Статьи - Дискретные компоненты

Полевые транзисторы с изолированным затвором, выполненные по технологии DirectFET, компания International Rectifier впервые представила в 2002 году (Рисунок 1), а исполнения для усилителей звуковых часто (УЗЧ) класса D в 2006 году. Компании ...

В настоящий момент к харвестерам энергии проявляется повышенный интерес, так как они являются чрезвычайно перспективными для питания приложений Интернета Вещей (IoT). В качестве примера можно привести гибкую ткань, способную преобразовывать тепло ...

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован ...

Компания EPC анонсировала очередное, уже пятое по счету (Gen5), поколение своих нитрид-галлиевых транзисторов с улучшенной структурой eGaN. Новые транзисторы по-прежнему представляют собой нормально разомкнутые ключи, но отличаются от ...

Компания VisIC Technologies специализируется на выпуске нитрид-галлиевых транзисторов и постоянно расширяет номенклатуру своих изделий. Недавно к существующим моделям добавился новый силовой ключ V80N65B. Теперь к услугам разработчиков предлагается ...

Несмотря на масштабное наступление нитрид-галлиевых и карбид-кремниевых технологий, силовые кремниевые компоненты пока что достаточно уверенно сдерживают их натиск. Так, например, новые N-канальные ключи STL140N4F7AG и STL190N4F7AG из семейства ...

Журнал РАДИОЛОЦМАН, август 2016 ИСТОРИЯ-ЭЛЕКТРОНИКИ Michael Dunn EDN Были времена, когда в лабораториях электроники довольно часто встречался необычный объект, похожий на осциллограф. Это был характериограф, способный отображать подробные графики ...

Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2016 Внештатный сотрудник Electronic Design Несмотря на то, что нитрид-галлиевые транзисторы становятся все более популярным решением для силовых ключей, заслуженные MOSFET до сих пор можно эффективно использовать в ...

Компания VisIC Technologies начала выпуск нитрид-галлиевых транзисторов с рейтингом напряжения 650 В и способных работать на частотах более 200 кГц с минимальным уровнем потерь. В то же время ближайшие конкуренты в лице кремниевых МДП-транзисторов ...

Журнал ЭКиС, №4 2015 г В. Охрименко В статье рассматриваются характеристики самовосстанавливающихся предохранителей компании Littelfuse. Введение Традиционный способ защиты от перегрузки по току применение плавких или самовосстанавливающихся ...