Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники
РадиоЛоцман - Все об электронике

Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H1]

АвторыCasans, D Ramirez, AE Navarro
Основной документСтатья «Источник постоянного тока для ISFET и MEMFET»
ОписаниеРисунок 2
Формат / Размер файлаPDF / 15 Кб
Язык документарусский

Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H sup 1 /sup ]

АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Другие материалы из основного документа

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка