Новости: Силовая электроника

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

1. GaNPower успешно завершила разработку GaN микросхемы драйвера верхнего плеча
   Канадская компания GaNPower International сообщила о выпуске двух новых мощных нитрид-галлиевых (GaN) микросхем GPI8HINOIC и GPI8HIRGIC , специально разработанных для верхнего плеча силовых коммутаторов в полумостовых приложениях. Используя в ...

   Successful Design of High-side GaNPower IC

   GaNPower International is pleased to announce the release of two new GaNPower IC ( GPI8HINOIC and GPI8HIRGIC ) that were specially designed for high-side power switches in a half-bridge application. Using edge-triggered narrow pulses as input ...

   Драйверы · Питание · Силовая электроника » GaNPower » GPI8HINOIC, GPI8HIRGIC
   27-12-2019
2. Технология SiC позволила разместить мегаваттный инвертор в объеме компактного чемодана
   General Electric В рамках программы, получившей название AAVP (Advanced Air Vehicles Program), General Electric (GE) сотрудничает с NASA, чтобы в будущем появилась возможность полета больших коммерческих самолетов с электрическим двигателем. ...

   SiC to Enable 1MW Inverter in the Size of a Compact Suitcase

   General Electric GE is collaborating with the NASA Advanced Air Vehicles Program (AAVP) to enable the future of flight for large commercial aircraft with electric propulsion. The project team is developing a next generation motor-drive inverter ...

   Питание · Силовая электроника
   26-12-2019
3. Изолированный драйвер затворов SiC транзисторов компании Maxim обеспечивает лучший КПД в своем классе приборов
   MAX22701E снижает общие потери энергии в системе на 30 процентов и увеличивает срок службы системы, в три раза улучшая устойчивость к синфазным переходным помехам С изолированным драйвером затворов MAX22701E , выпущенным компанией Maxim Integrated ...

   Maxim's Isolated Silicon Carbide Gate Driver Provides Best-in-Class Power Efficiency and Increased System Uptime

   MAX22701E reduces overall system energy loss by 30 percent and improves system uptime with up to 3x higher CMTI performance With the MAX22701E isolated gate driver from Maxim Integrated Products designers of high-voltage/high-power systems can ...

   Драйверы · Силовая электроника » Maxim » MAX22701E
   24-12-2019
4. Ангстрем провел семинар по силовой электронике
   21 ноября 2019 года на территории АО Ангстрем прошел семинар на тему Сложнофункциональные и интеллектуальные решения для силовой электроники на элементной базе АО Ангстрем . На мероприятии представителям компаний-разработчиков и производителей ...
   Электронные компоненты · Силовая электроника
   10-12-2019
5. Nexperia запускает в производство свой первый GaN МОП-транзистор с лучшими в отрасли характеристиками
   Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством ...

   Nexperia launches high-efficiency GaN FET with industry-leading performance

   Proven process, robust and scalable, ready for volume applications Nexperia announced its entry into the gallium nitride (GaN) FET market with the introduction of the 650 volt GAN063-650WSA , a very robust device with a gate-source voltage (V GS ) ...

   Дискретные компоненты · Силовая электроника » Nexperia » GAN063-650WSA
   04-12-2019
6. КРЭТ и Федеральный испытательный центр займутся продвижением зарядных станций для электробусов
   Концерн Радиоэлектронные технологии Госкорпорации Ростех и Федеральный испытательный центр (ФИЦ) подписали соглашение о сотрудничестве. Стороны займутся развитием зарядной инфраструктуры для электротранспорта. Документ подписали заместитель ...
   Силовая электроника
   07-10-2019
7. STMicroelectronics разработала цифровой корректор коэффициента мощности для промышленных приложений
   Разработанный STMicroelectronics (ST) двухканальный многофазный повышающий контроллер корректора коэффициента мощности (ККМ) STNRGPF12, сочетающий в себе гибкость цифрового управления с высокой скоростью реакции аналоговых алгоритмов, легко ...

   Flexible Digital Power-Factor Controller from STMicroelectronics Leverages Analog Performance and Stability for Industrial Applications

   Combining the flexibility of digital power with the responsiveness of analog algorithms, STMicroelectronics ’ STNRGPF12 dual-channel interleaved boost-PFC controller is easily configured and optimized using the Company’s eDesignSuite ...

   Питание · Силовая электроника » STMicroelectronics » STNRGPF12
   07-08-2019
8. Комбинация MOSFET и IGBT в силовых модулях Infineon Easy 2B повысит КПД систем
   По сравнению с традиционными трехуровневыми топологиями с фиксированной нейтральной точкой (NPC), усовершенствованная конструкция инвертора с фиксированной нейтральной точкой (Advanced NPC ANPC) обеспечивает равномерное распределение потерь между ...

   Combining the best of both worlds: CoolSiC MOSFET and TRENCHSTOP IGBT in Easy 2B package boost system efficiency

   Compared with traditional 3-level neutral-point-clamped topologies, the advanced neutral-point-clamped (ANPC) inverter design supports an even loss distribution between semiconductor devices. Infineon Technologies utilizes the ANPC topology for its ...

   Силовая электроника » Infineon » F3L11MR12W2M1_B65
   23-07-2019
9. Новосибирские инженеры официально завершили испытания первого российского «умного» накопителя энергии большой мощности
   Новосибирские инженеры из компании Системы накопления энергии (СНЭ, проект Роснано) и ученые НГТУ НЭТИ завершили испытания головного образца первого отечественного умного накопителя энергии большой мощности, приемка которого официально завершилась ...
   Силовая электроника
   13-06-2019
10. Wolfspeed выпускает 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала
    Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...

    Silicon Carbide Power MOSFET C3M Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

    Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...

    Дискретные компоненты · Силовая электроника » Wolfspeed » C3M0016120K
    12-06-2019