На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Память
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиПамять

Новости - Память - 5

Подраздел: "Память"
Найдено: 145 Вывод: 41-50
  1. Российские учёные ускорили сверхпроводящую память в сотни раз
    Память Технологии электронных компонентов
    Группа ученых из лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ и МГУ предложила принципиально новый тип ячеек памяти на основе сверхпроводников такая память может работать в сотни раз быстрее, чем распространенные ...
    24-03-2016
  2. Microchip выпускает Flash-память с интерфейсом SQI для автомобильной электроники
    Память Авто Microchip SST26VF
    Семейство микросхем NOR Flash-памяти с интерфейсом SQI предназначенное для применения в автомобильной электронике, обладает усовершенствованным функционалом и низким энергопотреблением Компания Microchip анонсировала семейство микросхем NOR ...
    Microchip Introduces Industry's First Automotive SQI Flash
    SST26VF SQI Family of Flash Products Now Available With Improved Functionality and Low Power Consumption Microchip Technology Inc. announced the introduction of automotive-grade NOR Flash products with wider voltage and a larger temperature range. ...
    10-02-2016
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Samsung начинает массовое производство первых в отрасли 128 ГБ модулей DDR4 для корпоративных серверов
    Память Компьютеры и периферия Samsung
    Новое решение Samsung в области DRAM указывает на то, что TSV становится господствующей технологией в приложениях памяти большой емкости Компания Samsung анонсировала начало массового производства первых в отрасли 128-гигабайтных модулей памяти ...
    Samsung Starts Mass Producing Industry's First 128-Gigabyte DDR4 Modules for Enterprise Servers
    New Samsung DRAM Solution Signals TSV Technology is heading for Mainstream High-Capacity Memory Applications Samsung Electronics announced that it is mass producing the industry’s first “through silicon via” (TSV) double data ...
    10-12-2015
  2. Cypress расширяет линейку HyperFlash самой быстрой в отрасли флэш-памяти NOR
    Память Cypress S26KL256S
    Новое устройство емкостью 256 Мбит в корпусе с небольшим количеством выводов и полосой пропускания в режиме чтения до 333 МБ/c предназначена для широкого диапазона высокопроизводительных систем Компания Cypress Semiconductor расширила линейку ...
    Cypress Expands HyperFlash Line of the Industry's Fastest NOR Flash Memories
    New 256 Mb Device Delivers Up to 333 MBps of Read Bandwidth in a Low-Pin-Count Package; Addresses a Broad Range of the Highest-Performance Systems Cypress Semiconductor Corp. expanded its NOR HyperFlash product line with the qualification of a new ...
    13-08-2015
  1. Toshiba разработала первую в мире 48-слойную микросхему флэш-памяти емкостью 256 Гбит
    Память Toshiba
    Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ...
    Toshiba develops world's first 256Gb, 48-Layer BiCS FLASH
    Innovative 3D stacked structure boosts capacity and performance Toshiba America Electronic Components , Inc. unveiled the new generation of BiCS FLASH, a three-dimensional (3D) stacked cell structure flash memory. The new device is the world's ...
    12-08-2015
  2. Atmel начинает производство инновационных 2-выводных EEPROM с паразитным питанием
    Память Atmel AT21CS01 AT21CS11
    Новому семейству однопроводных устройств памяти с оригинальной схемой паразитного питания и уникальным 64-битным серийным номером требуются лишь один вывод данных и один вывод земли Atmel начала производство инновационной микросхемы однопроводного ...
    Atmel Introduces World's Most Innovative 2-pin, Self-Powered Serial EEPROM Targeting the IoT, Battery, Consumable and Cable Identification Markets
    With a Novel Parasitic Power Scheme, New Single-Wire Family Requires Just One Data and One Ground Pin Eliminating the Need for Power Source/ Vcc and Features Plug-and-Play 64-bit Serial Number for Identification Atmel Corporation launched the ...
    12-08-2015
  3. Компания Micron анонсировала новую флеш-память с проектными нормами 16 нм
    Память Micron
    Новая трехуровневая ячейка NAND памяти (TLC) большой емкости обеспечивает высокий уровень технических характеристик: Концентрированный баланс цены, емкости и технических характеристик При той же емкости, что и MLC NAND площадь, кристалла снижена на ...
    Micron Announces New Flash Storage Designed for Consumer Applications
    New High-Capacity Triple-Level-Cell (TLC) NAND Provides Efficient, High-Performance Storage: Offers a focused balance in cost, capacity and performance. Enables the same capacity as MLC NAND with a 28% savings in die area. Targeted for use in ...
    02-06-2015
  4. Cypress представляет первую в отрасли микросхему последовательной F-RAM емкостью 4 Мбит
    Память Cypress
    Новые приборы F-RAM расширяют диапазон емкостей самых экономичных микросхем энергонезависимой памяти, предназначенных для особо ответственных приложений Cypress Semiconductor представила семейство микросхем сегнетоэлектрической памяти с ...
    Cypress Introduces the Industry's First 4Mb Serial F-RAM
    New F-RAM™ Expands the Density Range of the Most Energy-Efficient Nonvolatile RAMs for Mission-Critical Data Storage Cypress Semiconductor introduced a family of 4 Mb serial Ferroelectric Random Access Memories (F-RAMs™), which are the ...
    06-05-2015
  5. Adesto сообщает о революционном прорыве в технологии памяти CBRAM
    Электронные компоненты Память Adesto RM25UL RM25D
    Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с ...
    Adesto Announces Major Breakthrough in Low Power Memory with 1.2 Volt CBRAM
    CBRAM resistive memory enables radically low energy consumption, setting standard for a new generation of memory for the Era of Things Adesto Technologies, the inventor and market leader of the world’s lowest power memory solutions, announced ...
    15-01-2015
  6. Serial EEPROM Compatible Non-Volatile Memory, I2C Interface 1 M-bit FRAM "MB85RC1MT"
    Память Fujitsu MB85RC1MT
    Fujitsu Semiconductor developed of a new FRAM product, the MB85RC1MT , with 1 Mbit of memory, the highest memory density of our products with an I 2 C serial interface. The new product is guaranteed for up to 10 trillion read/write cycles, and is ...
    11-03-2014
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров