Новости - Силовая электроника
Подраздел: "Силовая электроника"
Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.
Найдено: 1,368 Вывод: 1-10
- Чтобы упростить конструирование высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4 , объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с ...
- The STMicroelectronics MasterGaN4 power packages integrate two symmetrical 650 V gallium nitride (GaN) power transistors with 225 mΩ R DS(on) , alongside optimized gate drivers and circuit protection to simplify the design of high-efficiency ...
15-04-2021 - Требования к преобразователям постоянно растут и разработчики всё чаще начинают отказываться от традиционных кремниевых компонентов. Компания Wolfspeed предлагает инженерам стать частью новой истории в разработке силовых устройств и проверить все ...31-03-2021
- Питание Силовая электроника Vishay SiC822 SiC822A SiC820 SiC820A SiC840 SiC840A SiC832 SiC832A SiC830 SiC830AУстройства для приложений инфраструктуры облачных вычислений и графических карт в корпусе PowerPAK 5 мм × 6 мм, оснащенные встроенными мониторами тока и температуры Vishay Intertechnology представила девять новых 70-, 80- и 100-амперных ...
- For Infrastructure, Cloud Computing, and Graphic Cards Applications, Devices Feature Integrated Current and Temperature Monitoring in PowerPAK® 5 mm × 6 mm Package Vishay Intertechnology introduced nine new 70 A, 80 A, and 100 A ...
23-03-2021 - Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, ...17-03-2021
- Силовая электроника Toshiba TK065U65Z TK090U65Z TK110U65Z TK155U65Z TK190U65ZНовый компактный SMD корпус TOLL помогает уменьшить размеры оборудования, а подключение истока по схеме Кельвина повышает КПД Toshiba Electronics Europe анонсировала пять 650-вольтовых MOSFET с суперпереходом в новых безвыводных корпусах для ...
- The new compact SMD TOLL format helps reduce the size of equipment and the Kelvin source connection improves efficiency Toshiba Electronics Europe has announced five 650V superjunction power MOSFETs housed in the new compact SMD package in ...
15-03-2021 - Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon IPP016N08NF2S IPP019N08NF2S IPP024N08NF2S IPP026N10NF2S IPP040N08NF2S IPP050N10NF2S IPP055N08NF2S IPP082N10NF2S IPP129N10NF2SInfineon представила транзисторы StrongIRFET 2 новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет ...
- Infineon Technologies has launched StrongIRFET™ 2 the new generation of power MOSFET technology in 80 V and 100 V. Featuring broad availability at distribution partners and excellent price/performance ratio make these right-fit products an ...
09-03-2021 - В компактном полумосте LFPAK56D, предназначенном для использования в трансмиссии, системах управления двигателем и DC/DC преобразователях, на 60% снижена паразитная индуктивность и улучшены тепловые характеристики Nexperia анонсировала серию ...
- Space-saving LFPAK56D half-bridge offers 60% lower parasitic inductance and improved thermal performance for power train, motor control and DC/DC application Nexperia announced a series of half-bridge (high side low side) automotive MOSFETs ...
01-03-2021 - Дискретные компоненты Силовая электроника ON Semiconductor NVBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 NVH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, ...
- Superior switching and improved reliability deliver power density improvements in a variety of challenging applications ON Semiconductor has announced a new range of silicon carbide (SiC) MOSFET devices for demanding applications where power ...
22-02-2021 - Infineon Technologies представляет новую серию устройство в семействе SmartDriver. В компактном корпусе интеллектуального контроллера двигателей IMD110 объединены аппаратный движок iMOTION MCE (Motion Control Engine) и трехфазный драйвер затворов. ...
- Infineon Technologies introduces the new IMD110 SmartDriver series. The smart motor controller family combines the iMOTION™ Motion Control Engine (MCE) with a three-phase gate driver in a compact package. The integrated gate driver is based ...
18-02-2021 - Новая GaNFast микросхема забирает еще часть рынка старых медленных кремниевых чипов Navitas Semiconductor сообщила о появлении в семействе GaNFast новой 650-вольтовой силовой микросхемы NV6128 , предназначенной для устройств мощной мобильной и ...
- 66% more power GaNFast IC takes a bigger bite from the old, slow silicon chip market. Navitas Semiconductor announced the NV6128 , a new high-power 650V/800V-rated GaNFast power IC to address the high-power mobile and consumer power electronics ...
16-02-2021
