Новости: Память

1. Fujitsu запускает в производство 4-мегабитные микросхемы FRAM с последовательным интерфейсом
   Оптимальная энергонезависимая память для регистрации данных в реальном времени в таких приложениях, как 3D позиционирование в автомобильных навигаторах Fujitsu Semiconductor сообщила о завершении разработки микросхемы MB85RS4MT 4-мегабитного ...

   Fujitsu has launched a new 4Mbit Serial FRAM with upper compatibility to EEPROM

   Optimal non-volatile memory for real-time data logging such as 3D positioning data of event data recorder Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85RS4MT , a 4 Mbit FRAM that has the highest density in Fujitsu's serial ...

   Память » Fujitsu » MB85RS4MT
   18-09-2018
2. Fujitsu начала серийное производство микросхем 8-мегабитных FRAM
   Оптимальное решение для исключения батарей резервного питания ОЗУ из промышленного оборудования Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки и начале серийного производства 8-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) MB85R8M2T ...

   Fujitsu Launches an 8Mbit FRAM - the Largest Memory Density in the FRAM Family

   The optimal solution to eliminate batteries for SRAM in industrial machinery Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85R8M2T , an 8 Mbit FRAM that has the largest density in Fujitsu's family of FRAM non-volatile memories. ...

   Память » Fujitsu » MB85R8M2T
   09-07-2018
3. Fujitsu завершила разработку 64-килобитной микросхемы FRAM, работающей при температуре -55 °C
   Оптимальны для использования в промышленном оборудовании, требующем высокой надежности при экстремально низких температурах окружающей среды Fujitsu Semiconductor объявила о разработке 64-килобитной микросхемы сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) ...

   Fujitsu has launched a 64-Kbit FRAM Guaranteed to Operate as low as -55 °C

   Optimal for applications in industrial machinery that require high reliability in extremely cold environments Fujitsu Semiconductor announced that it has developed the MB85RS64TU , a 64-Kbit FRAM. This memory is capable of operating at temperatures ...

   Память » Fujitsu » MB85RS64TU
   07-05-2018
4. НИИМЭ разработал новую ячейку EEPROM-памяти для серийно выпускаемых микросхем
   АО НИИ молекулярной электроники разработало новую конструкцию ячейки энергонезависимой памяти для применения в серийно выпускаемых микросхемах отечественного производства I уровня. Особенностью новой ячейки стало сокращение ее площади более чем в ...
   Память
   30-03-2018
5. Toshiba Memory Europe представляет встроенную флеш-память NAND стандарта UFS 2.1 для автомобильных систем
   Устройства памяти с расширенным диапазоном рабочих температур предназначены для хранения данных в составе все более сложных автомобильных систем, включая информационно-развлекательные системы и расширенные системы помощи водителю Компания Toshiba ...

   Toshiba Memory Europe Announces UFS 2.1-Compliant Embedded NAND Flash for Automotive Applications

   Extended temperature memory products address data storage demands of increasingly complex applications including infotainment and ADAS Toshiba Memory Europe GmbH has begun sample shipments of embedded NAND flash memory products for automotive ...

   Память · Авто » THGAF9G7L1LBAB7, THGAF9G8L2LBAB7, THGAF9G9L4LBAB8, THGAF9T0L8LBAB8, THGAF9T1LBLBABY
   29-01-2018
6. Toshiba представила массовую серию SSD-дисков RC100 с интерфейсом NVMe
   Новые NVMe SSD-диски форм-фактора M.2 наиболее выгодное решение для массовых геймеров и энтузиастов самостоятельной сборки компьютеров Компания Toshiba Memory Europe GmbH объявила на международной выставке CES 2018 о выпуске новой серии ...

   Toshiba Unveils Mainstream RC100 NVMe SSD Series at CES 2018

   New M.2 NVMe SSDs Value-Optimised for Mainstream Gamers, DIY System Builders Toshiba Memory Europe GmbH announced the launch of the RC100 Series at International CES 2018, a new line of NVMe [1] (NVM Express) [1] M.2 solid state drives (SSDs) for ...

   Память » Toshiba » RC100
   22-01-2018
7. Toshiba повышает производительность и удваивает емкость с новыми SSD-дисками NVMe XG5-P
   В новой серии потребительских дисков премиум-класса представлены устройства повышенной производительности емкостью 2 ТБ для рабочих станций и высокопроизводительных ноутбуков и настольных ПК, а также для компьютерных энтузиастов Компания Toshiba ...

   Toshiba Increases Performance, Doubles Capacity with New XG5-P NVMe SSDs

   New “Premium” Client Series Offers 2TBs of Capacity and Optimized Performance for Workstation, Enthusiast and High-End PC/Notebook Applications Toshiba Memory Europe has expanded its widely-acclaimed XG5 lineup of NVMe solid state ...

   Память · Компьютеры и периферия » Toshiba » XG5-P
   18-01-2018
8. Toshiba Memory Europe представляет UFS-устройства на основе 64‑слойной 3D флеш-памяти
   Компания Toshiba Memory Europe начала поставки ознакомительных образцов универсальных флеш-накопителей (UFS) [1] на основе самой современной 64-слойной 3D флеш-памяти BiCS FLASH™ производства Toshiba Memory Corporation [2] . Новые ...

   Toshiba Memory Europe Unveils UFS Devices Utilizing 64-Layer, 3D Flash Memory

   Toshiba Memory Europe has started sampling Universal Flash Storage (UFS) devices [1] utilising Toshiba Memory Corporation's cutting-edge 64-layer, BiCS FLASH™ 3D flash memory [2] . The new UFS devices meet performance demands for ...

   Память
   16-01-2018
9. VLSI Solution объявляет о доступности 4-мегабитного статического ОЗУ
   Финская компания VLSI Solution сообщила о доступности микросхемы универсального статического запоминающего устройства (SRAM) VS23S040 с интерфейсом SPI и наибольшей емкостью среди аналогичных устройств, предлагаемых сегодня на рынке. VS23S040 это ...

   VLSI Solution announces availability of a versatile SPI SRAM device VS23S040

   VLSI Solution announces availability of VS23S040, a versatile SPI SRAM device with the largest capacity on the market. VLSI Solution's VS23S040 is an easy to use four megabit static RAM device. The memory can be accessed via a standard SPI ...

   Память » VLSI Solution » VS23S040
   09-01-2018
10. Samsung приступает к производству первых микросхем 512-гигабайтной флеш-памяти для следующего поколения мобильных устройств
    Новый уровень стандартов запоминающих устройств для обработки постоянно растущих объемов мобильного контента Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли встраиваемой универсальной флеш-памяти (embedded Universal ...

    Samsung Starts Producing First 512-Gigabyte Universal Flash Storage for Next-Generation Mobile Devices

    Setting a new threshold for mobile storage to handle ever-increasing amounts of multimedia content Samsung Electronics announced that it has begun mass production of the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage ...

    Память » Samsung
    09-01-2018