NSIP83086V-DSWR — изолированный приемопередатчик RS-485 + DC-DC в корпусе SOW16 от компании Novosense
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Память
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
Новости
Память

Новости - Память

Подраздел: "Память"
Найдено: 144 Вывод: 1-10
  1. Ученые ТУСУРа приступили к работе над элементами памяти мемристорного типа
    Память Перспективные технологии
    Механизм переключения и технологию изготовления элемента памяти мемристорного типа разрабатывают ученые ТУСУРа в рамках реализации программы развития Приоритет 2030 . Мемристорные элементы могут составить основу технологии создания инновационных ...
    16-10-2023
  2. Синтезированы «управляемые» химические соединения для электроники будущего
    Память Перспективные технологии
    Российские ученые получили металлорганические соединения с переключаемыми магнитными свойствами. Входящие в их состав ионы металлов способны обратимо менять спиновое состояние в ответ на внешние воздействия, а следовательно, кодировать один бит ...
    10-07-2023
Вебинар «Литиевые аккумуляторы EVE Energy и решения для управления перезаряжаемыми источниками тока» (16.11.2023)
  1. Samsung Electronics начинает массовое производство памяти V-NAND восьмого поколения с самой высокой в отрасли плотностью битов
    Память Samsung
    Как и было обещано на саммите Flash Memory Summit 2022 и конференции Samsung Memory Tech Day 2022, Samsung Electronics объявила о начале массового производства 1-терабитной (Тб) флеш-памяти восьмого поколения с трехуровневыми ячейками, ...
    Samsung Electronics Begins Mass Production of 8th-Gen Vertical NAND with Industry's Highest Bit Density
    Samsung Electronics, as promised at Flash Memory Summit 2022 and Samsung Memory Tech Day 2022, announced that it has begun mass producing a 1-terabit (Tb) triple-level cell (TLC) eighth-generation Vertical NAND (V-NAND) with the industry’s ...
    07-11-2022
  2. Сибирские ученые синтезировали уникальную молекулу вердазил-нитроксильного трирадикала
    Память Перспективные технологии
    Ученые Томского политехнического университета совместно с коллегами синтезировали уникальную молекулу вердазил-нитроксильного трирадикала. Получить молекулы со схожими свойствами смогли лишь несколько исследовательских групп в мире. Молекула ...
    22-06-2021
  1. Dialog Semiconductor разработала самую малопотребляющую в отрасли микросхему флеш-памяти
    Память Dialog Semiconductor AT25EU
    Семейство AT25EU продуктов NOR Flash со сверхнизким энергопотреблением и быстрым считыванием обеспечивает значительно меньшее время стирания и функции энергосбережения для увеличения времени автономной работы устройств IoT Dialog Semiconductor ...
    Dialog Semiconductor Adds Industry's Lowest Power Flash Devices to its IoT Portfolio
    The AT25EU product family of ultra-low energy, fast read NOR Flash devices deliver significantly faster erase times and power-saving features to reduce energy consumption of IoT devices Dialog Semiconductor announced the launch of the AT25EU family ...
    27-04-2021
  2. Infineon выпускает высоконадежные энергонезависимые СОЗУ второго поколения
    Память Infineon STK14C88C STK14CA8C
    Infineon Technologies объявила о выпуске новых микросхем энергонезависимых статических ОЗУ второго поколения (nvSRAM). Новое поколение устройств, соответствующее требованиям стандарта QML-Q и аналогичным промышленным спецификациям, поддерживает ...
    Infineon launches second-generation of high-reliability non-volatile SRAM
    Infineon Technologies announced the availability of its second-generation non-volatile Static RAMs (nvSRAM). The new generation of devices are qualified for QML-Q and high-reliability industrial specifications to support demanding non-volatile code ...
    30-03-2021
  3. Greenliant запускает в производство промышленные карты памяти microSD емкостью 1 ТБ
    Память Greenliant ArmourDrive QX
    Надежность, портативность и долговечность в широком диапазоне температур Greenliant расширила свое семейство ArmourDrive промышленных высоконадежных карт памяти microSD большой емкости серии QX, добавив к ним устройства емкостью от 256 ГБ до 1 ТБ с ...
    Greenliant Launches High Capacity 1TB microSD ArmourDrive Industrial Memory Cards
    Offering Reliability, Portability and Durability at Wide Temperature Ranges Greenliant has expanded its ArmourDrive™ industrial memory card portfolio with the high reliability, high capacity microSD QX Series, available from 256 GB to 1 TB, ...
    04-03-2021
  4. Неидеальный электрод оказался более эффективен
    Память Перспективные технологии
    Запоминающие устройства на основе переключения сопротивления обладают значительными преимуществами перед используемыми сегодня элементами памяти. Сотрудники группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с коллегами из Кореи изучили влияние ...
    23-11-2020
  5. Fujitsu начинает производство 4-мегабитной микросхемы FRAM с гарантированной рабочей температурой до 125 °C
    Память Fujitsu MB85RS4MTY
    Энергонезависимая память, оптимальная для использования в автомобильном и промышленном оборудовании, где требуется высокая надежность в условиях высоких рабочих температур Подразделение запоминающих устройств компании Fujitsu Semiconductor ...
    Fujitsu has launched a 4Mbit FRAM with a guaranteed operation up to 125 °C
    Non-volatile memory optimal for applications in automobiles and industrial machinery that require high reliability in high-temperature environments Fujitsu Semiconductor Memory Solution announced a launch of 4 Mbit FRAM MB85RS4MTY , which has the ...
    29-07-2020
  6. SSD производства GS Nanotech подтвердили российское происхождение
    Память Компьютеры и периферия
    Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) получил заключение Минпромторга о подтверждении производства твердотельных энергонезависимых устройств хранения данных (SSD) собственной разработки на ...
    16-07-2020
Электронные компоненты. Новогодние скидки и подарки
Комплексные решения с литиевыми батареями EVE для интеллектуальных систем безопасности
Вебинар «Литиевые аккумуляторы EVE Energy и решения для управления перезаряжаемыми источниками тока» (16.11.2023)
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров