РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Силовая электроника

Подраздел: "Силовая электроника"

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

Найдено: 1,376 Вывод: 1-10
  1. Концерн Радиоэлектронные технологии Госкорпорации Ростех открыл первую станцию для зарядки электромобилей в Рязанской области. На сегодняшний день установлены уже 160 ЭЗС Ростеха в 30 регионах России. Ожидается, что концу 2021 года их количество ...
    11-09-2021
  2. АО Ангстрем завершил цикл испытаний IGBT модуля AnM450HBE12M на 1200 В и 450 А в компактном корпусе 17×62×122 мм и готов предложить клиентам новую продукцию. АО Ангстрем единственное предприятие в России, разрабатывающее и производящее ...
    27-07-2021
Вебинар Экономичные решения МЕAN WELL для надежных разработок - 30.09.2021
  1. Компания Analog Devices выпустила на рынок новые изолированные драйверы затвора ADuM4221 с максимальным выходным током 4 А, предназначенные, в первую очередь, для управления высокоскоростными карбид-кремниевыми (SiC) и галлий-нитридными (GaN) ...
    14-07-2021
  2. ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей. Продолжающийся рост продаж электромобилей ...
    ON Semiconductor has announced a pair of 1200 V full silicon carbide (SiC) MOSFET 2-PACK modules further enhancing their range of products suitable for the challenging electric vehicle (EV) market. As sales of EV continue to grow, infrastructure ...
    01-07-2021
  1. Дискретные компоненты Силовая электроника UnitedSiC UF3C065080B7S UF3C120150B7S UF3SC065030B7S UF3SC120040B7S
    Продолжая расширять свой портфель полевых транзисторов, UnitedSiC представила шесть новых 650- и 1200-вольтовых приборов, размещенных в стандартном для отрасли корпусе для поверхностного монтажа D2PAK-7L. Эти новейшие карбидокремниевые (SiC) ...
    UnitedSiC continues to expand its FET portfolio with the introduction of six new 650 V and 1200 V options, all housed in the industry standard D2PAK-7L surface mount package. Available in 30, 40, 80 and 150 mΩ versions, these latest SiC FETs ...
    08-06-2021
  2. Vishay Intertechnology представила новый универсальный 30-вольтовый n-канальный MOSFET, изготавливаемый по технологии TrenchFET пятого поколения и обеспечивающий повышенные значения плотности мощности и КПД как для изолированных, так и для ...
    Vishay Intertechnology introduced a versatile new 30 V n-channel TrenchFET® Gen V power MOSFET that delivers increased power density and efficiency for both isolated and non-isolated topologies. Offered in the 3.3 mm by 3.3 mm thermally ...
    27-05-2021
  3. Ключевым требованием для современной силовой электроники является высокий КПД. Поэтому Infineon Technologies представила новейшее семейство компактных изолированных драйверов затвора EiceDRIVER 2L-SRC Compact (1ED32xx). Семейство поставляется в ...
    Highest efficiency is a key requirement for today’s power electronics. Therefore, Infineon Technologies introduces its latest isolated EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact (1ED32xx) gate driver family in a compact form factor. The gate driver ...
    18-05-2021
  4. Силовые коммутаторы на основе широкозонного нитрида галлия (GaN) обеспечивают превосходный КПД и высокую частоту переключения, открывая новую эру в силовой электронике. Для поддержки разработчиков Infineon Technologies добавила к своему обширному ...
    Power switches based on the wide bandgap (WBG) material gallium nitride (GaN) enable excellent efficiency and high switching frequency, starting a new era in power electronics. To support this development, Infineon Technologies adds the new ...
    14-05-2021
  5. Чтобы упростить конструирование высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4 , объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с ...
    The STMicroelectronics MasterGaN4 power packages integrate two symmetrical 650 V gallium nitride (GaN) power transistors with 225 mΩ R DS(on) , alongside optimized gate drivers and circuit protection to simplify the design of high-efficiency ...
    15-04-2021
  6. Требования к преобразователям постоянно растут и разработчики всё чаще начинают отказываться от традиционных кремниевых компонентов. Компания Wolfspeed предлагает инженерам стать частью новой истории в разработке силовых устройств и проверить все ...
    31-03-2021
Синхронизатор тактового сигнала с двумя цифровыми контурами ФАПЧ AD9546 от Analog Devices