Владимир Башкиров
Новости электроники 7, 2007
Trench IGBT шестого поколения от компании International Rectifier – это существенно улучшенные технические характеристики и надежность в сочетании с привлекательной ценой. Оцените их преимущества при производстве промышленных и бытовых проводов мощностью до нескольких киловатт, а также в промышленных источниках питания.
Особенности технологии и преимущества по отношению к предыдущим поколениям IGBT
Основные отличия в характеристиках транзисторов нового и предыдущих поколений обусловлены особенностями строения кристалла. Новые IGBT шестого поколения относятся к типу DS (Depletion Stop) Trench IGBT. Кристалл такого транзистора содержит вертикально расположенный затвор и слой, блокирующий носители (depletion stop).
Лучшие тепловые характеристики транзисторов этого типа достигаются за счет минимальной толщины (70 мкм) пластин. Благодаря применению технологии trench, затвор расположен вертикально, что способствует существенному снижению площади ячейки. У транзисторов шестого поколения площадь ячейки меньше по сравнению с предыдущими поколениями на 40%. Благодаря этому кристалл становится более компактным или существенно возрастает ток транзистора (до 60%) при равноценной площади кристалла. У вертикального затвора, в отличие от планарного, отсутствуют горизонтальные участки протекания тока. Ток течет к коллектору по кратчайшему пути, что обеспечивает снижение потерь на проводимость. В этом отношении транзисторы IR схожи с аналогами других производителей, но отличаются от них тем, что обладают более высокой комплексной эффективностью. А благодаря самому низкому уровню потерь всех видов, Trench IGBT занимают первое место и среди IGBT, производимых компанией.
В статье также приведены хар-ки следующих приборов:IRGB4045DPBF, IRGI4061DPBF, IRGP4062DPBF, IRGP4063DPBF, IRGB4064DPBF, IRGP4068D-EPBF, IRGP4068DPBF, IRGB4059DPBF, IRGB4060DPBF, IRGB4056DPBF, IRGB4061DPBF, IRGB4062DPBF, IRGB4063DPBF, IRGP4050, IRGI4055PBF, IRGI4065PBF, IRGB4065PBF, IRGP4065DPBF, IRGP4065PBF, IRGS4065PBF, IRGB4055PBF, IRGP4055DPBF, IRGP4055PBF, IRGS4055PBF
Читать далее статью в полном обьеме (pdf)
Эволюция кристалла IGBT
Эволюция комплексной эффективности поколений IGBT
