N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...
N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...
N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...