Новости - Силовая электроника - 9

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

81. Изолированный драйвер затворов SiC транзисторов компании Maxim обеспечивает лучший КПД в своем классе приборов
    Драйверы Силовая электроника Maxim MAX22701E
    MAX22701E снижает общие потери энергии в системе на 30 процентов и увеличивает срок службы системы, в три раза улучшая устойчивость к синфазным переходным помехам С изолированным драйвером затворов MAX22701E , выпущенным компанией Maxim Integrated ...

    Maxim's Isolated Silicon Carbide Gate Driver Provides Best-in-Class Power Efficiency and Increased System Uptime

    MAX22701E reduces overall system energy loss by 30 percent and improves system uptime with up to 3x higher CMTI performance With the MAX22701E isolated gate driver from Maxim Integrated Products designers of high-voltage/high-power systems can ...

    24-12-2019
82. Ангстрем провел семинар по силовой электронике
    Электронные компоненты Силовая электроника
    21 ноября 2019 года на территории АО Ангстрем прошел семинар на тему Сложнофункциональные и интеллектуальные решения для силовой электроники на элементной базе АО Ангстрем . На мероприятии представителям компаний-разработчиков и производителей ...
    10-12-2019

83. Nexperia запускает в производство свой первый GaN МОП-транзистор с лучшими в отрасли характеристиками
    Дискретные компоненты Силовая электроника Nexperia GAN063-650WSA
    Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством ...

    Nexperia launches high-efficiency GaN FET with industry-leading performance

    Proven process, robust and scalable, ready for volume applications Nexperia announced its entry into the gallium nitride (GaN) FET market with the introduction of the 650 volt GAN063-650WSA , a very robust device with a gate-source voltage (V GS ) ...

    04-12-2019
84. КРЭТ и Федеральный испытательный центр займутся продвижением зарядных станций для электробусов
    Силовая электроника
    Концерн Радиоэлектронные технологии Госкорпорации Ростех и Федеральный испытательный центр (ФИЦ) подписали соглашение о сотрудничестве. Стороны займутся развитием зарядной инфраструктуры для электротранспорта. Документ подписали заместитель ...
    07-10-2019

85. STMicroelectronics разработала цифровой корректор коэффициента мощности для промышленных приложений
    Питание Силовая электроника STMicroelectronics STNRGPF12
    Разработанный STMicroelectronics (ST) двухканальный многофазный повышающий контроллер корректора коэффициента мощности (ККМ) STNRGPF12, сочетающий в себе гибкость цифрового управления с высокой скоростью реакции аналоговых алгоритмов, легко ...

    Flexible Digital Power-Factor Controller from STMicroelectronics Leverages Analog Performance and Stability for Industrial Applications

    Combining the flexibility of digital power with the responsiveness of analog algorithms, STMicroelectronics ’ STNRGPF12 dual-channel interleaved boost-PFC controller is easily configured and optimized using the Company’s eDesignSuite ...

    07-08-2019
86. Комбинация MOSFET и IGBT в силовых модулях Infineon Easy 2B повысит КПД систем
    Силовая электроника Infineon F3L11MR12W2M1_B65
    По сравнению с традиционными трехуровневыми топологиями с фиксированной нейтральной точкой (NPC), усовершенствованная конструкция инвертора с фиксированной нейтральной точкой (Advanced NPC ANPC) обеспечивает равномерное распределение потерь между ...

    Combining the best of both worlds: CoolSiC MOSFET and TRENCHSTOP IGBT in Easy 2B package boost system efficiency

    Compared with traditional 3-level neutral-point-clamped topologies, the advanced neutral-point-clamped (ANPC) inverter design supports an even loss distribution between semiconductor devices. Infineon Technologies utilizes the ANPC topology for its ...

    23-07-2019
87. Новосибирские инженеры официально завершили испытания первого российского «умного» накопителя энергии большой мощности
    Силовая электроника
    Новосибирские инженеры из компании Системы накопления энергии (СНЭ, проект Роснано) и ученые НГТУ НЭТИ завершили испытания головного образца первого отечественного умного накопителя энергии большой мощности, приемка которого официально завершилась ...
    13-06-2019
88. Wolfspeed выпускает 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала
    Дискретные компоненты Силовая электроника Wolfspeed C3M0016120K
    Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...

    Silicon Carbide Power MOSFET C3M Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

    Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...

    12-06-2019
89. Новые SBR диоды Diodes повысят КПД и надежность автомобильных световых приборов
    Дискретные компоненты Авто Силовая электроника Diodes SBR10M100P5Q SBR8M100P5Q
    Компания Diodes представила выпрямительные диоды с супер барьером (Super Barrier Rectifier SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q , изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных ...

    Super Barrier Rectifier Technology from Diodes Incorporated Improves Efficiency and Reliability of Automotive Daytime Running Lights

    Diodes Incorporated introduced the SBR10M100P5Q and SBR8M100P5Q . These automotive-compliant super barrier rectifier (SBR®) diodes employ patented and proprietary technology and can significantly reduce power loss and lower operating ...

    27-05-2019
90. GaN Systems представляет самые сильноточные в отрасли мощные GaN транзисторы
    Дискретные компоненты Силовая электроника GaN Systems GS-065-080-1-D GS-065-150-1-D
    650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с ...

    GaN Systems Unveils Industry's Highest Current GaN Power Transistors

    The Introduction of 150 A and 80 A, 650 V GaN E-HEMT Transistors Meet Growing Electric Vehicle, Energy Storage, and Industrial Motor Demands GaN Systems announced the industry’s highest current 650 V GaN E-HEMTs with the addition of the 150 ...

    23-05-2019