РадиоЛоцман - Все об электронике

Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H1]

АвторыCasans, D Ramirez, AE Navarro
Основной документСтатья «Источник постоянного тока для ISFET и MEMFET»
ОписаниеРисунок 2
Формат / Размер файлаPDF / 15 Кб
Язык документарусский

Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H sup 1 /sup ]

Другие материалы из основного документа

Запись онлайн-семинара Создание малошумящих импульсных источников питания. Практические рекомендации от Analog Devices