудиосистем премиум-класса, где потребители требуют воспроизведения мельчайших деталей ...
    Infineon Technologies broadens its CoolGaN™ series with two devices. The CoolGaN 400 V device ( IGT40R070D1 E8220 ) is tailored for premium HiFi audio systems where end users demand every detail of their high resolution sound tracks. These ...
    31-10-2019
  3. Alpha and Omega Semiconductor (AOS), объединив технологии безвыводных корпусов TO (TO-Leadless TOLL) и экранированного затвора, выпустила серию новых 60- и 100-вольтовых транзисторов, обеспечивающих наибольшую токовую нагрузку в своем классе ...
    Alpha and Omega Semiconductor introduced the TO-Leadless (TOLL) package in combination with a 60 V and 100 V Shield-Gate Technology (SGT) providing the highest current capability in its voltage class. The TOLL package has the highest current ...
    17-10-2019
  4. Дискретные компоненты Central Semiconductor CBRDFSH1-40 CBRDFSH1-60 CBRDFSH1-100 CBRDFSH2-40 CBRDFSH2-60 CBRDFSH2-100
    Central Semiconductor представила новейшее семейство мостовых выпрямителей на диодах Шоттки с максимальными токами 1.0 А или 2.0 А и напряжениями от 40 В до 100 В. Устройства серии CBRDFSH впускаются в низкопрофильных корпусах для поверхностного ...
    Central Semiconductor introduces its newest family of Schottky bridge rectifiers: CBRDFSH series, available in 1.0 A 2.0 A, 40 V 100 V options. Devices are packaged in the low profile BR DFN surface mount case and feature highly desirable energy ...
    01-10-2019
  5. Экранированные SMD дроссели серий HM66M и HM78M с расширенным диапазоном рабочих температур и уменьшенными размерами идеально подходят для рынков промышленного и телекоммуникационного оборудования TT Electronics анонсировала две новых серии силовых ...
    Ferrite-based, magnetically shielded HM66M and HM78M SMD inductors feature wider temperature range and smaller footprint; ideal for industrial and telecom markets TT Electronics announced two new surface mount device (SMD) power inductors: the ...
    27-08-2019
  6. Дискретные компоненты НИИЭТ ПП9136А ПП9138Б ПП9139А.
    В настоящее время в филиале ФГУП РФЯЦ-ВНИИЭФ НИИИС им. Ю.Е. Седакова (г. Нижний Новгород) ведется разработка РПДУ с использованием полностью отечественных электронных компонентов, как серийно выпускаемых, так и находящихся на стадии проектирования. ...
    15-08-2019
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России