Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники
РадиоЛоцман - Все об электронике
языки

Публикации - 8

Найдено: 397,115 Вывод: 71-80
  1. Datasheet Nexperia PMV65XP,215
    20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  2. Datasheet NXP PMV65XP
    20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку
  1. 20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  2. Datasheet Nexperia PMV65UNEAR
    20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  1. 40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  2. Datasheet Nexperia PMV65ENEAR
    40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  3. 20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  4. Datasheet Nexperia PMV65XPER
    20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  5. 20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
  6. Datasheet Nexperia PMV65XPEAR
    20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
    13 октября 2025
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка