Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Новости » Память

Новости: Память

Найдено: 124   Вывод: 1-10
  1. ПКК Миландр занял 2-е призовое место в конкурсе Золотой Чип в номинации Лучшее изделие специального и двойного назначения 2018-2019 гг. за свою новую разработку многокристальных модулей памяти по технологии 3D-TSV. Конкурс проводился в рамках 17-ой ...
    АЦП, ЦАП · Интерфейсы · Микроконтроллеры · Память · Процессоры » Миландр » 1508МТ015, 1645PУ7Я, 1923КХ028, 1986ВС018, 5101НВ035, 9018ВК016, 9021НВ016, 9022РА018, 9022РТ018, 9023РР018, МВМ-03
    12-11-2019
  2. АО НПЦ ЭЛВИС заняло первое место в конкурсе Золотой чип - 2019 в рамках выставки ChipEXPO-2019, проводимой при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. В номинации Лучшее изделие ЭКБ 2018-2019 гг. победил проект ...
    Память » ЭЛВИС » 1657РУ2У
    23-10-2019
  3. Память с самым низким в отрасли током, потребляемым в режиме чтения, оптимальная для миниатюрных носимых устройств Fujitsu Semiconductor сообщила о выпуске микросхемы 8-мегабитной ReRAM (Resistive random access memory резистивная память с ...
    Featuring memory with the industry's smallest read current, optimal for small wearable devices Fujitsu Semiconductor announced the release of the 8 Mbit ReRAM MB85AS8MT , which has the world's largest density as a mass-produced ReRAM ...
    Память » Fujitsu » MB85AS8MT
    27-08-2019
  4. В рамках ФЦП ИР Петрозаводский университет ведет разработки совместно с ведущим российским предприятием в области корпусирования интегральных микросхем Опорные вузы, отобранные на конкурсе Минобрнауки России в 2016-2017 годах, призваны стать ...
    30-01-2019
  5. Оптимальная энергонезависимая память для регистрации данных в реальном времени в таких приложениях, как 3D позиционирование в автомобильных навигаторах Fujitsu Semiconductor сообщила о завершении разработки микросхемы MB85RS4MT 4-мегабитного ...
    Optimal non-volatile memory for real-time data logging such as 3D positioning data of event data recorder Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85RS4MT , a 4 Mbit FRAM that has the highest density in Fujitsu's serial ...
    Память » Fujitsu » MB85RS4MT
    18-09-2018
  6. Оптимальное решение для исключения батарей резервного питания ОЗУ из промышленного оборудования Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки и начале серийного производства 8-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) MB85R8M2T ...
    The optimal solution to eliminate batteries for SRAM in industrial machinery Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85R8M2T , an 8 Mbit FRAM that has the largest density in Fujitsu's family of FRAM non-volatile memories. ...
    Память » Fujitsu » MB85R8M2T
    09-07-2018
  7. Оптимальны для использования в промышленном оборудовании, требующем высокой надежности при экстремально низких температурах окружающей среды Fujitsu Semiconductor объявила о разработке 64-килобитной микросхемы сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) ...
    Optimal for applications in industrial machinery that require high reliability in extremely cold environments Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85RS64TU , a 64-Kbit FRAM. This memory is capable of operating at temperatures ...
    Память » Fujitsu » MB85RS64TU
    07-05-2018
  8. АО НИИ молекулярной электроники разработало новую конструкцию ячейки энергонезависимой памяти для применения в серийно выпускаемых микросхемах отечественного производства I уровня. Особенностью новой ячейки стало сокращение ее площади более чем в ...
    30-03-2018
  9. Устройства памяти с расширенным диапазоном рабочих температур предназначены для хранения данных в составе все более сложных автомобильных систем, включая информационно-развлекательные системы и расширенные системы помощи водителю Компания Toshiba ...
    Extended temperature memory products address data storage demands of increasingly complex applications including infotainment and ADAS Toshiba Memory Europe GmbH has begun sample shipments of embedded NAND flash memory products for automotive ...
    Память · Авто » THGAF9G7L1LBAB7, THGAF9G8L2LBAB7, THGAF9G9L4LBAB8, THGAF9T0L8LBAB8, THGAF9T1LBLBABY
    29-01-2018
  10. Новые NVMe SSD-диски форм-фактора M.2 наиболее выгодное решение для массовых геймеров и энтузиастов самостоятельной сборки компьютеров Компания Toshiba Memory Europe GmbH объявила на международной выставке CES 2018 о выпуске новой серии ...
    New M.2 NVMe SSDs Value-Optimised for Mainstream Gamers, DIY System Builders Toshiba Memory Europe GmbH announced the launch of the RC100 Series at International CES 2018, a new line of NVMe [1] (NVM Express) [1] M.2 solid state drives (SSDs) for ...
    Память » Toshiba » RC100
    22-01-2018
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Технология Maxim Integrated nanoPower
Особенности построения зарядных устройств мощностью 350 кВт на транзисторных модулях Infineon
Срезы ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно

Рейтинг@Mail.ru