РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Силовая электроника

Подраздел: "Силовая электроника"

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

Найдено: 1,351 Вывод: 1-10
  1. Ampleon анонсировала выпуск мощного 250-ваттного радиочастотного транзистора BLP2425M10S250P для твердотельных систем приготовления пищи, а также для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, использующих диапазон частот от 2400 МГц до ...
    Ampleon announced the BLP2425M10S250P , a 250 W RF power transistor for solid-state cooking and industrial, scientific and medical (ISM) applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency band. Using Ampleon’s tenth-generation LDMOS process, ...
    30-11-2020
  2. EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор ...
    EPC introduces 170 V, 6.8 milliohm EPC2059 eGaN® FET, offering designers a device that is smaller, more efficient, more reliable, and lower cost than currently available devices for high performance 48 V synchronous rectification. Efficient ...
    22-11-2020
  3. Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать на базе того же карбида кремния решения для ...
    18-11-2020
  4. Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...
    Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...
    02-11-2020
  1. Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники ...
    Device offers significantly reduced losses thereby increasing power solution efficiency Toshiba Electronics Europe has launched a 1200 V silicon carbide (SiC) MOSFET for high power industrial applications including 400 V AC input AC-DC power ...
    27-10-2020
  2. Выпущенное Apex Microtechnology устройство PA22 устанавливает новый стандарт характеристик усилителей мощности, используемых в различных приложениях, требующих высокого быстродействия и кратковременного рассеивания большой мощности. Это устройство ...
    The PA22 from Apex Microtechnology establishes a new benchmark in power amplifier performance for a variety of applications where high speed and short-term power dissipation is a must. With this device, designers are offered exceptional power ...
    15-09-2020
  3. Эти 200-вольтовые eGaN полевые транзисторы нового поколения идеальны для синхронных выпрямителей с выходным напряжением 48 В, аудиоусилителей класса D, солнечных микроинверторов и оптимизаторов, а также многоуровневых высоковольтных AC/DC ...
    These new generation 200 V eGaN® FETs are ideal for 48 V OUT synchronous rectification, class-D audio, solar microinverters and optimizers, and multilevel, high-voltage AC/DC converters EPC advances the performance capability while lowering the ...
    14-09-2020
  4. Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск 30-вольтового MOSFET AONS32310 с низким сопротивлением открытого канала и широкой областью безопасной работы (Safe Operating Area, SOA), который идеально подходит для таких ответственных приложений, ...
    Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AONS32310 , a 30 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability which is ideally suited for demanding applications such as hot swap and e-fuse. A high SOA is ...
    08-09-2020
  5. Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, ...
    02-09-2020
  6. Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых транзисторов CoolSiC и ...
    29-07-2020