FM25V10-G сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 1 Мб с организацией 128к х 8 бит компании Ramtron . Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях. Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ...
Общее описание Micron Technology представила экономичную DDR3 память с высокой пропускной способностью. SODIMM-модули на базе этой памяти удовлетворяют двум основным требованиям разработчиков мобильной техники, в частности ноутбуков : низкая ...
FM24V10-G сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 512 кб с организацией 65 536 х 8 бит. Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях. Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ОЗУ и высокой ...
23A256-I/P последовательная память с объемом 256 кбит и организацией 32,768 х 8 бит. Доступ к памяти осуществляется посредством последовательной шины SPI. Для доступа к памяти необходимы следующие сигналы: тактовая частота (SCK), раздельные входная ...
Компания Micron Technology анонсировала производство высокоемких микросхем памяти типа BA NAND (Block Abstracted NAND). BA NAND представляет собой комбинацию многоуровневой флэш-памяти (MLC NAND) и контроллера памяти в одном корпусе. Контроллер ...
Компания Micron Technology представила высокоэффективную мобильную память LPDDR2 (low power DDR2), которая призвана увеличить производительность и снизить энергопотребление мобильных устройств, таких как телефоны, смартфоны, КПК. LPDDR2 является ...
Компания Ramtron International представила FM24L256 , микросхему 2,7-3,6 В энергонезависимой F-RAM-памяти с высокоскоростным последовательным I2C-интерфейсом. Микросхема FM24L256 предлагает высококачественный сбор и хранение данных в крохотном ...
Компания Micron Technology представляет NAND-flash память с последовательным доступом по шине SPI на скорости до 2.64 Мб/с. Новая разработка имеет объем 1 Гбит и позволяет дешево и просто наращивать объемы памяти во встраиваемых системах, предлагая ...
Компания Ramtron выпустила первую параллельную микросхему из своего семейства последовательных и параллельных F-RAM-микросхем, которые обеспечивают высокую скорость чтения/записи, имеют пониженное напряжение питания и выполняют дополнительные ...
Компания Micron Technology сообщила сегодня о том, что начала поставки ознакомительных образцов новой памяти стандарта DDR2, которые имеют плотность 1 Гбит. Такая плотность была достигнута Micron уже раньше, особенностью новых чипов стал новый ...
