Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H¹]

Авторы	Casans, D Ramirez, AE Navarro
Основной документ	Статья «Источник постоянного тока для ISFET и MEMFET»
Описание	Рисунок 2
Формат / Размер файла	PDF / 15 Кб
Язык документа	русский

АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Другие материалы из основного документа

Статья «Источник постоянного тока для ISFET и MEMFET»

Рисунок 1. Драйвер постоянного тока служит основой для системы измерения концентрации химических веществ
Рисунок 2. Напряжение затвор-исток хорошо коррелирует с концентрацией ионов [H¹]
Рисунок 3. Напряжение затвор-исток ISFET изменяется в зависимости от степени кислотности

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Электролитические конденсаторы ведущих азиатских производителей

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring