Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Статьи - Дискретные компоненты

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 27 Вывод: 1-10
  1. Ellie Gabel
    Появившись на сцене более десяти лет назад, технология FinFET преобразила конструкцию чипов. Хотя эти непланарные транзисторы по-прежнему являются неофициальным отраслевым стандартом, их эпоха, возможно, подходит к концу. Так что ...
    Ellie Gabel
    FinFETs redefined chip design when they came onto the scene more than a decade ago. While these nonplanar transistors are still the unofficial industry standard, they may be nearing the end of their life. So, electronics engineers may need to ...
    10-04-2024
  2. Jinchang Zhou
    В настоящее время большая часть новостей и дискуссий в полупроводниковой отрасли посвящена устройствам на основе новых материалов с широкой запрещенной зоной, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Приложения средней и высокой ...
    Jinchang Zhou
    These days, much of the news coverage and discussion in the semiconductor industry is about devices based on the new wide bandgap (WBG) materials such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) The medium-to-high power applications that ...
    31-10-2023
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Полевые транзисторы с изолированным затвором, выполненные по технологии DirectFET, компания International Rectifier впервые представила в 2002 году (Рисунок 1), а исполнения для усилителей звуковых часто (УЗЧ) класса D в 2006 году. Компании ...
    16-12-2020
  2. В настоящий момент к харвестерам энергии проявляется повышенный интерес, так как они являются чрезвычайно перспективными для питания приложений Интернета Вещей (IoT). В качестве примера можно привести гибкую ткань, способную преобразовывать тепло ...
    28-11-2018
  1. Дискретные компоненты · Силовая электроника GaN Systems GS61004B GS61008P GS61008T GS66502B GS66504B GS66506T GS66508B GS66508P GS66508T GS66516B GS66516T
    В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован ...
    23-04-2018
  2. Компания EPC анонсировала очередное, уже пятое по счету (Gen5), поколение своих нитрид-галлиевых транзисторов с улучшенной структурой eGaN. Новые транзисторы по-прежнему представляют собой нормально разомкнутые ключи, но отличаются от ...
    26-07-2017
  3. Компания VisIC Technologies специализируется на выпуске нитрид-галлиевых транзисторов и постоянно расширяет номенклатуру своих изделий. Недавно к существующим моделям добавился новый силовой ключ V80N65B. Теперь к услугам разработчиков предлагается ...
    26-05-2017
  4. Несмотря на масштабное наступление нитрид-галлиевых и карбид-кремниевых технологий, силовые кремниевые компоненты пока что достаточно уверенно сдерживают их натиск. Так, например, новые N-канальные ключи STL140N4F7AG и STL190N4F7AG из семейства ...
    23-03-2017
  5. Michael Dunn
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, август 2016 ИСТОРИЯ-ЭЛЕКТРОНИКИ Были времена, когда в лабораториях электроники довольно часто встречался необычный объект, похожий на осциллограф. Это был характериограф, способный отображать подробные графики характеристик ...
    Michael Dunn
    There was a time when it wasn't so rare to discover an unusual, scope-like object in an electronics lab. This was the curve tracer, able to display detailed characteristic curves of many components. Early models displayed vacuum tube curves; ...
    31-01-2017
  6. Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2016 Внештатный сотрудник Electronic Design Несмотря на то, что нитрид-галлиевые транзисторы становятся все более популярным решением для силовых ключей, заслуженные MOSFET до сих пор можно эффективно использовать в ...
    Freelance Staff Electronic Design Even though gallium-nitride transistors are becoming a more popular solution in terms of power switching, the venerable MOSFET still can be used effectively in current applications. In the wake of gallium-nitride ...
    04-01-2017
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России