Центр микроэлектроники АО Российские космические системы (РКС, входит в Госкорпорацию Роскосмос ) разрабатывает новое поколение электронных модулей памяти для бортовой аппаратуры перспективных космических аппаратов. Устройства, предназначенные для ...
Компания SK hynix объявила о разработке решения UFS 4.1, основанного на самой мощной в мире 321-слойной трехуровневой флэш-памяти 4D NAND емкостью 1 ТБ для мобильных приложений. (UFS Universal Flash Storage, универсальный флеш-накопитель, ред.). ...
По заказу компании в стране удалось наладить серийное производство сложных печатных плат для модулей DDR Оперативная память (Double Data Rate) производства GS Nanotech (входит в GS Group) теперь в реестре российской промышленной продукции ...
В ИТМО открыли новое семейство металл-органических кристаллов, которые самопроизвольно превращаются из 3D-структур в 2D. Их можно использовать в качестве материала для мемристоров и технологии ReRAM платформ для записи и хранения информации. ...
Ученые МФТИ впервые обнаружили и объяснили причину пробуждения сегнетоэлектрических пленок оксида гафния. Этот материал используется при создании новых запоминающих устройств, способных заменить собой флешки. Открытие поможет повысить надежность ...
Российский производитель вычислительной техники Гравитон разработал и запустил в производство новое поколение твердотельных накопителей. Модели объемом от 256 Гб до 2 Тб включены в реестр российской промышленной продукции Минпромторга России и ...
Они помогут создать носители с увеличенной плотностью хранимой информации Ученые Научно-образовательного центра Наноматериалы и нанотехнологии УрФУ синтезировали материал для технологий памяти нового поколения мемристоров. Такие носители информации ...
Механизм переключения и технологию изготовления элемента памяти мемристорного типа разрабатывают ученые ТУСУРа в рамках реализации программы развития Приоритет 2030 . Мемристорные элементы могут составить основу технологии создания инновационных ...
Российские ученые получили металлорганические соединения с переключаемыми магнитными свойствами. Входящие в их состав ионы металлов способны обратимо менять спиновое состояние в ответ на внешние воздействия, а следовательно, кодировать один бит ...
Как и было обещано на саммите Flash Memory Summit 2022 и конференции Samsung Memory Tech Day 2022, Samsung Electronics объявила о начале массового производства 1-терабитной (Тб) флеш-памяти восьмого поколения с трехуровневыми ячейками, ...
Samsung Electronics, as promised at Flash Memory Summit 2022 and Samsung Memory Tech Day 2022, announced that it has begun mass producing a 1-terabit (Tb) triple-level cell (TLC) eighth-generation Vertical NAND (V-NAND) with the industry’s ...
