Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H1]
| Авторы | Casans, D Ramirez, AE Navarro |
| Основной документ | Статья «Источник постоянного тока для ISFET и MEMFET» |
| Описание | Рисунок 2 |
| Формат / Размер файла | PDF / 15 Кб |
| Язык документа | русский |
Другие материалы из основного документа
- Статья «Источник постоянного тока для ISFET и MEMFET»
- Рисунок 1. Драйвер постоянного тока служит основой для системы измерения концентрации химических веществ
- Рисунок 2. Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H1]
- Рисунок 3. Напряжение затвор-исток ISFET изменяется в зависимости от степени кислотности
