Новости: Силовая электроника

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

1. КРЭТ и Федеральный испытательный центр займутся продвижением зарядных станций для электробусов
   Концерн Радиоэлектронные технологии Госкорпорации Ростех и Федеральный испытательный центр (ФИЦ) подписали соглашение о сотрудничестве. Стороны займутся развитием зарядной инфраструктуры для электротранспорта. Документ подписали заместитель ...
   Силовая электроника
   07-10-2019
2. STMicroelectronics разработала цифровой корректор коэффициента мощности для промышленных приложений
   Разработанный STMicroelectronics (ST) двухканальный многофазный повышающий контроллер корректора коэффициента мощности (ККМ) STNRGPF12, сочетающий в себе гибкость цифрового управления с высокой скоростью реакции аналоговых алгоритмов, легко ...

   Flexible Digital Power-Factor Controller from STMicroelectronics Leverages Analog Performance and Stability for Industrial Applications

   Combining the flexibility of digital power with the responsiveness of analog algorithms, STMicroelectronics ’ STNRGPF12 dual-channel interleaved boost-PFC controller is easily configured and optimized using the Company’s eDesignSuite ...

   Питание · Силовая электроника » STMicroelectronics » STNRGPF12
   07-08-2019
3. Комбинация MOSFET и IGBT в силовых модулях Infineon Easy 2B повысит КПД систем
   По сравнению с традиционными трехуровневыми топологиями с фиксированной нейтральной точкой (NPC), усовершенствованная конструкция инвертора с фиксированной нейтральной точкой (Advanced NPC ANPC) обеспечивает равномерное распределение потерь между ...

   Combining the best of both worlds: CoolSiC MOSFET and TRENCHSTOP IGBT in Easy 2B package boost system efficiency

   Compared with traditional 3-level neutral-point-clamped topologies, the advanced neutral-point-clamped (ANPC) inverter design supports an even loss distribution between semiconductor devices. Infineon Technologies utilizes the ANPC topology for its ...

   Силовая электроника » Infineon » F3L11MR12W2M1_B65
   23-07-2019
4. Новосибирские инженеры официально завершили испытания первого российского «умного» накопителя энергии большой мощности
   Новосибирские инженеры из компании Системы накопления энергии (СНЭ, проект Роснано) и ученые НГТУ НЭТИ завершили испытания головного образца первого отечественного умного накопителя энергии большой мощности, приемка которого официально завершилась ...
   Силовая электроника
   13-06-2019
5. Wolfspeed выпускает 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала
   Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...

   Silicon Carbide Power MOSFET C3M Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

   Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...

   Дискретные компоненты · Силовая электроника » Wolfspeed » C3M0016120K
   12-06-2019
6. Новые SBR диоды Diodes повысят КПД и надежность автомобильных световых приборов
   Компания Diodes представила выпрямительные диоды с супер барьером (Super Barrier Rectifier SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q , изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных ...

   Super Barrier Rectifier Technology from Diodes Incorporated Improves Efficiency and Reliability of Automotive Daytime Running Lights

   Diodes Incorporated introduced the SBR10M100P5Q and SBR8M100P5Q . These automotive-compliant super barrier rectifier (SBR®) diodes employ patented and proprietary technology and can significantly reduce power loss and lower operating ...

   Дискретные компоненты · Авто · Силовая электроника » Diodes » SBR10M100P5Q, SBR8M100P5Q
   27-05-2019
7. GaN Systems представляет самые сильноточные в отрасли мощные GaN транзисторы
   650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с ...

   GaN Systems Unveils Industry's Highest Current GaN Power Transistors

   The Introduction of 150 A and 80 A, 650 V GaN E-HEMT Transistors Meet Growing Electric Vehicle, Energy Storage, and Industrial Motor Demands GaN Systems announced the industry’s highest current 650 V GaN E-HEMTs with the addition of the 150 ...

   Дискретные компоненты · Силовая электроника » GaN Systems » GS-065-080-1-D, GS-065-150-1-D
   23-05-2019
8. Infineon расширяет семейство интеллектуальных силовых модулей устройствами с наивысшей плотностью мощности
   Infineon Technologies выпустила новую серию интеллектуальных 600-вольтовых силовых модулей CIPOS Micro IM231. Приборы, рассчитанные на работу в суровых и сырых средах, в течение 1000 часов проходят стресс-тестирование при высоком напряжении, ...

   Infineon's CIPOS Micro IPM adds IGBT based IM231 series for highest power density

   Infineon Technologies is introducing its CIPOS™ Micro IM231 series, a family of 600 V rated intelligent power modules (IPM). It is qualified for harsh humid environments, passing 1000 hours of high voltage, high temperature and high humidity ...

   Драйверы · Силовая электроника » Infineon » IM231
   04-05-2019
9. Infineon начала производство первого в отрасли интегрального решения для 1000-амперных регуляторов напряжения
   Infineon Technologies расширила свое семейство чипсетов для сильноточных систем, выпустив первый в отрасли 16-фазный цифровой ШИМ-контроллер XDPE132G5C. Семейство обеспечивает токи от 500 до 1000 А и выше для следующего поколения центральных и ...

   Infineon manufactures industry's first true 1000 A voltage regulator solution for next generation AI and 5G networking

   Infineon Technologies extends its portfolio of high current system chipset solutions with the industry's first 16-phase digital PWM multiphase controller, the XDPE132G5C. The portfolio enables currents of 500 to 1000 A and higher for next ...

   Питание · Силовая электроника » Infineon » XDPE132G5C, TDA21475, IR35223
   17-04-2019
10. STMicroelectronics оптимизировала IGBT для бытовых приборов с мягким переключением
    Оптимизированные STMicroelectronics для обеспечения наилучших импульсных характеристик и характеристик проводимости в цепях с мягким переключением, 650-вольтовые IGBT STGWA40IH65DF и STGWA50IH65DF семейства STPOWER повышают энергоэффективность ...

    Advanced IGBTs Optimized for Soft Switching Raise Induction-Heating Efficiency in Home Appliances

    Optimized for best conduction and switching performance in soft-switching circuits, STMicroelectronics’ STGWA40IH65DF and STGWA50IH65DF 650 V STPOWER™ IGBTs increase the energy efficiency of resonant converters in the 16 kHz-60 kHz ...

    Силовая электроника » STMicroelectronics » STGWA40IH65DF, STGWA50IH65DF
    29-03-2019